本帖最后由 criterion 于 2019-9-12 17:50 编辑 - R5 |) ~: a% N" x
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由于磁珠的阻抗，都会随频率变化，因此Datasheet，都会标注特定频率下的阻抗值， 一般都是以100MHz为特定频率。 + w, k Q& d6 @+ q
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/ v( G1 w, F* v) q+ s4 B虽然磁珠等效于电阻与电感串联，但磁珠对于高频噪声，才有抑制作用， 换言之，我们所要利用的，是磁珠在高频下的电阻特性， 因此在效能上，必须以电阻看待。 而由上图可知，在高频时，由于电感值小于电阻值，其磁珠的阻抗，由电阻所支配，故其Datasheet的阻抗值，其实几乎等同于电阻值， 所以一般说的600R，代表在100MHz下，该磁珠阻抗为600奥姆，电阻值也约600奥姆。 7 N) Z- B( L; N' T; k$ T8 ^
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- a; k. y" I1 L1 y: _$ c也因为磁珠的阻抗，会随频率变化，因此在挑选时，需注意该磁珠于噪声频率下的阻抗值，如下图 :
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噪声频率为10MHz，而Sample A在10MHz的阻抗，明显比Sample B高出许多， 而由波形可知，Sample A的上升与下降曲线，也比Sample B平缓许多，连带在频域上的噪声成分减少许多， 亦即Sample A抑制10MHz噪声的能力较佳， 而Sample B比较适用于100MHz ~ 200MHz的噪声频率。
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虽然噪声频率下的阻抗值越大，其抑制噪声能力越好， 但若阻抗越大，其DCR也越大，亦即其信号的损耗，以及电源的IR Drop也越大， 故需做一个折衷考虑。 7 i" X. B6 C6 J w M! q
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& c0 x, v- \/ Q* T& O由上图可知，当流经电流加大时，其磁珠的有效阻抗与带宽，都会跟着下降， 虽然因为频偏关系，导致电容性频率范围的阻抗有所提升， 但毕竟我们所要利用的，是磁珠在高频下的电阻特性，而非电容特性， 因此其额定电流越大越好，至少需为流经电流之1.3倍。 ' a0 d, e y, ?2 w6 K
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一般而言，额定电流越大，则尺寸也会越大， 但阻抗会越小， 因此虽然额定电流越大越安全， 但会加大占用空间，且降低抑制噪声能力，因此须做一个折衷考虑 ' ~7 p, o# u) P" y; B
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所以简单讲
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1. 找一个额定电流大约600 mA的磁珠 2. 然后挑选在其噪声频率 有高阻抗的 3. 最后 确认其DCR 假设IR Drop你可以接受 那就定了
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" S7 I' R* h+ }/ j( ?' w4 q之后再依照你的量测结果作调整 % W! ~$ o" m! i) Y; X5 _
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