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标题: 晶振离射频部分比较近，影响大不大？ [打印本页]
作者: meng110928    时间: 2014-6-6 10:26
标题: 晶振离射频部分比较近，影响大不大？
3225晶振离射频部分比较近，影响大不大？9 D+ ~$ }2 a# m: i
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空间很窄，如果不行晶振放底层会不会好点？7 a! y& P3 s9 N& N, ~8 t1 D, }' `0 r
" {3 M8 s) d, w1 C* `! a2 v: B
作者: fallen    时间: 2014-6-6 11:26
只能说，尽量远离，我有个产品，比较近，但是测试指标是没有问题的，发给你参考一下。

QQ图片20140606112907.jpg (153.4 KB, 下载次数: 4)

QQ图片20140606112907.jpg
作者: coffindidi    时间: 2014-6-8 13:07
这个芯片本身的晶体不会有什么影响
作者: djxf    时间: 2014-6-9 19:08
如果背面有空间，建议直接扔背面得了。
. d# x* @. ~% ]5 p0 X3 n如果背面没有空间，这个距离问题应该不是太大。在XO与RF走线之间多加地孔。



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