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标题: 关于端接电阻的问题 [打印本页]

作者: CUICHAOYUE    时间: 2013-10-15 10:45
标题: 关于端接电阻的问题
看到很多人的设计,DSP或其他MCU的DDR2连接口与DRR2片子之间都会挂上一个22欧姆或33欧姆的端接电阻,我就有个疑问,假设DDR2时钟为533MHZ,则波形上升沿时间估算为1/5/533us=0.375ns ,因信号传输速率约为6in/ns(6000mil/ns) ,则该上升沿的电长度约为2250mil(57mm),所以我觉得在这个情况下只要连接线长度低于2000mil,由于阻抗不匹配导致的振铃将埋没于上升沿,端接电阻是否很有必要?当然如果阻抗失配严重(如芯片内部阻抗与走线阻抗不匹配)另算,一般情况下控制了板间间距,线宽,完整的地平面,这种端接电阻是否多余?希望大家能帮我解决一下心中的疑问,十分感激啊。
作者: jimmy    时间: 2013-10-15 10:55
串联一个电阻是为了解决信号反射和阻抗匹配。
作者: CUICHAOYUE    时间: 2013-10-15 11:33
我的意思就是当阻抗失配导致的信号反射引起的振铃,如果埋没于信号上升沿,请问这样造成的影响是否可以忽略?
作者: shenzhou8hao1    时间: 2013-10-15 12:53
不懂,围观等解答
作者: flyriz    时间: 2013-10-15 22:31
这问题专业,围观
作者: ajingge    时间: 2013-10-15 22:46
"由于阻抗不匹配导致的振铃将埋没于上升沿"      而根据信号完整性理论,埋没于上升沿应该在上升沿的大约20%之内才不会影响,: W0 ?- P! T1 \2 P) ?# z
所以这边考虑的长度大概在400mil之内不需要考虑。
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当传输时间延时< 信号上升时间的20% 才几乎不需要考虑反射带来的影响~{:soso_e104:}
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希望对你有帮助。
作者: CUICHAOYUE    时间: 2013-10-16 09:33
谢谢大家的帮助!!
作者: zhangyalin    时间: 2013-10-16 09:37
ajingge 发表于 2013-10-15 22:468 ?& L# I+ i0 _+ _1 t* [1 w
"由于阻抗不匹配导致的振铃将埋没于上升沿"      而根据信号完整性理论,埋没于上升沿应该在上升沿的大约20 ...
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假设DDR2时钟为533MHZ,则波形上升沿时间估算为1/5/533us=0.375ns
. v4 p: l2 X+ c  B; ]楼主已经按1/5算了,我觉得楼主的说法是有道理的。我觉得只是为了更保险,一般会加匹配电阻。
作者: CUICHAOYUE    时间: 2013-10-16 10:37
ajingge 的说法应该是对的,我之前对上升沿时间估算为1/5/533us=0.375ns,其中的1/5是指上升沿约等于波形周期的1/5,是一种普遍经验值。  至于 6楼ajingge 说的1/5是指上升沿的1/5相当于 1/5*0.375ns=0.075ns , 0.075*6in=450mil,再保险一点取值就是低于400mil 的长度,振铃将可以埋没于上升沿,嗯,回去查看书籍再看看,再次感谢大家的帮助。
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作者: willyeing    时间: 2013-10-16 11:12
CUICHAOYUE 发表于 2013-10-16 10:37
4 j+ H7 U# i5 G  kajingge 的说法应该是对的,我之前对上升沿时间估算为1/5/533us=0.375ns,其中的1/5是指上升沿约等于波形周 ...
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看李玉山的那本信号完整性翻译书原著是ERIC博士,里面有说明的。具体在那一页忘了。




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