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标题: 关于DDR3 时钟线上的电阻电容的作用 [打印本页]

作者: czypf 时间: 2012-12-7 16:24
标题: 关于DDR3 时钟线上的电阻电容的作用
各位大侠：
请教一个问题，关于DDR3 时钟线上的匹配电容，这个电容的作用。我现在做的是4片DDR3，一般情况下去掉C63这个电容或者上这个10pF的电容，DDR都能跑起来，速度的话跑480M也没有问题，但有时候，某些PCBA上就需要匹配这个电容，加上这个电容可能效果不怎么好，去掉效果更加。有时候某些板却要匹配更小的电容，才能下载。关于这个问题，一直很困扰我。有两点很困惑：

1、这个电容的作用，电容的大小对DDR的影响？

2、为什么某些PCBA需要去做这样的匹配，DDR才能跑起来，并且电容的值还不一定相同？

对这部分电路确实还是很迷惑......

image001.jpg (28.25 KB, 下载次数: 11)

作者: xin_515 时间: 2012-12-7 16:31
我的理解是消除差模干扰

作者: part99 时间: 2012-12-9 18:19
1. 这个电容主要是消除DDR CLOCK的OVERSHOOT AREA, 以满足JEDEC的要求；
2. 我觉得去掉这个电容，DDR都能跑起来，只是overshoot多了一些，内存芯片热一些的区别，这个电容应该放在内存的接收端，而且，如果480Mhz的DDR3，以我的经验来看10p还是大了一些，应该3-5pf会好一点，大了就有点过了。电容当然和频率有关系，不同频率用的值应该不一样，具体值要看测试结果。

作者: qiangqssong 时间: 2012-12-10 15:04
个人认为此电容与前面电阻一起构成L型滤波电路,可以滤除一些高干扰和高频过冲等,使信号时钟信号波形更好!!!

作者: czypf 时间: 2012-12-11 23:14

xin_515 发表于 2012-12-7 16:31
5 _& W ^& d' L5 H0 D! A我的理解是消除差模干扰

哦，那电容的大小取值方面有什么讲究么？

作者: xin_515 时间: 2012-12-12 09:17

czypf 发表于 2012-12-11 23:14
3 }7 f8 ]; E- N* G; \) v哦，那电容的大小取值方面有什么讲究么？

应该就是几PF就可以了。

作者: Randy1022 时间: 2012-12-20 09:23
文章不错，学习了！

作者: qqtolm 时间: 2012-12-24 12:58
了解一下，深度不懂

作者: 749879904 时间: 2013-1-2 17:23
学习了

作者: panadol 时间: 2013-1-10 00:32
多谢分享!

作者: willyeing 时间: 2013-1-10 11:30
各位我认为电容它就是个随着频率改变的阻抗，给不同频率成分做了不同差分匹配呀，频率越大，意味着容抗越小呀，想想大家应该能明白是咋回事，不想电阻跨接，它是全频段的。

作者: 278529735 时间: 2013-1-11 08:42

part99 发表于 2012-12-9 18:19 8 Z* ^8 \8 E4 j% [* X0 C
1. 这个电容主要是消除DDR CLOCK的OVERSHOOT AREA, 以满足JEDEC的要求；
1 L$ i- e2 M! \+ |& k h: b2. 我觉得去掉这个电容，DDR都能跑 ...

我们一般在CLK上是串R，在两个差分线上预留一个位置，不过不是放C，而是放R，做到阻抗匹配。特别是两层板的时候。

作者: 木易紫水晶 时间: 2013-1-12 15:30
电容应该是消除差模噪声，而电阻如果是串联的话应该是满足阻抗匹配。如果是上拉，那就是ODT,(这个是用于memory down的情况）；

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