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标题: MOSFET热失效 [打印本页]
作者: LinGou    时间: 2025-11-13 19:37
标题: MOSFET热失效
拓扑结构是全桥+ h- u" `4 g1 D  x$ ^9 ^; I8 d

. ^1 z! `( `' @1 q' P0 a4 ?" _ + t% ^; V- d+ Z) e

  ?; t* [& k, f. ?9 C+ N" S; V6 s! h% q4 R$ ?* ?
损坏现象是过流烧坏% l2 z' A$ g# S+ t/ T, j  \
, h% T, w8 m3 }' R/ E8 e$ g
# i/ X6 K6 R0 \( b, |
示波器捕捉MOS管在浪涌施加时的VDS，VGS和电流变化% h4 D( F0 H" C6 e; @+ O8 a
1.QS1导通时，IS1没有很大变化，在QS1关断时，IS1突增（79A）超过MOS的规定限值（51A）。
3 h0 a5 S; W. I" N/ p8 D" \! s   脉冲电流是那里来的，是浪涌电流吗？这是导致MOS烧坏的原因吗？但是实验很多次都没有烧坏MOS。
1 M. e" _! F6 Z. C( y. G) W $ k2 T( R$ \0 `; P- K. R: T

- R  N# u: c8 P2.有时还能测到非常大的反向电流（-193A），我自己分析的结果是：可能是MOS管DS并联的压敏在吸收浪涌能量产生的。" P/ F+ H0 z( M3 {7 i7 t
   这个电流值已经远超体二极管最大电流，但测试很多次任然没坏。
  g1 y6 `- k+ V( ^6 D) P  不知是否与MOS的散热有关，实验测试MOS是暴露在空气中的，损坏时是被包裹在外壳内的导热胶里。
' @2 z6 Y' s/ s! m: s1 g) [: k
, q  }* s. ~! f3 [0 k

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d748a77f6b09ce4d1aeaf879ec265b5e.png
作者: Sleep_xz    时间: 2025-11-14 16:42
MOSFET可以找手册的典型电路测一测
作者: LinGou    时间: 2025-11-17 14:09
上面两个是晶闸管，下面两个是MOS，都是芯片输出PWM给到对应的管子。; \" c. u2 Q- }1 s; A# U
测试是在浪涌发生器模拟浪涌的条件下测试的，所以怀疑前面的脉冲电流是因为管子关断不及时产生的浪涌电流。
5 X- F* B6 [( H6 b" y& @6 xMOS管的浪涌防护是DS并联压敏电阻（Vac：300V V1ma：470  10/1000us）
) S* x0 O( n+ c- x2 G5 |* D
作者: 超級狗    时间: 2025-11-17 15:53
本帖最后由 超級狗 于 2025-11-17 16:12 编辑 / u6 R* ^* T5 S2 L# G$ F$ e7 A
LinGou 发表于 2025-11-17 14:09) e# T* J* Y# R2 N, Z1 G$ w
上面两个是晶闸管，下面两个是MOS，都是芯片输出PWM给到对应的管子。
  H: k" F% P1 U, f5 N" o, A测试是在浪涌发生器模拟浪涌的条件下 ...

. O% i* E# X# W8 W- S2 M; A7 m1 l: W, v- F& \( B

$ C- R/ ?7 v( A9 q" _7 l/ g0 ?- T
2 x/ l/ ?( e: t1 X
作者: huo_xing    时间: 2025-11-17 19:07
LinGou 发表于 2025-11-17 14:09! E! ^: s7 V; P
上面两个是晶闸管，下面两个是MOS，都是芯片输出PWM给到对应的管子。; r3 h% L8 c& q* M& g
测试是在浪涌发生器模拟浪涌的条件下 ...
. W% {7 U# j) ~! O* v- d
晶闸管和mos的参数特性决定了晶闸管比mos开通慢很多。
# K" k. ~' z" D& {还有，看你上桥用的光耦驱动，光耦参数是否能满足要求?
5 e" L% Y" P% a4 n优先怀疑上下管直通了。* M4 t6 S, A! J7 Y% ]# o
作者: 超級狗    时间: 2025-11-18 07:43
本帖最后由 超級狗 于 2025-11-19 14:33 编辑 ( A1 P& c2 G  @
huo_xing 发表于 2025-11-17 19:07
6 a2 v2 V3 Z, v" n+ A0 m晶闸管和mos的参数特性决定了晶闸管比mos开通慢很多。
+ ]$ U) _6 H& h0 L9 N  o; o还有，看你上桥用的光耦驱动，光耦参数是否能满足 ...

  ^3 T3 {: ]1 i1 V9 l其實，晶閘管（SCR）相對之下是關斷（Turn-Off）時間慢，而不是開通（Turn-On）時間慢，參數表中的 tq 就是關斷（Turn-Off）時間。& v' q0 I5 k1 e% o7 r1 x
( _1 j  w" z# w2 p
除了龍大質疑光耦（Photo Coupler）特性是否匹配外，開關時間還要把光耦（Photo Coupler）的延遲（Delay）也算進去，只不過光耦（Photo Coupler）的延遲（Delay）相對低就是。
& U9 M; F7 d# G
; x0 b1 q: p; ?4 `1 x5 {: d這個架構看起來，是不太可能有什麼死區（Dead Time）控制了，炸到爽似乎也是天經地義。
" S# c6 o! w0 H1 [6 f- |- r9 o, h' Z
! ]7 q, Q7 [* W: T

/ T1 _$ f. u$ ~" d0 \( k
. N& ~! a" @. w, ^' o) p& J; M

Littelfuse S8008D tq.jpg (53.41 KB, 下载次数: 0)

Littelfuse S8008D tq.jpg

Littelfuse Sxx08xSx-Sxx08x.pdf

835.13 KB, 下载次数: 0, 下载积分: 威望 -5

Littelfuse Sxx12x.pdf

694.91 KB, 下载次数: 0, 下载积分: 威望 -5

作者: 超級狗    时间: 2025-11-18 08:07
超級狗 发表于 2025-11-18 07:43
) Z4 o' U0 l! Q& r; A4 j其實，晶閘管（SCR）相對之下是關斷（Turn-Off）時間慢，而不是開通（Turn-On）時間慢，參數表中的 tq 就 ...

* p% p* F& r' ~人工腦殘（AI）舉了一個晶閘管（SCR），導通電流（It）對關斷時間（tq）影響的範例。' B' H& ?% [# V; _. V
* [. D8 V2 w' d4 X5 x
* m: L8 M' j' G" ?1 f, Y( D0 t0 I
導通電流（It）
關斷時間（tq）
2A
8µs
10A
15µs
50A
30µs ~ 50µs

/ J9 ?2 R: O+ g& U, y  @
越高電流 → tq 增加 2 ~ 4 倍都常見。( ?! q- y5 i3 H- @& |0 k( m- }6 w

; K) @! k9 r6 }

# f  }9 h# F, y- B% s( W
作者: 超級狗    时间: 2025-11-18 08:18
LinGou 发表于 2025-11-17 14:09
2 H  x$ W; S. k: `$ o0 l6 }& c上面两个是晶闸管，下面两个是MOS，都是芯片输出PWM给到对应的管子。0 L" o& Y# ]* o
测试是在浪涌发生器模拟浪涌的条件下 ...

( B8 q# N9 u7 n1 W3 C; Y爺死踢（ST）晶閘管（SCR）參數詳細解說！
2 c8 H9 c- F+ \
, h" O' }0 G; Z& e! V# C

an2703-parameter-list-for-scrs-triacs-ac-switches-and-diacs-stmicroelectronics.pdf

269.71 KB, 下载次数: 1, 下载积分: 威望 -5

作者: huo_xing    时间: 2025-11-18 09:31
超級狗 发表于 2025-11-18 07:43
2 h( ]3 {* B) u其實，晶閘管（SCR）相對之下是關斷（Turn-Off）時間慢，而不是開通（Turn-On）時間慢，參數表中的 tq 就 ...
# A- W) F. D' T# T. U
关断时间道理也一样啊。但是晶闸管开通时间不慢以前是不知道，涨见识了。在上管关闭，下管关断工作情况下。上管关闭慢了，下管正常开通结束是不是也是短路？
- L( S) r/ g8 v3 k9 _, e. @* s1 b# U+ ~6 j' z$ M* ]' j- I
! L2 ?1 \. r  t) C
作者: LinGou    时间: 2025-11-18 14:02
超級狗 发表于 2025-11-17 15:53
  • 就是要知道是什麼樣的芯片產生的 PWM？上臂（High Side）和下臂（Low Side）有做死區（Dead Time） ...
    • 6 F7 i5 }. W& J6 H5 j9 P( ^
    死区保护是有的，晶闸管使用的是S8012D，光耦使用的是TLV-3053，
    $ J) l9 i. A  o4 O7 ^: i
    作者: 超級狗    时间: 2025-11-18 14:30
    LinGou 发表于 2025-11-18 14:02
    5 Y+ b, ^8 k1 {9 k9 o: k! M5 C死区保护是有的，晶闸管使用的是S8012D，光耦使用的是TLV-3053，
    4 R$ D5 I( L/ L
    有死區（Dead Time）保護還要看是怎麼做的？不是有就過關了！: }) i8 t8 {2 A) m

    1 B0 m0 z$ t9 g/ \晶閘管（SCR）的關斷（Turn Off）時間被電流的影響變化很大，如果裕度不夠、電路照炸不誤。
      J0 [( T5 g6 y9 ?" D1 n( W' w
    , h3 R9 P- h. N; ZLittelfuse 的規格書中的 tq 只有某個電流的參考值，不是該電流值、根本沒有依據。3 N  G! h: Q0 z

    8 L+ P& L5 u) ~& m' b. ]1 b1 C再則使用 PWM 是多快頻率？最大佔空比（Duty Cycle）是多少，沒算好都會造成致命的失誤。+ t6 y, i! P/ x+ O& o( G

    " Q5 Q, l- P: d! x3 g
    - X7 q. N; D# i+ k" k2 Q& j4 Y/ J6 Y4 w
    作者: 超級狗    时间: 2025-11-18 14:34
    本帖最后由 超級狗 于 2025-11-18 14:39 编辑
    - B+ a0 F/ |. r2 g: _  |
    LinGou 发表于 2025-11-18 14:02+ f7 M# z3 e2 v2 z2 M$ q7 M) V
    死区保护是有的，晶闸管使用的是S8012D，光耦使用的是TLV-3053，

    : K( {7 w7 L& {  m你用晶閘管（SCR）當開關有一個缺點，因為關斷（Turn Off）時間需要很長，控制訊號是關了、但通道有沒有完全關閉，全橋（Full-Bridge）動作從示波器上根本看不出來。# j2 q3 \( E/ l% [6 b2 I$ H  s! M) n
      l8 i# f: w3 x- I1 T
    我們只能從樓主提供的波形，合理猜測應該是上臂（High Side）和下臂（Low Side），導通的時間有重疊。
    9 u9 l% @1 c0 u9 G' M! c. ]
    + }7 V1 t3 ~/ j$ L2 e5 L0 g: S" D- V9 c4 @4 ?
    作者: 超級狗    时间: 2025-11-18 15:01
    本帖最后由 超級狗 于 2025-11-18 15:24 编辑 ; d) h4 }: h+ _+ ]4 R
    LinGou 发表于 2025-11-18 14:02, p5 d0 Y: V. j% t$ v$ |9 v
    死区保护是有的，晶闸管使用的是S8012D，光耦使用的是TLV-3053，

    8 Y' `7 c& M% w  f  C; g! g其實昨天人工腦殘（AI）有提到這一點：
    % i" L6 D- E. s% E2 Q5 P) a晶閘管（SCR）作為 PWM 調控，頻率最好 < 1KHz，太快晶閘管（SCR）會反應不及！7 Q5 o3 u# I* S4 z5 S

      {5 y7 I. Z+ y8 t; s9 r9 Z這是網路上一份模組的規格書，可以參考！' {+ _" k$ p% I8 C% A- ~
    9 |( S* J  ^0 y& m

    5 L1 F; _2 U2 W* c6 L- C/ D+ A3 g5 T( Z

    0 B& d+ C" f, F" R

    YYAC-3S Thyristor PWM Controller 220V Specification.jpg (71.07 KB, 下载次数: 0)

    YYAC-3S Thyristor PWM Controller 220V Specification.jpg

    YYAC-3S Thyristor PWM Controller 220V.pdf

    893.2 KB, 下载次数: 0, 下载积分: 威望 -5

    作者: 超級狗    时间: 2025-11-18 15:12
    LinGou 发表于 2025-11-18 14:028 P* W% i+ u7 z# c1 \- s
    死区保护是有的，晶闸管使用的是S8012D，光耦使用的是TLV-3053，

    $ ~; W$ o2 ]6 L# i' w& T6 {* y剛才問了一位老同事，他以前也用晶閘管（SCR）做電磁閥（Solenoid）的全橋（Full-Bridge）控制。
    * O: J+ t4 r8 a- C  u' D  L3 o8 j5 ?& X& i
    初期軟賤沒調好死區（Dead Time）時，經常在炸！, b$ V6 T% j* d- g: ~

    ' y" x, P, F( Q3 i" [0 |# |
    作者: huo_xing    时间: 2025-11-18 18:59
    LinGou 发表于 2025-11-18 14:02
    7 o2 o0 ^6 O" K死区保护是有的，晶闸管使用的是S8012D，光耦使用的是TLV-3053，
    : _8 {2 L" t9 O2 s- A* a
    问题关键是死区时间是根据什么来的，是晶闸管还是mos。还有我了解的晶闸管开关频率不能和mos相提并论的，别按mos要求调pwm频率了
    / A8 Y. h& f& a* u- p
    . o9 u% Z7 g/ a( b" C" g
    作者: LinGou    时间: 2025-11-18 19:13
    超級狗 发表于 2025-11-18 14:306 A0 `; i# e# C6 }0 H
    有死區（Dead Time）保護還要看是怎麼做的？不是有就過關了！
    + ?5 h9 ^3 s! ]( J  u% T. d# |1 o
    晶閘管（SCR）的關斷（Turn Off）時間被 ...
    ) B. j" p% ~4 B3 R- y$ Y* @
    其实产品是相对稳定的，只是在客户端会有个5-10%的故障率，故障现象就是交流侧异常了，对客户寄回的一台样品拆机分析是上管和下管损坏保险丝熔断。但是目前也没找到原因。9 [  K  H9 h! k" C2 P' ^4 j
    作者: 超級狗    时间: 2025-11-19 08:16
    本帖最后由 超級狗 于 2025-11-20 15:18 编辑
    % O* A# p1 I$ Y
    LinGou 发表于 2025-11-18 19:13- U& f& ]" r/ `5 `9 M
    其实产品是相对稳定的，只是在客户端会有个5-10%的故障率，故障现象就是交流侧异常了，对客户寄回的一台 ...
    + j6 p- _% t# i. k
    狗弟僅能給樓主幾個看法：, P0 E' g8 D1 f
    1 }: }& z$ d+ g% _" _
    7 h  r/ _; k" H4 U" t
    作者: 超級狗    时间: 2025-11-19 08:37
    LinGou 发表于 2025-11-18 19:13
    / ?9 E! M4 t% ?6 G4 _1 a其实产品是相对稳定的，只是在客户端会有个5-10%的故障率，故障现象就是交流侧异常了，对客户寄回的一台 ...
    , x( }2 ~4 {7 i& x" [

    3 J* `% x3 F: m  u6 u* k( o  E* g晶閘管（SCR）供電瞬間，如果電壓上升斜率（+dV/dt）過大，會有誤導通（False Turn-On）的現象，宜使用 RC-Snubber 電路保護。
    3 H9 J1 h  R  K8 z5 D4 F
    5 x8 H  w2 N9 y+ m6 f! g4 [僅提供一種思維，看操作上有沒有這種危險性。
      R3 n: x7 y. ?, U6 J+ k5 D+ N9 j) a7 [, P6 c* ^' q. f+ \4 E0 k
    Silicon Controlled Rectifier (SCR) - MADE EASY& a* Q: Q& d7 I2 k0 E

    # g9 b- A& ]. ^) Z0 @- ^3 ~
    1 S5 A' X  L: d8 ?. ?- J  q

    SCR RC Snubber Protection.jpg (32.46 KB, 下载次数: 0)

    SCR RC Snubber Protection.jpg
    作者: 超級狗    时间: 2025-11-19 09:32
    本帖最后由 超級狗 于 2025-11-19 09:35 编辑
    4 C! Q/ p6 B  D, t: H% @- j0 z- k
    LinGou 发表于 2025-11-18 19:13
    7 Z2 u+ A$ |$ `- W* N/ P! o其实产品是相对稳定的，只是在客户端会有个5-10%的故障率，故障现象就是交流侧异常了，对客户寄回的一台 ...

    # K  m9 s0 C- H) d% l( s輸出接點（或電機）可並聯一些電路，抑制電感性負載（Inductive Load）產生的反驅電動勢（Back-EMF）。7 [6 `4 C4 d5 O, R
    4 A; Y! S  x6 |7 K4 ^3 i/ O
    樓主的應用電壓會反轉，算是交流（AC）應用，必須是雙向保護（Bidirectional Protection）的方式。
      F, `  {! ~( q6 ]$ M" F7 K+ @+ z& J1 a8 ^+ K, t& K0 [$ w0 `

    : z3 Y& R( J. Y/ b

    Back-EMF Protection.jpg (27.22 KB, 下载次数: 0)

    Back-EMF Protection.jpg

    vn01.pdf

    150.85 KB, 下载次数: 0, 下载积分: 威望 -5

    作者: 超級狗    时间: 2025-11-19 11:47
    LinGou 发表于 2025-11-18 19:13' }# H9 I6 b! T: o( O: Q
    其实产品是相对稳定的，只是在客户端会有个5-10%的故障率，故障现象就是交流侧异常了，对客户寄回的一台 ...

    ! a( m7 z5 T+ v0 ]" @* F有此一說：
    : A4 R" q" B4 f電感性負載（Inductive Load）的反驅電動勢（Back-EMF）會導致晶閘管（SCR）誤開啟（False Turn-On）的問題。
    ' V8 m0 O; v6 c1 r
    9 M% {6 H) O% W& u; o5 h8 ~SCR False Turn-On Issue
    ; J: I. T9 J' }/ S
    : P  c2 \1 q7 q  g! t5 c6 e) t
    / d0 [. Y8 A2 F& ?# S9 o* D# [( y1 |. i" x
    作者: 超級狗    时间: 2025-11-19 13:38
    超級狗 发表于 2025-11-19 11:47
    & I$ `' [! P$ @3 ~有此一說：
    9 n- u* A1 X$ N7 F7 g( Q0 G' h電感性負載（Inductive Load）的反驅電動勢（Back-EMF）會導致晶閘管（SCR）誤開啟（False T ...

    & n5 P$ n2 z0 T爺死踢（ST）的技術文檔有提到！5 Q5 M2 T* \' v4 N1 \0 t6 E2 h

    0 [+ r8 p+ i2 J! L, n: u

    SCR Overvoltage Limitation at Turn-Off.jpg (81.79 KB, 下载次数: 1)

    SCR Overvoltage Limitation at Turn-Off.jpg

    an437-rc-snubber-circuit-design-for-triacs-stmicroelectronics.pdf

    2.25 MB, 下载次数: 0, 下载积分: 威望 -5

    an1172-a-logiclevel-transientvoltage-protected-ac-switch-stmicroelectronics.pdf

    3.62 MB, 下载次数: 0, 下载积分: 威望 -5

    作者: LinGou    时间: 2025-11-19 13:44
    超級狗 发表于 2025-11-19 08:160 \- i0 l! m1 E/ j$ K: i
    狗弟僅能給樓主幾個看法：
  • 5% ~ 10% 的不良率算很高了！根據描述所謂的穩定是在實驗室裏面，到了客戶 ...
    • ( a( y# K, x3 m3 I, |' W
    2.您猜测的和我差不多，因为在客户端损坏没有规律，功率大小，温度大小都没什么规律。
    " i0 i: a$ T! ^% [# {( v9 x3.我之所以猜测是压敏电阻的电流是因为我测试了流过压敏的电流，和MOS的反向电流走势非常像，且大小也相似。2 Q/ D; ^8 p  B* f8 a' M/ L& P
    4.死区时间大概130-150us是根据锁相的角度值来的。
    8 h- ?: f. |& N4 |, V
    作者: 超級狗    时间: 2025-11-19 13:59
    本帖最后由 超級狗 于 2025-11-19 14:08 编辑
    5 E( r0 x6 S& j* l" x
    死区时间大概130-150us是根据锁相的角度值来的。
    7 B7 X3 r9 K; d% ^1 W2 p" P5 [
    個人是覺得太短，你可能要搞到 ms 級別。
    7 A7 [+ m- \3 ]( R1 F7 J2 t4 e6 j) w( ]) ?- A
    你看喔～光規格書就講是 tg 是 35μs 了，而人工腦殘（AI）又說它會受到電流、溫度...等其它因素影響，增大至 2 ~ 4 倍是很正常的，目前的值光看就有點危險。/ _# _& l1 P' |- G2 _/ k
    / r- k: Y: b- P2 v
    另外為了保險，電機關斷（Turn-Off）瞬間產生的反驅電動勢（Back-EMF）最好也抑制一下，不要放任它在那邊衝擊。7 H% r$ @! e7 g: l% \

    / b. P0 r4 @' u/ v; s謹此建議！. R: u( z% y. E* q, k0 p
    7 T% C8 B0 i7 b- T- \. |( f
    作者: 超級狗    时间: 2025-11-19 14:23
    本帖最后由 超級狗 于 2025-11-19 14:27 编辑 4 \* u1 `1 Y+ f  I' p5 E" Z
    超級狗 发表于 2025-11-19 13:591 ]5 p+ M( Y+ j2 n6 b
    個人是覺得太短，你可能要搞到 ms 級別。
    4 T8 k0 z/ q1 W, |; c/ s3 V3 B* ^' |# Y  N: l2 }; F
    你看喔～光規格書就講是 tg 是 35μs 了，而人工腦殘（AI） ...
    3 y  V1 x& i) h+ e( \+ j) }
    另外一個觀察，市售晶閘管（SCR）的 PWM 模組，最高頻率為何只建議 500Hz？% Q6 ]0 h  H1 r8 C

    3 Q' T0 r8 W3 I) d因為它的開關速度根本沒那麼快，而 1ms 相當於 1KHz 的週期，這點也符合人工腦殘（AI）建議，工作頻率要 < 1KHz；所以死區（Dead Time）拉到 ms 似乎也合理。
    " G  ], m8 a8 W' r. z8 p/ e$ _5 h, e+ G* O

    7 M8 F2 c) V& ~5 O
    作者: LinGou    时间: 2025-11-19 15:34
    超級狗 发表于 2025-11-19 13:59+ R- D7 b7 R& W$ p8 C4 f& O  K
    個人是覺得太短，你可能要搞到 ms 級別。' G* R5 I' a0 P) Z) b: v
    3 _( s4 f! o; n& e
    你看喔～光規格書就講是 tg 是 35μs 了，而人工腦殘（AI） ...

    " F1 d, @7 \6 y. Z/ Z; }$ S我们产品没有电机，我也没测到反电动势，我们是做微型逆变器的
    & h* {& t, l; M$ N
    作者: 1597689180@qq.c    时间: 2025-11-19 16:12
    好好学习！好好学习！
    作者: 超級狗    时间: 2025-11-19 17:41
    本帖最后由 超級狗 于 2025-11-20 16:44 编辑
    ' \$ V9 t/ P9 c2 P6 q6 T; k
    LinGou 发表于 2025-11-19 15:34
    2 M4 Z" `; y& Q5 w4 ?) M我们产品没有电机，我也没测到反电动势，我们是做微型逆变器的
    + F1 A! Y/ i2 c* l9 n% C% \
    參數定義
    % b, i  v+ E8 t: k這些參數光看都覺得很恐怖！  p6 d" F8 ?2 f- U& E! a) H
    3 Q+ {. J' c- T/ S2 d4 e3 @
    (dI/dt)c: l3 B2 E& _+ j- _
    This is the maximum rate of decrease of the anode current allowed to turn the Triac off. Above this value, the Triac can remains ON in next reverse polarity. For standard, logic level Triacs and ACSs, the (dI/dt)c is specified with a limited (dV/dt)c parameter. For Snubberless Triacs, this value is specified without it.
    ' F2 k" c* U# {' A
    7 z" p  E' |  f" d(dV/dt)c
    ; C" A* N3 n* W' I3 Y2 o1 _  u1 [Critical rate of rise of commutating off-state voltage This is the maximum rate of rise of the reapplied voltage during turn-off. Above this limit, the Triac may remain ON without any gate current.9 s0 x" P$ g" P* ?
    5 \' R1 k7 F) ^) a
    - w: O: G; a' j) `' ]' B* Y& @1 p4 ~& Q
    " P, @- J0 s" o2 N: N! x
    作者: 超級狗    时间: 2025-11-20 07:32
    本帖最后由 超級狗 于 2025-11-20 13:32 编辑
    4 F& y3 g- J/ ^# z# k
    LinGou 发表于 2025-11-19 15:34" m. h9 I) i# {0 ?. S
    我们产品没有电机，我也没测到反电动势，我们是做微型逆变器的

    5 j9 a: d" t: Q& e8 i$ h5 b. U9 |6 n樓主：3 R/ b) R: {) }
    我請教一個問題！如果微型逆變器（Micro Inverter）的輸出是饋入電網（Grid）中，那麼洗衣機、冷氣機、電冰箱...這些帶電機（Motor）的家電、還有水塔的幫浦，算不算你的電感性負載（Inductive Load）？
    # e  O7 l% Q% G0 [$ g1 S5 j0 k$ O5 [7 b8 _2 [7 S
    如果是，萬一客戶還搞家庭生產或小型工廠，還有沖壓機、印刷機、攪拌機...這些機具的話。, _& X6 I7 ~- G9 k9 X# k

    0 G9 @8 i( r, c* w3 v4 t0 ^2 b; T! Y9 q- ]( {
    0 R1 Y& o3 _1 H8 e4 x% P$ T
    3 B/ s9 S" j$ j/ Y

    7 V, s/ {$ `+ d( ~# ?7 p/ b

    Micro Inverter.jpg (27.31 KB, 下载次数: 0)

    Micro Inverter.jpg
    作者: 超級狗    时间: 2025-11-20 08:24
    LinGou 发表于 2025-11-19 15:34
    9 T7 t9 v& S' H9 z; b, n我们产品没有电机，我也没测到反电动势，我们是做微型逆变器的
    $ u0 p( o( {6 q0 M
    樓主如果只炸 MOS 管的話，看起來還不算太慘！
    4 a/ R4 d5 r" E1 i. U# X3 [" z: b% p1 D: g* d( D6 j! b5 }; m
    https://www.youtube.com/watch?v=R3RwGTqO_1M
    4 f. c, G( g) d, i* I! y6 w8 l4 }' F# a2 J( Z
    ' q& `5 J1 {' [. F
    3 d: ?& a1 `" r9 w; j# z
    5 ^4 C; K! W( j& s' N1 M

    ' J7 ^( a2 ~/ [9 V
    作者: LinGou    时间: 2025-11-20 09:55
    超級狗 发表于 2025-11-20 07:32& m, l8 C1 J. `6 |: k8 k2 Z
    樓主：
    9 _6 V. O$ H' d# n) E8 {9 A我請教一個問題！如果微型逆變器（Micro Inverter）的輸出是饋入電網（Grid）中，那麼洗衣機、冷 ...

    8 o- _2 A1 K" @$ F/ y. v是的，之前我也考虑过，但是没有办法模拟，公司也没有洗衣机
    作者: 超級狗    时间: 2025-11-20 15:02
    本帖最后由 超級狗 于 2025-11-20 15:23 编辑
    6 F; `) \! u( n( R2 n# W% f
    LinGou 发表于 2025-11-20 09:552 f8 G  I6 H- g; }
    是的，之前我也考虑过，但是没有办法模拟，公司也没有洗衣机
    ' i3 k  _5 d5 M- o- |
    樓主：$ u% |# t1 N$ p! @3 |7 W
    根據您提供的資訊，感覺接近問題核心了。' v2 U9 y, x. s

    8 p- }3 b/ p. D9 U, v2 I$ P4 N2 I( R  U; V+ h- \7 G

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    Switching Inductive Load.jpg (35.62 KB, 下载次数: 0)

    Switching Inductive Load.jpg

    Switching Inductive Loads.pdf

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    作者: LinGou    时间: 2025-11-20 17:21
    超級狗 发表于 2025-11-20 15:02
    ; `% B5 e7 c1 h' o4 F樓主：
    3 d9 p7 X% O, R/ n2 X7 K) _根據您提供的資訊，感覺接近問題核心了。

    8 G7 C( K9 `5 }0 M" T6 _- Q其实交流侧是有几级浪涌防护的，第一级Ｌ，Ｎ分别ＭＯＶ＋放电管对地，第二级Ｌ，Ｎ之间ＭＯＶ＋放电管，第三级Ｌ，Ｎ之间ＭＯＶ。版本没更新前还相对稳定一些，有的运行个两三年都没问题，相比于以前的老版本，改动也就是针对ＥＭＣ改了滤波电路主要增大了Ｘ电容加了一级滤波
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