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标题: NMOS管导通问题。 [打印本页]
作者: 93657140    时间: 2025-11-11 17:27
标题: NMOS管导通问题。
哪位大侠帮忙看看，我照别人的驱动电路设计了一个开关电路，只要上臂的Q41打开。现在供电24V时，S极只有10V左右，测量G极有11V左右。
) c- G9 z5 F6 Z+ T' y5 K* W想知道为啥这个电路不行。Nmos没有完全导通5 O1 W! M; m- P$ L3 P! ~9 S

原理图.jpg (27.5 KB, 下载次数: 13)

原理图.jpg
作者: 硬件补丁    时间: 2025-11-11 17:47
你反思一下NMOS的S级为24V，你NMOS的GS满足打开条件吗？: R3 v9 t0 T8 N# u, Y. p
作者: 93657140    时间: 2025-11-11 17:51
硬件补丁 发表于 2025-11-11 17:476 Z- \0 @3 S. z5 E
你反思一下NMOS的S级为24V，你NMOS的GS满足打开条件吗？

, }/ \% ]/ P% q8 l) M+ g7 p1 c& I5 v是的，那我这个电路需要怎么改呢，原来这个电路是有下臂的，Nmso管到地。我把下臂去掉了，为啥上臂输出就不对了。% L  I, w' N) s  p) |
作者: myiccdream    时间: 2025-11-11 18:01
我觉得 你这个用法。 C282 没法完成自举 电容 得功能。
作者: huo_xing    时间: 2025-11-11 19:55
工作模式是开关还是pwm吗？这种驱动芯片是pwm的
作者: 超級狗    时间: 2025-11-11 21:57
本帖最后由 超級狗 于 2025-11-12 08:37 编辑
1 w, _. p3 ?: m0 Z  Z9 x4 q+ u* ]/ D2 y4 m. s" F
半橋電機驅動（Half-Bridge Motor Driver）若只使用其中一臂，建議使用下臂（Low Side）。  `7 Y$ L$ ~7 \+ e, V0 d/ Y2 l

2 l) [% G9 s( F& x從電路可以知道，自舉（Bootstrap）電路透過電容提高電壓，所以只能做短暫提升，當佔空比（Duty Cycle）較大時，有可能會撐不住。5 |' n& O9 u! }/ [) E. @. `
! J! R+ G  C6 U% X- U- y$ Q* _6 E
這種狀況只能選擇內建電荷泵（Charge Pump）的電機驅動（Motor Driver），才有辦法撐住長時間的開啟。" i4 E0 H, `; ?- a6 H5 g9 L
4 C- d$ |8 ~  F

( Y$ a" l- O7 C$ d( h" M
作者: 超級狗    时间: 2025-11-11 22:08
TI DRV870xD-Q1 內建電荷泵（Charge Pump），強調支援 100% 佔空比（Duty Cylce）。
* p: `' H7 J1 w9 k7 t3 H1 c" B0 ^  e  P; j
1 q1 K6 }4 p# A8 j" o5 t
5 E3 L: b; e/ I* r$ A

TI DRV870xD-Q1.pdf

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作者: 93657140    时间: 2025-11-12 08:21
超級狗 发表于 2025-11-11 21:57% M  w1 [/ b- n9 ^+ c
半橋電機驅動（Half-Bridge Motor Driver）若只使用其中一臂，建議使用下臂（Low Side）。
6 r! c/ D% ~" ]2 ]: H2 y$ E/ A8 M) A* D3 p, ~0 i
從電路可以知 ...
! z: |- T6 ]* e9 Z2 Y7 @
谢谢！解释的很明白。膜拜大神。
4 b8 C; c4 K0 m7 u  F3 a) @1 n/ w
作者: 超級狗    时间: 2025-11-12 08:52
本帖最后由 超級狗 于 2025-11-12 08:57 编辑 1 Q+ ~% B) T, y2 G
93657140 发表于 2025-11-11 17:51  U2 u3 Y& x7 i5 e$ }8 _$ h
是的，那我这个电路需要怎么改呢，原来这个电路是有下臂的，Nmso管到地。我把下臂去掉了，为啥上臂输出就 ...

6 e+ ?, A7 W! s- D, @8 [; O嬰飛靈（Infineon）自舉（Bootstrap）電路原理解說及元件選擇：
' y! e+ b+ e: d1 J, l$ w* v# Y4 k自舉（Bootstrap）電路透過下臂（Low Side）導通時，對自舉電容（Bootstrap Capacitor）進行充電。" V+ E0 P2 y; N0 Z4 M0 T( _8 h, c

4 b3 m6 a& b5 L, o0 p  h' qBootstrap Circuit - Overview and Selection Guide2 V) b* [5 i# O) {7 }( D3 O

0 T5 v/ t4 }( B; \& P吾人畢生所學，盡傳予汝！
3 A7 b. E' v$ `  z8 ?6 a
! X$ {. c6 @' C7 D
9 O% `7 f* V$ K, m/ P1 k+ W
" ^$ x3 t- A9 T8 D狗弟真是個爛咖，一輩子才學這麼一點。
6 Q, X; V( R2 O" Q) m  p, V! |5 f( J5 A
7 A% C# T8 u7 L* f2 W  ?" U

Infineon Bootstrap Circuit Explaination.png (70.84 KB, 下载次数: 4)

Infineon Bootstrap Circuit Explaination.png
作者: 93657140    时间: 2025-11-12 11:15
超級狗 发表于 2025-11-12 08:52$ U: X6 c3 t% r: x0 P, L
嬰飛靈（Infineon）自舉（Bootstrap）電路原理解說及元件選擇：# B9 P& \" }3 S( ~  Q0 J5 K
自舉（Bootstrap）電路透過下臂（Low Si ...

( v: U0 S0 G8 M% y1 e谢谢大神的解释和给的建议，受教了。
0 ]) M8 p2 ?$ M
作者: H52022042775    时间: 2025-11-12 14:39
首先用在电源这一块儿需要用PMOS,  然后MOS管GS间需要接电阻，需要有一个放电回路
作者: huo_xing    时间: 2025-11-12 15:10
H52022042775 发表于 2025-11-12 14:39  T  `( ]. D$ n) p! k+ A
首先用在电源这一块儿需要用PMOS,  然后MOS管GS间需要接电阻，需要有一个放电回路
" q5 ~; P; T1 W  O7 S, y/ g. c
在电源端选nmos的唯一理由是内阻小。4 R% O7 s5 i' e9 o
作者: AAaa111    时间: 2025-11-12 18:08
你去看看NMOS管的导通条件VG>GS，你这个电路MOS管都不能完全导通。你想使用低压导通的话可以选用PMOS，配合NMOS一起使用，当开关管
作者: 超級狗    时间: 2025-11-13 08:47
本帖最后由 超級狗 于 2025-11-13 08:53 编辑
/ f! Q9 X+ V+ }1 ?# W- e1 V/ h
93657140 发表于 2025-11-12 11:15
* i, W7 f# K6 s% ~2 Z- G谢谢大神的解释和给的建议，受教了。

4 T& i: ^& p9 S, a補充資料
! B2 I6 p: a- ETop-Off Bootstrap and Bootstrap Charge Pump
7 g) a5 d, B9 Q: i/ a( e傳統的自舉（Bootstrap）電路，依靠下臂（Low Side）導通時對自舉電容（Bootstrap Capacitor）進行充電。當佔空比（Duty Cycle）太大、上臂（High Side）打開太久，自舉電容（Bootstrap Capacitor）會因電荷流失而撐不住電壓。於是芯片設計商發展出一種在上臂（High Side）導通期間，還能對自舉電容（Bootstrap Capacitor）補充電荷的方式，被稱為 Top-Off Bootstrap 或 Bootstrap Charge Pump。' \6 ]  `, e  i( I# |

  \; k6 {4 S6 q4 Z& x: E# f# M根據人工腦殘的說明，Top-Off Bootstrap 和 Bootstrap Charge Pump  是相同的電路或原理，差別在於 Top-Off Bootstrap 是對自舉電容（Bootstrap Capacitor）進行間歇性的充電；而 Bootstrap Charge Pump 則是對自舉電容（Bootstrap Capacitor）進行連續性的充電。& U/ w0 C  p* \. C6 I2 l

& h0 B0 c' }, [) G7 s: b0 \. P& g: ]: w; o2 p5 j/ F
作者: bazhonglei    时间: 2025-11-17 15:45
电路无法自举，提供不了驱动高压



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