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标题: 大电流模块短路试验 [打印本页]
作者: Chenmiking    时间: 2025-11-4 17:19
标题: 大电流模块短路试验
我有一个大电流模块，电流大概200A，需要六个MoS管并联，我有三个方案，一个方案是三个一组，分为两组，用两组开关去控制两组MOS管，每个mos管带独立的栅级电阻还；有一个方案是用六个开关去控制六个MOS管；第三个方案是用一个驱动信号去控制六个mos管，六个mos管都有独立栅级电阻，我想问一下，在做短路试验的时候，这三种方式，哪个更容易造成MOS管的损坏？
作者: Dcpc086397900    时间: 2025-11-4 20:04
我的看法是，有200A的mos，价格不贵，用一个，直接控制即可。
作者: 超級狗    时间: 2025-11-4 22:26
本帖最后由 超級狗 于 2025-11-5 09:18 编辑
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' i  s+ u; C- e$ ?爽乎？
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重點不在於你做不做短路測試，每個 MOS 管的特性都不一樣（開關速度、導通電阻...等），如果開關時間不一致，平時工作就有可能會往生，不用等到短路發生。, o% }! S5 r- f  q3 Y5 W
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, _, c% ~& ^2 R; K, A- g踢哀（TI）參考設計 TIDA-00364! d8 `& U, z' g  K2 Q

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5KW Power Stage Reference Design.jpg

slpa020.pdf

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作者: Dcpc103055205    时间: 2025-11-5 09:33
在短路试验中，方案三（单驱动信号控制六个 MOS 管）最容易造成损坏，方案二次之，方案一相对最安全。
作者: 超級狗    时间: 2025-11-5 13:11

9 _9 V' f  Q8 f虐死劈你呀（Nexperia）Current Sharing 技術介紹
9 K+ Q- }( H) u7 U5 y4 v5 `在并联两个或多个 MOSFET 以实现高电流能力和降低导通损耗的过程中，设计人员往往难以确保在导通与关断阶段，负载电流可在各独立器件间均匀分配。VGS(th) 值最低的MOSFET 会最先导通，进而承受更高热应力，可能会加速器件失效。为保障足够的安全裕量，工程师通常会对终端应用中所用 MOSFET 的规格进行过度设计。这种方式不仅会增加成本、消耗更多时间，还需开展额外的测试，但仍难以保证器件在高负载电流（数十安培级别）场景下具有稳定表现。另一种方案是向供应商采购经过筛选匹配的器件，但同样会增加终端应用的整体成本。 6 q. B6 z' M3 F- u. H6 Q2 _7 X0 Y

$ K- f7 h+ ~; h7 S% lNexperia PSMN1R9-80SSJ 和 PSMN2R3-100SSJ ASFET 凭借优异的特性和增强的动态均流功能，可帮助设计人员规避上述两种方案的局限。在导通/关断过程中，针对单器件电流达 50A 的应用场景，这两款开关能使并联器件间的电流差值减少 50%；同时，VGS(th) 参数差异范围缩小 50%（最大值与最小值仅差0.6V）。这一特性结合 1.9mΩ 或 2.3mΩ 的低 RDS(on)，有助于在功率开关应用中提升能效表现。 8 m/ v9 a( l0 _8 Y* B. k. r
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Nexperia专用MOSFET为高功率工业应用提供增强的动态均流功能 - 半导体器件（产品通报）－全球企业门户－产通网
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作者: Chenmiking    时间: 2025-11-5 21:13
超級狗 发表于 2025-11-05 13:11:52
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在并联两个或多个 MOSFET 以实现高电流能力和降低导通损耗的过程中，设计人员往往难以确保在导通与关断阶段，负载电流可在各独立器件间均匀分配。VGS(th) 值最低的MOSFET 会最先导通，进而承受更高热应力，可能会加速器件失效。为保障足够的安全裕量，工程师通常会对终端应用中所用 MOSFET 的规格进行过度设计。这种方式不仅会增加成本、消耗更多时间，还需开展额外的测试，但仍难以保证器件在高负载电流（数十安培级别）场景下具有稳定表现。另一种方案是向供应商采购经过筛选匹配的器件，但同样会增加终端应用的整体成本。
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Nexperia PSMN1R9-80SSJ 和 PSMN2R3-100SSJ ASFET 凭借优异的特性和增强的动态均流功能，可帮助设计人员规避上述两种方案的局限。在导通/关断过程中，针对单器件电流达 50A 的应用场景，这两款开关能使并联器件间的电流差值减少 50%；同时，VGS(th) 参数差异范围缩小 50%（最大值与最小值仅差0.6V）。这一特性结合 1.9mΩ 或 2.3mΩ 的低 RDS(on)，有助于在功率开关应用中提升能效表现。
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Nexperia专用MOSFET为高功率工业应用提供增强的动态均流功能 - 半导体器件（产品通报）－全球企业门户－产通网
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大神，你感觉这三种方式，哪一种更容易出问题啊？' Y6 ^3 y5 e  @  x
作者: 超級狗    时间: 2025-11-6 12:54
Chenmiking 发表于 2025-11-5 21:13! x2 P8 u9 [2 K. r
大神，你感觉这三种方式，哪一种更容易出问题啊？

- S+ W8 D7 L1 q. d' f其實這個問題可以視為，MOS 管 SOA (Safe Operation Area) 曲線問題的延伸，請看 Jacky 老師的帖子！
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MOSFET、 IGBT为什么会烧掉？ - 硬件设计讨论 - EDA365电子论坛网
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