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标题: 求问JEFT当作二极管时候的特性如何研究 [打印本页]

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作者: yangyang0521    时间: 2025-8-3 22:04
标题: 求问JEFT当作二极管时候的特性如何研究
在查看别人的电路的过程中看到有人把JEFT接成这个样子，这是怎么用的，在解释当中说的是当作二极管用使用

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作者: 超級狗    时间: 2025-8-4 07:48


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作者: 超級狗    时间: 2025-8-4 08:14

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超級狗 发表于 2025-8-4 07:48
6 T6 [0 M3 I7 Y7 n# pJFET as a Low Leakege Current Diode

原理說明

• 同一般雙載子（Bipolar）三極管，把 JFET 的源極（Source）和汲極（Drain）短路，閘極（Gate）和另外一端就只會剩下一個 p-n 接面（p-n Junction），這就是一個妥妥的二極管（Diode）。
• 又因為 JFET 閘極（Gate）的阻抗（Impedance），比雙載子（Bipolar）三極管的基極（Gate）大很多，所以會形成一個低漏電流（Low Leakage Current）的二極管（Diode）。
  

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2025-8-4 08:07 上传

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作者: 超級狗    时间: 2025-8-4 08:27


我問人工腦殘（AI）給我亂答一通，什麼緩衝器（Buffer）、跨組放大器（Transimpedance Amplifier）啦...全都來了！
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「盡信書不如無書，盡信人工腦殘（AI），真的會變腦殘！」

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作者: bazhonglei    时间: 2025-8-5 16:54
这个图可以说明

E4CF548E-F297-4a2e-B418-4CC2D7A7792E.png (131.88 KB, 下载次数: 3)

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