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标题: 怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来 [打印本页]
作者: QWE4562009    时间: 2025-4-7 19:03
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作者: 超級狗    时间: 2025-4-8 07:40
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 07:42 编辑
+ O: B6 U& ^1 d; X3 ^* f* [2 p
1 x8 w  l9 h  g6 ^7 R, m% V
MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：4 V$ w' z. v. F4 n
. q: p8 r7 Q) Q) X( s
V[sub]DS[/sub] ≥ V[sub]GS[/sub]​ − V[sub]th[/sub]​
. b. a8 l' @4 B0 y, h9 Y- l  h
其中：
' V1 h- o# e+ Q
作者: 超級狗    时间: 2025-4-8 07:48
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 07:56 编辑 # L" O6 {4 g9 G2 Z

4 l! Y( [; \  [/ D: ]" P暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！- x3 P# q! H9 _& G8 H+ ]/ j
( x. L- q# Y7 v. \; o
原文
! U2 {3 y' @5 I& S. tMOSFET saturation mode is defined as operation with high V[sub]DS[/sub], specifically where V[sub]DS[/sub] > (V[sub]GS[/sub] − V[sub]th[/sub]).
" E# f7 N( Y. B3 o% `1 ]  J/ b: s- N# w
3 }# q8 t5 O& L+ _) _
" y# d0 g& j9 M& }7 P) [

AND90187-D.PDF

1.91 MB, 下载次数: 13, 下载积分: 威望 -5

作者: huo_xing    时间: 2025-4-8 08:29
超級狗 发表于 2025-4-8 07:40' G) J* f: X$ g" q. d$ l6 h5 i
MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：8 Y% p, _7 l* k% A  f* k  R

$ f7 |6 |! y) e3 W8 p- W7 E9 OV ≥ V​ − V​
4 u$ y' E) x$ d: Z" m) c( V7 V
涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V- a6 ?7 h9 a8 I; X5 B: u
按这个说法，gs给10V，d没有电压不算导通吗？
8 ^/ t/ _7 w2 k; I% P8 E
作者: Dc2024101522a    时间: 2025-4-8 09:29
huo_xing 发表于 2025-4-8 08:291 N0 f/ l6 f4 D# p) _
涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
7 l7 w: D/ n8 N  `5 z/ d) W& X9 ~. K按这个说法，gs给10V，d没 ...

$ P4 p$ l+ P. t4 r$ j; W2 P' {通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流通能力达到最大，但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响
9 |+ J8 ~  S+ U$ c  I
作者: huo_xing    时间: 2025-4-8 09:34
Dc2024101522a 发表于 2025-4-8 09:29, ?2 [/ W- u  q
通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流 ...

% m. v" q- C- j* \0 b, ]8 b( r我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。. q  L9 ]+ t2 @- q
以nmos常规应用low side为例，导通后d和s都是gnd，没有电压的' |# j  m7 ~0 o4 a  w7 {
作者: myiccdream    时间: 2025-4-8 10:11
huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
$ g: j. E0 i; A3 d4 X' |我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
+ p3 }* w. v6 v7 |6 Q* C& v4 Q以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

/ |1 Y! u; p: W: R5 u. B( [# R* t你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。0 U( P5 O! z9 z0 x6 a
比如电子负载
) D6 k: t7 O7 S- l2 [- U- _" [; C
作者: 超級狗    时间: 2025-4-8 10:38
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 11:41 编辑 : o4 {, k* y4 m/ j
huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34- v+ F, u* s# R8 a/ v1 ?
我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。$ {7 x0 `/ U( v7 `
以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

) @6 T1 v1 q+ D  K3 _; pMOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。) `* a$ Y4 X! H; F4 o

" A+ C( q1 T$ }+ d6 x# [8 Y; }7 T( [: H了解這些參數是怎麼量測的，就能解開大家的疑惑。& o& H. G& f8 o

# ]# ]" v5 w7 x3 ~+ u7 _8 M) H狗弟收藏的這篇文章，能算是珍品！
1 k6 {0 d) G0 g( R/ Y. @
5 O; d' k* B3 B, U- x
: b% H2 s+ _3 W1 ?: y& v5 a

MOSFET Vds v.s. Id Measurement.jpg (34.86 KB, 下载次数: 16)

MOSFET Vds v.s. Id Measurement.jpg

1KW-60515-0 PowerSupply Design Poster.pdf

414.68 KB, 下载次数: 10, 下载积分: 威望 -5

作者: 超級狗    时间: 2025-4-8 11:01
本帖最后由 超級狗 于 2025-4-8 11:03 编辑
  P: O' D) w+ n. R8 k) d( q
超級狗 发表于 2025-4-8 07:48
  B$ Y. D7 r! X3 I暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！
7 [4 i# k7 L. P% A$ [1 C# O; n) `/ @- d4 D, i  Y+ i% g% H  [) n
原文
! b' G; j$ a! G. o. M- k
暗蝦密（On-Semiconductor）文檔裡面的這張圖，也是很不錯啦！
* v5 i$ H% w# a3 o2 P0 O
  [8 h7 U( A! w1 n
0 p$ K4 l! A3 v. W2 J% X/ @

Linear Region v.s. Saturation Region.jpg (46.94 KB, 下载次数: 10)

Linear Region v.s. Saturation Region.jpg
作者: 超級狗    时间: 2025-4-8 13:10
超級狗 发表于 2025-4-8 10:38- h" j( Z8 Q/ z6 l
MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。  J/ r, y; B* A* V
2 y) n; `  l4 H0 I
了解這些參數是怎 ...
% y- |2 Z% C: f+ }
好漂亮的畫面！, d: x  {7 v1 G8 Y7 a5 A
9 K+ n! x. t) Z" \

Keithley SMU.jpg (41.84 KB, 下载次数: 11)

Keithley SMU.jpg
作者: QWE4562009    时间: 2025-4-8 14:28
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作者: QWE4562009    时间: 2025-4-8 14:32
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
作者: huo_xing    时间: 2025-4-8 18:59
超級狗 发表于 2025-4-8 13:10
* l7 c) E: ]/ b4 r2 p- @好漂亮的畫面！
  T& j6 v% m! l$ z; |" `& o8 o1 ?
这些理论东西容易误导人，特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。
5 W; x/ I# c" V7 T/ m8 B实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通
# w+ u8 U/ E% e8 s! A' `
作者: Dc2024101522a    时间: 2025-4-11 14:31
myiccdream 发表于 2025-4-8 10:11
+ W  ]4 g' S# S9 |/ h你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
+ t. j# {: Y" k9 @比如电子负载

2 n  x6 o' P( k: D/ s+ T8 n# h, q% ~我其实也是这个意思，饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景，只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性
2 J* ^: u/ [$ [: v; @4 F" N
作者: clp783    时间: 2025-5-8 18:06
路过，看不懂。
作者: cailiu    时间: 2025-5-15 09:56
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗
作者: Jeff_11    时间: 2025-5-15 10:14
个人理解，量测NMOS的话，可以先给GS两端一个阈值范围内的电压。如果DS两端有电压，测量DS间的压降，看压降是否为0。如果DS没电压，测量DS间的电阻是否约等于Rds（on）。
作者: db-_-    时间: 2025-5-15 10:44
huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
9 X6 ^! d; B: X: a2 _# M我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
; h+ H5 b- t. u* s" J" t$ A以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

1 {+ _$ }+ }8 p) h; [Vgs > Vth后，Vds < Vgs - Vth 是线性区，Vds ≥ Vgs - Vth才是饱和区。
8 P# k8 \5 Q  i  s9 v- n



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