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标题: NMOS应用在高端，需要自举电容叠加电压才能打开NMOS [打印本页]

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作者: QWE4562009    时间: 2025-1-21 09:38
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作者: 八戒爱电子    时间: 2025-1-21 14:27
MOS在高端应用时需要自举电容叠加电压才能打开时，通常指的是在一个电路中，NMOS的栅极（G）电压需要高于其源极（S）电压才能导通。由于电路中的电源通常只能提供固定的电压，而NMOS的源极可能连接到这个电源电压或更高的电位上，因此需要额外的电压来打开NMOS。这个额外的电压通常通过自举电容来提供。

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作者: 超級狗    时间: 2025-1-21 14:31
N+P v.s. N+N Half Bridge
$ d6 O9 o1 B" A
' ]5 R6 v- X3 Q  Z- F
' q$ `9 C4 d/ L2 p

Half Bridge Configuration (N&P or N&N).jpg (58.57 KB, 下载次数: 10)

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2025-1-21 14:31 上传

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作者: 超級狗    时间: 2025-1-21 17:37


0 K2 \. ]  \% P5 ?1 dMOS 管的導通電阻 R[sub]DS(ON)[/sub] 很小，導通時 Drain 和 Source 的電壓幾乎是一樣的。
7 J* L: o+ Z: D% F
# i" L# o* G5 A, |3 O' I% XV[sub]HS[/sub] 是一個浮動的電壓，會隨上、下臂的開關狀態變化。

上臂驅動器（Driver）的電源是接 V[sub]HS[/sub] 【相當於驅動器的 GND】和 V[sub]HS[/sub] + V[sub]B[/sub]【相當於驅動器的 VCC】。
) R+ p. L9 @7 E$ q
3 ^7 {! O$ L, k1 G

• 上臂導通、下臂關閉
  % U! l) G1 m. c6 CV[sub]HS[/sub] = V[sub]BUS[/sub]
  ) L3 }" G) K8 M* Z# TV[sub]HO[/sub] = High = V[sub]HS[/sub] + V[sub]B[/sub] = V[sub]BUS[/sub] + V[sub]B[/sub]
• 上臂關閉、下臂導通
  0 P. U, A! N/ m% g2 r& HV[sub]HS[/sub] = GND
  V[sub]HO[/sub] = Low = V[sub]HS[/sub] = GND
  ; F4 _( J2 o" U4 J2 I" t$ z* Z1 H* @

" _+ ~6 o2 Z+ j+ {) ?7 V

4 u# a8 G$ B* B2 W+ l! T9 O
; t: }# R6 n; n4 n8 @

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2025-1-21 17:42 上传

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作者: Dc2024101522a    时间: 2025-2-8 09:00
哥们，
1、这是外置mos DCDC控制器，具体的输出电压是看高侧mos 漏极上的电压，而不是dcdc控制器的工作电压，实际就是200V
2、Nmos和Pmos虽然从原理上是对称的，但是由于实际工艺和材料的问题，导通电阻会不一样，我印象中Pmos的会比Nmos的大，而版主的图片也印证了我的记忆

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作者: 清浊葭    时间: 2025-2-25 15:17
上桥臂用PMOS，截止状态时候的自举更难设计吧。不加自举，驱动器最大只能输出15V，PMOS的Vs高达200V，Vg最大只能是15V，PMOS会一直处于导通状态

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