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标题: 放假前的三个问题，THX [打印本页]
作者: QWE4562009    时间: 2025-1-20 15:45
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作者: QWE4562009    时间: 2025-1-21 09:53
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作者: 八戒爱电子    时间: 2025-1-21 14:31
氮化镓（GaN）的优势主要体现在体积小和耐压高两个方面。氮化镓材料具有出色的电子迁移率和击穿场强，使得氮化镓器件可以在高频率和高功率密度下工作，从而大大减小了器件的体积。同时，氮化镓器件的耐压性能也很强，能够承受更高的电压而不被破坏。
作者: 超級狗    时间: 2025-1-22 08:05
本帖最后由 超級狗 于 2025-1-22 08:06 编辑 5 c" C0 T4 w, Y4 F$ B3 j
氮化镓的优势是体积小耐压高？内阻做不低的吗？
比爛的！
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XINGUAN XG65T230HS1B.jpg
作者: 超級狗    时间: 2025-1-22 08:06
氮化镓的优势是体积小耐压高？内阻做不低的吗？
比好的！
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作者: 超級狗    时间: 2025-1-22 08:12
氮化镓的优势是体积小耐压高？内阻做不低的吗？
氮化镓（GaN FET）的優點不只這些，你要自己發掘！
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作者: 超級狗    时间: 2025-1-22 08:25
氮化镓的优势是体积小耐压高？内阻做不低的吗？
幹菲特（GaN FET）介紹！6 e5 A6 ~8 X6 @9 F. _1 n
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小弟的菜英文，請大家忍耐一下。
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作者: QWE4562009    时间: 2025-2-8 09:29
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