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标题: 传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点？ [打印本页]
作者: QWE4562009    时间: 2025-1-11 11:29
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作者: awnatech    时间: 2025-1-11 17:46
与传统硅基半导体材料对比：
2 \) d. M( J8 zCOOLMOS、氮化镓、碳化硅和砷化镓在性能上均优于传统硅基半导体材料。它们具有更高的电子迁移率、更高的击穿电压、更低的导通电阻和更快的开关速度等特性。
作者: 超級狗    时间: 2025-1-14 13:09
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9 p: h  r7 t8 L国产MOSFET十大品牌产商你知道哪些？他们的实力又如何？
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