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标题: 这种复合管有两个NMOS 每组有两个D极却只有一个栅极G和一个源极S 哪个知道的科... [打印本页]

作者: QWE4562009 时间: 2025-1-9 18:26
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作者: 再见海贼王 时间: 2025-1-10 09:40
电源芯片上次过来说V结构的MOS散热一般放在D极，H结构可以在S极；不知道是不是这个原因。

作者: ybing12 时间: 2025-1-10 09:40
芯片手册肯定有应用电路，根据应用电路估计有突破口

作者: 再见海贼王 时间: 2025-1-10 10:19

再见海贼王发表于 2025-1-10 09:40
- I0 M; J; _' ~, C' P) y, s电源芯片上次过来说V结构的MOS散热一般放在D极，H结构可以在S极；不知道是不是这个原因。

我瞎猜的，不知道对不对，上次电源IC的来说放D极散热和EMI要权衡，GaN的H结构散热在S极就方便多的。狗门弄斧了

作者: QWE4562009 时间: 2025-1-10 10:59
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作者: QWE4562009 时间: 2025-1-10 16:33
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