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标题: 关于S参数和TDR的问题 [打印本页]
作者: 求知客白云    时间: 2024-4-22 15:39
标题: 关于S参数和TDR的问题
各位大佬，真心请教一个问题：两队MIPI线我想仿真一下它们各自的差分TDR参数。我的操作如下：
. {$ q, F8 _. {) z1：在SIWAVE里，先设8个PORT(两对MIPI)跑出S参数，导出TOUCHSTONE文件；
( @0 g' w; ^' c7 z( J2：在DESIGENER文件中导入TOUCHSTONE文件，然后用DIFFENCE TDR和电阻画好原理图；
6 ~" {9 }1 p. Z2 `- H* c按此方法算出TDR后遇到两个问题不好判断：. l/ f) p4 ]; }5 C: A3 t
1：使用两组TDR源直接跑出的参数与使用一组TDR（另一组OPEN掉）跑出的结果会不一致；$ {+ R# q( H' r" d1 B: A
2：如果单独从SIWAVE里直接只跑一对MIPI的S参数模型，再导入到DESIGENER里，跑出的TDR与前面$ J! Y6 I; [; e& |
    两种方法又不一样（我是用的是2020R1版本）。这样一来将如何判断哪一种方法是正确的？有同事说
" z3 G. D5 }6 C& P$ Y   因为MIPI信号是同时工作的，故要按实际的来仿真，即两组MIPI同时跑S参数来做才是正确的；又有同事说，4 C1 R6 n" b* V6 X. T' p
   TDR反映的是单独差分信号的真实状况，就像做PCB板时，让板厂来做信号线的电阻匹配，也是单独来计算测量的。
1 T) X' P$ Q: |- D; q# H; O$ h  w    哪一种有道理？希望有经验的前辈高手能现身说法一下，不胜感谢！
5 N' f" {$ W6 x" p" k
作者: ybing12    时间: 2024-4-23 11:00
我有开始学，这个问题也困惑了好久。同问同问
作者: heaijun    时间: 2024-4-26 17:07
mark一下，方便查找
作者: 接SIPIEMC仿真    时间: 2024-6-25 17:36
第1组线与第2组线之间本身存在耦合，只建1组线的端口的时候，另一组线没有对地50ohm端口的内阻特性，相当于悬空的，两组线都建端口的时候，另一组线不是悬空的，这种差异下第1组线耦合到另一组线的S21也是有差异，所以仿真结果有差异。* g8 e. s) L$ r! V+ Q, S2 [/ i, |
另外建端口不同，网格剖分也不一样，计算结果当然有差异。
1 s( z9 V8 I1 A6 N" T9 H& [. q9 v还有，两组同时做TDR，1组能量耦合到另一组并和另一组TDR叠加，这和单独做有差异也是正常的。6 a& ]# b+ T4 h+ R5 v) ]1 b& q+ ~9 I
以上误差一般都比较小，没有必要太关注。就像你为了加快仿真速度，把PCB切小块一样，本身就带入了误差。
. y: z7 `  o( i: D* i" Z- r$ O: q" l( p9 u
理论上正确的做法：
! M$ g4 f  p9 x' E8 m一组网络在仿真时，其他网络应该建端口一起提取S参数，串扰小的可以不考虑，或者切PCB后直接删除其他网络$ @; A8 [0 R! H2 T( i
在circuit界面里做TDR的时候，空闲的端口应该用该网络特性阻抗一样的电阻接地，避免悬空
( m) Y! j6 E/ C5 D+ }/ W) n& i8 X0 [* s7 g; g! ?8 H" W
关于理论上要不要两组一起仿，个人认为没有必要，2 Y0 g& W3 A8 d$ p. \$ h
首先前面说的，误差是必然存在的，这么小的误差可忽略，' O* p$ q4 a+ x- a2 ~) s; G, ]
我们在仿TDR的时候如果要考虑两组线同时工作，那为什么不一起考虑整个板子的所有网络都同时工作的情况呢，而且不同网络之间还不同步，是不是每一种同步情况都要做？那就会有无数种信号时差。同样是网络，难道同一类网络同时工作有串扰要考虑进去，其他网络的串扰就不是串扰？这显然不合理。说极端点，MIPI的CLK和Data之间有上升沿重合的情况，也有CLK上升沿和Data下降沿重合的情况，还有Data电压不变的情况，那是不是分很多种结果？而且CLK和Data之间的时差要不要引入？两组同时做但显然不可能CLK和Data同时发信号啊，做这么真实那已经不是TDR仿真了，而是时域仿真
8 w! @5 U9 K( bTDR所反应出来的就是PCB自身的特性，工厂打板出来是什么样就已经是固定了，应排除外来干扰因素。
作者: qq385837481    时间: 2026-3-26 17:21

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