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标题: sigrity仿真结果与高通差异较大原因 [打印本页]

作者: scofiled 时间: 2024-4-14 12:27
标题: sigrity仿真结果与高通差异较大原因
同一份资料，自己仿真的PDN结果与高通仿真的差异较大，50~100毫欧以上，请问可能是什么原因？
还有前后两份文件，自己仿的是变好，而高通仿的却是变差，连趋势都不同，可能又是什么原因呢？
谢谢。

作者: Larson 时间: 2024-4-14 14:56
没图？

作者: yangjinxing521 时间: 2024-4-15 09:59
直接问高通就是了，折腾啥啊

作者: layout2009 时间: 2024-4-18 20:01
看看先

作者: jszxhll 时间: 2024-5-16 15:30
学习学习

作者: Dc2024040955a 时间: 2024-6-21 17:40
仿真的环境有差异

作者: Omar_Felix 时间: 2024-6-23 13:36
电容模型一样吗

作者: kingweison 时间: 2024-8-30 16:11

:):)

作者: F小飞 时间: 2025-7-2 11:26
有找到原因吗？

作者: F小飞 时间: 2025-7-2 11:27
是不是设置的GND端口不一样？

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