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标题: SIWAVE仿真封装长bump错误 [打印本页]

作者: hhh虎次郎    时间: 2024-3-18 16:33
标题: SIWAVE仿真封装长bump错误
如图,封装仿真需要在Layer1和RDL之间长bump;在cadence package designer中BUMP是个器件,它在RDL层和Layer1层都有名为BUMP的的PAD存在(该PAD没有连接Layer1和RDL层,俯视图重叠);现在我在SIWAVE中设置solder ball properties,选择焊盘BUMP,选择从Layer1往上长BUMP,但是BUMP总是从RDL层往上长,导致RDL层和Layer1层之间是断路的;这是怎么回事;' j5 r3 t; E, F7 }
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作者: hhh虎次郎    时间: 2024-3-18 17:00

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0318.jpg (24.98 KB, 下载次数: 1)

0318.jpg

作者: apricot    时间: 2024-3-19 13:55
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作者: tencome    时间: 2024-3-21 19:06
DIE 不是Flipchip 模式导入的APD?
作者: tencome    时间: 2024-3-22 22:57
看看 die 导入package designer的时候是不是用FLIPCHIP模式导入的
作者: bingshuihuo    时间: 2024-3-25 09:04
hhh虎次郎 发表于 2024-3-18 17:00
) x4 u# N9 |, ?
增加ball 方向反了
: }! v' A; t3 n  m; B% K
作者: bingshuihuo    时间: 2024-3-27 08:13
bingshuihuo 发表于 2024-3-25 09:04- d5 n1 p$ r. w0 U) Y
增加ball 方向反了

0 N1 C8 t' B9 u赞!!!!!!!!!!!!" m6 C1 q; f1 h0 h2 o6 p

作者: SIPI明同学    时间: 2024-3-30 23:06
需要保留RDL层的话,建议去3dlayout里面设置。2PI+RDL模型用SIWAVE建模是有点问题。
作者: Dc2024031911a    时间: 2024-4-12 14:26
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