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标题: 32.768K晶体引起杂散 [打印本页]
作者: 电子小白菜鸡    时间: 2024-1-8 23:32
标题: 32.768K晶体引起杂散
如题，当MCU使用外部32.768k晶体时会使射频输出信号出现杂散，分布在主频信号的两边，而禁用外部晶体即会变好。有什么方法可以解决？
作者: 去问问萨达    时间: 2024-1-9 11:20
KEDDDDDDDDD
作者: xiaofeng1088    时间: 2024-1-10 19:56
你的射频是多少频率的，一般32.768K，这算很低频率了，还能在主频两边？多查一下谐波吧
作者: guchenglihua    时间: 2024-1-17 10:10
理论上说32.768的晶振信号频率低，幅度小和电流也小不至于影响到射频。你看看是不是因为程序中有中断影响到了射频的工作，而这个中断跟RTC有关
作者: Dc2024032329a    时间: 2024-5-25 15:51
主频两边都有？电路这是有混频器或者调制器吧？空间辐射和电源传导查一查
作者: criterion    时间: 2024-11-26 23:58
本帖最后由 criterion 于 2024-11-27 00:09 编辑
& T5 a/ Q  Z4 v3 Y) h. q0 ^2 A% S4 i$ r( ~0 o% u! M
先查看  MCU的电源跟晶体    是否有透过落地电容共地
有的话  拔电容试试

& u" ]0 F" ?* S8 e/ a/ T

: x# ~; m  L" v) L, ]' Z2 y* g& h8 F
一般而言  32.768k是很低频的讯号了
其谐波会去干扰到射频讯号的机会很低
所以   分布在主频信号的两边的杂散   不是晶体谐波
而是交互调变

% E9 E# r% b3 ]8 T3 m1 m& k

3 i# p( _: q# R  A- v2 g3 N9 h1 c! S& D & z2 I$ t* x% Q/ _& v

- i* C  ]4 U% F/ W' U+ g0 I
/ v1 ~: ]$ E4 L4 x6 X! B如果32.768kHz  透过共地  窜到落地电容   再流入MCU
0 P* p. Z: B  S跟RF主频  产生2阶交互调变
! F7 }6 k. @, L(RF +- 32.768kHz)6 ]! c+ \! g* t
就会出现你所说的
4 _; U; l& o0 Q“杂散分布在主频信号的两边”
$ |, J% E& p9 C5 K% M% W6 w' D* A& r. _) Y; ^4 _# d

4 F) N  T- p* }! h, \9 ]0 z: a! k要验证的手法也很简单   你把RF信号的功率调小# c0 A/ i+ d1 |; _+ j
看杂散是否也跟着变小
! y' u# o0 P2 N; m如果是   那就八九不离十了* o/ P9 Q( D5 k! F6 n3 }  y
因为交互调变的功率   会跟RF信号功率   有连带关系
, b5 Q) C: C8 `  J  u: D
' P2 Y. _4 N$ w& ?) W. \( H# h- l9 @$ |+ r5 a) |

( ~6 D6 x; c5 W0 G此时可能有人会提出两个疑问
8 w) P, T" i8 H' V+ T3 N+ i( x! u
6 _6 t* Y1 d7 {$ S& S, r第一个疑问    电容不是隔直吗?$ [' @6 l- z' M$ S5 O: B& F
32.768kHz这么低频讯号   怎么可能流得过电容?
* u  O8 H- k- V7 Y# S0 ?# M  O
! E( l0 h& v$ V7 A答案是: 当然流得过  只要电容值够大7 C& c, ]; e. b+ l0 C% o& ~! y
来做个仿真  
- @+ P8 _3 Q  }5 F: b& z
& G/ _! `0 a, f: y 8 C3 x  ?3 A& P1 f

# i% l+ j% N0 U' \8 \5 w  L1 q
$ r% s) o. S' k5 F8 ~9 b
5 i+ }: I; }+ R+ g( q6 }4 h3 z; E6 T1 v# r4 @8 A0 [# Q" c- A
6 ^$ X6 E2 ?+ u7 ?# X: y) q
该1uF电容   对于直流讯号   当然有隔直作用+ o* N4 ^+ v7 M( O; G
但是   32.768kHz的讯号    终究不是直流讯号
' `; }/ r& V# I7 R只要电容值够大   其谐振频率够低   意味着低频范围的阻抗很低! U; \3 r3 O/ H! l- G
对于极低频讯号   几乎无抑制能力   那当然就流得过# S& D: }% M( R# L
" Z# [4 ]; V) Q% p

7 q! A/ s9 ~1 C/ s第二个疑问   任何讯号  包含噪声
6 d/ I* \  x. d肯定是高阻抗流向低阻抗
& b  p! Q6 M$ D0 x) `怎么可能会从GND逆游而上  流到电源走线?! a! K  F) m) E7 F
$ E$ r9 s, E+ H6 G% w: U) e
7 C3 a3 X) d+ _" B7 ^  d8 x
答案是   如果GND的阻抗   比电源走线还高   那就有可能了
( L: o2 E# V* Z) q' D4 O9 C: q/ b
  b. t7 A. S' M) E" P1 O6 k1 m

% t( E- r  x- q! K2 J5 C. ?) ^2 O) W" J6 Z. N3 |; `& ^& v7 X
首先分析电源走线的阻抗   在走线放落地电容1 U7 z# j/ y9 k% ^
等同加大了该走线的电容性   依照阻抗公式- F7 H# `" o' ~0 n' f5 \0 t

/ F5 ~5 T& A3 D- [& H2 H6 @7 A) m! z1 N/ l

' _, A* ^' t- i
- l1 t" k1 u' N. x# R  K. g/ R$ J. {8 W/ \) @: O. Y/ A# v  `: T
电容性增大   其阻抗就降低+ M, y7 w- H8 o6 \" n
如果是uF等级的大电容   阻抗就降更多6 o, L9 r9 ?- [5 _2 a
: x3 {8 N+ o( q4 M. ?5 ^9 O( r

; r; e: D$ d# g0 v' j9 Y3 Q再者   电源走线   通常会有多颗落地电容并联* z& K0 R( {9 P% l" P6 X
而电容是越并越大7 V) S( K  q, Y! `
! ~" _, ^3 f9 @* |8 B+ d1 }: N, o
- N0 K, y0 Z4 [3 ^, l- A
% l, H. K; C2 m9 o, d) W4 }
/ P% @- ^5 _$ l3 }  f7 @

& M0 u/ I" D  ~- w如此又更进一步   大大降低了电源走线的阻抗) j; e  ?1 A- z) d

5 c- S8 y0 _: h3 f再来分析GND的阻抗  很多时候  碍于Layout空间限制
1 M. T/ ~7 z. I" m! T* o很可能GND是极为零碎的  且面积也不大
+ t( s8 B; C# _; j, R& O同时又因为面积不大   所以无法打太多地孔  y& r( m  _' `% q, v
这些情况加种下   就会导致GND的阻抗  其实不如想象的低2 L4 [$ e' y: a& l  v
甚至有可能比电源走线还高9 F2 p+ Q5 i* P( N+ o% K
如此一来  噪声从GND逆游而上   就有可能发生
% t+ s% j9 `: f+ S/ D. O
4 _& [- d  V( O) C' x) x因此  一开头才说   拔电容试试; ^* J. f& }: K
/ ?4 Q6 w: i3 K' I, m
3 c' X* T- x- z$ h+ L, @




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