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标题: PDN仿真时，提取Z阻抗过程中，如何处理串联电感/磁珠的问题 [打印本页]
作者: yzzsjc088    时间: 2023-12-4 15:31
标题: PDN仿真时，提取Z阻抗过程中，如何处理串联电感/磁珠的问题
本帖最后由 yzzsjc088 于 2023-12-4 16:33 编辑 : {" I$ N) x" q" U, g
. f0 b7 @- W: r1 Z" K# F
请教各位大神，在进行PI仿真时，电源芯片输出电压端口到MCU端电压输入端口串联电感/电感的情况下，有如下疑问：' Y. u- |* D  U- }
+ A) [4 \- t- ?' i
1、针对VCC_1V2_MCU进行PDN阻抗仿真，是否应将VCC_1V2及其并联的电容，串联的电感L的影响考虑在内？
8 t. T! }! h2 s- y) C9 L0 i/ A2、若考虑电感L的影响，使用siwave进行仿真，只能针对单个net进行PDN阻抗提取，目前提取的Z阻抗对应的net是VCC_1V2_MCU，那么电感该作如何处理，才能提取从VCC_1V2经电感到VCC_1V2_MCU整体Z阻抗。
" g/ r, z3 U/ f( l" f: C1 n谢谢
+ c8 O2 h2 D% p
. Z) X% c2 j; Q5 q5 M

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作者: EagleJi    时间: 2023-12-4 17:24
蹲个楼，共同学习一下。
作者: hhh虎次郎    时间: 2023-12-5 10:54
这么大的电感，不需要考虑进去；
作者: dydhsnn    时间: 2023-12-5 11:17
一起学习一起学习一起学习
7 h2 z, ~+ e4 u' Q- x2 b
作者: yzzsjc088    时间: 2023-12-5 13:16
hhh虎次郎 发表于 2023-12-5 10:545 V3 S: B9 W. v
这么大的电感，不需要考虑进去；
5 J( ~/ {$ M5 I6 Z( r9 Z
你好，那如果换磁珠呢，又如何考虑，再比如串联零欧姆电阻。
6 H" l2 n1 q' N3 v重点是中间有串联的无源器件时，两边的net名称不一样，SIwave如何提取整体的Z阻抗，谢谢
: f8 H* c4 P6 Q( h
作者: bbbaiye    时间: 2023-12-5 15:08
Good question~
作者: mggimg    时间: 2023-12-6 11:31
你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的
作者: yzzsjc088    时间: 2023-12-6 13:09
本帖最后由 yzzsjc088 于 2023-12-6 13:10 编辑
. `+ k# n& F) O  b8 {
mggimg 发表于 2023-12-6 11:31; u7 V. F7 e. O( Z( E. v/ N
你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的

/ \6 E4 W$ v# }2 a. l9 N无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
1 p, Q( H2 r' a+ d+ y5 B3 b另外我在siwave软件里面把这个串联器件设置deactive，得到的Z阻抗曲线也没变化。
7 B$ w" m' E; O( P6 F因为port端口是以net名称来建立，而电源网络被串联器件隔断了，两边net名称不一样，感觉应该有地方需要设置一下两边的net，才能提取整体的阻抗。1 U8 _+ r% ~) V* M6 u
作者: mggimg    时间: 2023-12-6 17:15
yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:09
3 H, `# q" G7 h! V% B/ E无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
" t% v4 T) g2 E. I( O5 [另外我在siwave软 ...

9 H! r/ g3 z" c说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响8 ^- T6 U2 l. n( n9 Q7 D2 N
作者: mggimg    时间: 2023-12-6 17:22
yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:09
& z' `* ?& n, I  b% d, d" p: I7 }无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。' ?: `; o; F( r+ I3 T3 p4 \! F; a& g
另外我在siwave软 ...

% U/ w) w9 o5 R+ C9 m# E你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别
2 Y4 p2 _: \% |
作者: yzzsjc088    时间: 2023-12-6 22:29
mggimg 发表于 2023-12-6 17:15
2 i' @9 G3 N! u/ z8 y说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响

# E2 e* l8 S, T  _& L4 L# ?  i不可能一点影响也没有吧，即使影响再小，Z阻抗曲线不至于完全重合。# o2 u, @8 o3 G1 r* b
而且重点是SIwave软件里面，建port口是以net名为依据，对于串联器件两端不同的net，siwave提取阻抗时候如何识别为一个整体？
( m' h( {. c( F  {# Q3 Z( ~6 F1 F从结果来看，更像是没有把串联器件两端的net识别为一个整体区提取阻抗，所以才导致前端的电容对结果没有影响5 w1 v4 W; G9 f! U+ G' `1 Y6 B
作者: ximencuocuo0517    时间: 2023-12-20 08:34
本帖最后由 ximencuocuo0517 于 2023-12-20 16:01 编辑
$ J8 q* U7 ~& c! K5 Q+ W2 q
0 B$ f% z3 Y0 D# y& H! x" ]给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁珠两端网络建成1个group
作者: yzzsjc088    时间: 2023-12-22 16:45
mggimg 发表于 2023-12-6 17:22
" ~* {5 i. K+ d6 @- k你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别
3 |' x8 h2 T8 A- ^& n/ Q* K
对于1MHz-100MHz区间的Z阻抗没有区别，对kHz低频级别的Z阻抗曲线有点不一样，还是有有点区别，谢谢！
作者: yzzsjc088    时间: 2023-12-22 16:46
ximencuocuo0517 发表于 2023-12-20 08:34
: e, A: W/ C$ x/ ~5 _2 t给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁 ...
) K4 a) P# [+ U5 X5 u9 D, }
你好，这种模式相当于把磁珠两端net名当一个来考虑，不能给磁珠赋S参数模型。我之前不太明白的是我以用电IC芯片与磁珠相连的net建port，然后直接给磁珠赋S参数模型，SIwave计算Z阻抗，会不会直接把磁珠视作串联器?会不会磁珠前面的电容也考虑进去? 看楼上那位朋友回复的建议处理，好像直接给串联器件赋S参数模型，SIwave会把串联器件之前的电容考虑进去。" b- g! W2 H" M6 c5 g  }1 U
谢谢
; ^* I' X7 e2 n7 J# `; ~
作者: xxxsq    时间: 2025-8-13 19:47
直接赋S参数就行么，不需要设置XNET么! @, l  w7 K1 d& M




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