EDA365电子论坛网

标题: 求助：关于mos管发热问题 [打印本页]
作者: gsywm    时间: 2012-6-19 17:46
标题: 求助：关于mos管发热问题
各位：; K3 L* ^2 D7 r0 c" @% \
) [, s1 \$ l. }* g7 A. u
最近按照要求画了块板子，但调试时发现mos管烫的厉害，根本无法常时间工作。而且波形幅度值只有8V左右，请问如何解决发热问题，并提高波形幅度。
( O6 r/ g; |$ \# W  u6 i# T0 u原理图如下- c) _! X/ c- P  ]) f

123.png (153.04 KB, 下载次数: 4)

123.png
作者: 624132806    时间: 2012-6-19 17:57
是贴片的吧！加大散热铜皮，如果是立体，在允许的情况下，加散热片吧！
作者: laijinling    时间: 2012-6-20 11:10
加大散热铜皮同时多打地孔
作者: romantic878595    时间: 2012-6-20 12:31
本帖最后由 romantic878595 于 2012-6-20 12:34 编辑   n9 ]& C; v0 r: n# \

+ `/ T; M( B. V* S4 B9 A( h/ a* l1，把驱动频率降下来，现在工作是11多M，MOS管开关频率越高，损耗越大，最好能降到500K以下。实在不行，也应降到1M以下。9 K) z$ l: x* I/ u+ Y7 ~
2 ，选用低开启电压的MOS管，也就是所谓的逻辑电平MOS管。如果你用普通的MOS，要求10V的驱动，你的驱动IC只有5V,驱动不足，造成导通电阻大。
4 y# D+ i- ], W/ g3 尽量选用低导通电阻,低Nc值的MOS管
8 i( t! X3 S9 @( H1 \: ]2 Y4 加强MOS的散热。4 ~7 {% R; V4 D% b. U$ t9 k' ^
5 在电感线圏处并上防止反向电动势的二极管。# e2 P6 _$ P+ M2 e6 m% j, v
6 加强IC的电流驱动能力，HC00还有一个门没有使用，应把他们的输入并联，输出通过一个驱动电阻（约10R)后，然后并联.
: |: E3 z; Y" {! G$ d2 G5 g
作者: qiangqssong    时间: 2012-6-20 15:13
4楼说的全面！！
作者: gsywm    时间: 2012-6-20 15:40
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31 ) i! }5 O  K. V. D. z; l* y; P
1，把驱动频率降下来，现在工作是11多M，MOS管开关频率越高，损耗越大，最好能降到500K以下。实在不行，也应 ...

: P; K1 [$ b! C4 j  N8 T十分感谢你如此详细的解说
作者: romantic878595    时间: 2012-6-20 21:43
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40
8 r: Z5 ?0 m: n$ o9 s十分感谢你如此详细的解说
4 K3 w0 _$ B7 E" l
不客气。论坛精神，我为人人，人人为我，相互学习，共同提高。感谢EDA365.
作者: xhymsg    时间: 2012-6-21 10:49
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40
7 d9 @" j7 c5 u# O十分感谢你如此详细的解说

0 s+ ]2 d: B2 o* z: `问题解决没？
作者: skatecom    时间: 2012-6-23 00:22
xhymsg 发表于 2012-6-21 10:49 # @9 z0 {- x$ P1 v$ E6 b5 |# q
问题解决没？
* G- a- R3 e3 G! g- Q0 B* T
就是啊，问题决解了
作者: nbhand    时间: 2012-6-25 10:38
MOS极性接对了吗？ 应该是个NMOS，图上画的却是个PMOS
作者: wcf3217    时间: 2012-6-26 23:16
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31 / x9 Q+ W7 `2 q# i6 g% F
1，把驱动频率降下来，现在工作是11多M，MOS管开关频率越高，损耗越大，最好能降到500K以下。实在不行，也应 ...

+ ?# ~! @$ c& T4 G学习！



欢迎光临 EDA365电子论坛网 (https://bbs.eda365.com/) Powered by Discuz! X3.2