标题: System SI做DDR眼图仿真时，走线参考电源平面或电源平面的差别 [打印本页] 作者: F小飞 时间: 2023-10-19 09:38 标题: System SI做DDR眼图仿真时，走线参考电源平面或电源平面的差别 请教一下大家，在做使用System Si做DDR眼图仿真时，如果DDR走线有用电源平面去做参考层的话，我们在使用Power SI去提取S参数是时，需要做什么特殊的处理吗？ 2 E' T* L( Q4 A' m/ [最近在做一个DDR4的眼图仿真。用的是System SI +Power SI 。 7 Q2 m/ R- [! F' x3 v) _! J这是个4层板，层叠是S-G-P-S,但发现TOP层的走线，因为参考的是GND，仿真结果跟原厂的仿真结果接近，但是BOT层参考电源平面的结果就比原厂仿出来的差很多了，这个是不是因为我这边的操作有什么问题？大家在遇到这种参考电源平面的情况，会做什么特殊的处理吗？' T6 X; X" ~% q2 W u: X8 }. I
c7 y, E. | g$ U h 作者: mggimg 时间: 2023-10-19 14:50
要对比跟原厂的相比，这个电源的电容用的是什么模型作者: F小飞 时间: 2023-10-19 15:39