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标题: DDR2的Refresh count参数 [打印本页]
作者: wayne_likehome    时间: 2012-5-24 09:59
标题: DDR2的Refresh count参数
请问下这个参数代表什么 看手册上写的 Refresh count=8K指的是什么意思呢？？？
作者: lxizj    时间: 2012-5-24 10:10
DDR2_JEDEC标准里没找到这个参数，能把具体的图贴出来吗？
作者: wayne_likehome    时间: 2012-5-24 11:17
lxizj 发表于 2012-5-24 10:10
/ o9 _3 }* @8 n  b: j/ d, q/ bDDR2_JEDEC标准里没找到这个参数，能把具体的图贴出来吗？

- `5 s+ }+ ?- ~: U) r+ O  E0 G0 ~OK
: _3 n6 h: m+ R: P9 X8 `麻烦帮忙给看看
作者: wayne_likehome    时间: 2012-5-24 11:19
这是micron 的一款ddr2 颗粒
7 t2 ~8 R" j9 [8 uMT47H256M8

未命名.jpg (20.54 KB, 下载次数: 11)

参数表

参数表
作者: lxizj    时间: 2012-5-25 15:17
本帖最后由 lxizj 于 2012-5-25 15:20 编辑
' @/ _8 b2 U/ i0 G1 z% f7 J) b' h. u* A1 ~8 M. `7 t; ^
DDR内存规格规定，电容的电荷存储上限时间为64ms，而刷新操作每次是针对一行进行的，即每一行的刷新时间为64ms，而内存芯片中一定数量的行以L-Bank表示（见内存工作原理与物理特性），每个L-Bank有8192行（见内存硬件手册),因此对L-Bank的刷新操作应该在64ms /8192 = 7813us时间内进行一次 .8 {1 n5 O4 T8 `/ P, H0 |- v0 U
上面是在网上找到的，我的理解是颗粒的刷新是以块为单位的，8K是这个块的大小。整个块必须在64ms的时间内刷新一次，以保证数据的不丢失。
: X  H2 Y# \- V" J4 }) v但是我在DDR2_JEDEC标准里没有找到这个值，不知道这么理解对不对。
作者: qiangqssong    时间: 2012-5-25 15:53
搞不清楚，DDR这块的参数太多，很多都不太理解！！！
作者: liuz0925    时间: 2012-5-27 22:08
一般来说，SDRAM的刷新为一笔refresh cmd刷新一个row，而在某些大容量DDR内部，一笔Auto refresh刷新2个row。为了便于计算，micron的datasheet里一般都有refresh counter，即多少个cycle整个颗粒刷新一次。计算时用64ms/refresh counter即为Trefi



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