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标题: 询问增大MOS晶体管增益的方法 [打印本页]

作者: sewenli 时间: 2012-4-8 11:10
标题: 询问增大MOS晶体管增益的方法
对下边这个MOS进行增益测试，在工作频率的增益总是很小，一直处在-30dB以下，请问怎么改进这个管子的增益呢？有什么样的电路结构，因为工作在比较高的2.4G频段，MOS管是180nm工艺的。

作者: lxizj 时间: 2012-5-8 11:16
恕我冒昧问下，LZ你确定做的是MOS吗？mos是电压控制，没有放大，哪来的增益？我也没在任何一份spec里看到过有这个参数啊

作者: qiangqssong 时间: 2012-5-8 17:07
高频这块的放大楼主最好用仿真器仿真下，不能随便调整！！！

作者: sewenli 时间: 2012-5-8 19:02

lxizj 发表于 2012-5-8 11:16 # g3 T$ M9 x" N: k
恕我冒昧问下，LZ你确定做的是MOS吗？mos是电压控制，没有放大，哪来的增益？我也没在任何一份spec里看到过 ...

谢谢是跨导太小了

作者: sewenli 时间: 2012-5-8 19:03

qiangqssong 发表于 2012-5-8 17:07
1 z; H" T" N' j% O% b) T高频这块的放大楼主最好用仿真器仿真下，不能随便调整！！！

单单用一个管子做功率放大器时候得到的功率增益总不能提上去

作者: qingtian52014 时间: 2012-5-8 22:14
RS与RD一个阻值比貌似可以调放大倍数。不记得了，还请高人指点下

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