EDA365电子论坛网

标题: 把MOS管玩烧了,谁能帮看看是什么问题 [打印本页]

作者: 名字好听吗    时间: 2023-3-9 13:57
标题: 把MOS管玩烧了,谁能帮看看是什么问题
- _* T$ h5 |4 [, A  H
设计了个简单电路,想实现NE555控制充放电,NE555由24V通过LDO降压成12V,控制24V电源给电容充电与放电,MOS管用的是N+P的芯片,做出来后现象是电容只能充到差不多12V,发现过了NMOS管电压就降为12V,想着跳过NMOS是不是可以充到24V,就从二极管飞线到电容正极那,结果MOS芯片烧毁,PMOS的S脚烧黄了。
6 J. E! \  k$ N& C. Y
5 c' W* x1 o4 S) P7 O
作者: lili_qq    时间: 2023-3-9 14:49
认为主要问题出现在G1和G2极的控制电压上,需查下规格书的开启和关闭电压的条件
作者: niubility    时间: 2023-3-9 15:21
12V的G极电压,应该是使得NMOS和PMOS工作在线性区,两个管子都处于一个比较大的阻抗状态,而形成分压,因此S极得到的电压应该是两个工作在线性区的管子,如同两个电阻分压后得到的电压,因此得到12V的电压值也是也有可能的;
作者: VIC56    时间: 2023-3-9 15:39
当24V直接跳到电容端的时候,这时候NOMS不用考虑,只考虑PMOS端的工作情况;此时,PMOS的G极电压的12V相对S极的24V,PMOS导通更加充分,经过其的电流接近为24V/(10R+2R)=2A(此时PMOS的阻抗估计也是一两欧左右,暂定为2R),当2.4A经过工作在线性区的PMOS时,产生的热量2^2*2=8W,发热功率应该和8W有出入,但应该也是不低,所以烧坏P管,可以解释。3 x+ |/ F2 S& H. w! E+ Q0 O
建议:G极的开关电压,高电平电压提高到24V以上(尽量不低于24V),让N管能充分导通,P管能充分截止。如此就不会出现上面的情况。
作者: dragongfly    时间: 2023-3-9 15:44
栅极驱动都做的不对,你栅极电压只有12V,当然只能到12V
作者: Crash    时间: 2023-3-9 15:56
飞线只是短路DS而已可能是充电电路过大生火氧化了,确定管子烧毁了?还有想充电到24V似乎不可能因为场效应管毕竟不是机械触点只有极少压降,这是不可能完成的任务。
作者: HNTA_401    时间: 2023-3-9 15:56
本帖最后由 HNTA_401 于 2023-3-10 11:10 编辑 2 O6 a- v+ Z5 m

- w: T' M% f5 c' I9 v你的S极是连接到电容充电端,因此等到电容充电后,Vgs会逐渐变小导致MOS关闭。(你可以把自己的原理图MOS管展开,逐步去分析MOS在何时打开何时关闭)多看看双MOS管半桥的电路的资料,给你画了个较为合理的电路,请自行分析。: l+ H) F" V3 j- X5 A
(以下原理图只是原理介绍,实际上半桥两个MOS要进行死区控制,还是建议用专用半桥控制芯片,不然有24V电源直接烧坏MOS管的风险)
2 l  h1 v8 e0 S# D& d) r. l6 [" J+ b! `& A  n
$ ^( f, G2 c+ O  ~5 |

屏幕截图 2023-03-09 154947.png (74.46 KB, 下载次数: 10)

屏幕截图 2023-03-09 154947.png

作者: bellring840507    时间: 2023-3-10 13:44
G1,G2 是要分开吧,两路控制
作者: guojin    时间: 2023-3-12 00:50
1.充电:NE555-OUT输出12V,NMOS导通,PMOS截止,24V经二极管D1、NMOS、电阻R1给电容C3充电。充电的过程中,NMOS的Vgs会逐渐变小,直至Vgs<Vgs(th),导致NMOS关闭。所以电容C3大约就为12V。
: ~! a* z; `4 U% [3 }6 p2.放电:NE555-OUT输出0V,PMOS导通,NMOS截止,电容电压经电阻R1、PMOS流到地。
3 @( e9 p* L: f0 a$ X1 F- F3.“NMOS管电压就降为12V”这个说法不准确,充电结束后,NMOS是高阻态,D、S之间相当于是断路,它们之间没有电流流过。
$ t* |1 F  z/ I0 J' V8 t0 d4.飞线到电容正极,相当于电容是24V。而PMOS的G极电压为12V,刚开始PMOS的S极为24V,Vgs<Vgs(th),PMOS导通。但PMOS不可能完全导通,如果PMOS完全导通,SD之间没有压降,S极接地,这样Vgs<Vgs(th)的条件不再成立。其实PMOS是工作在恒流区,根据数据手册,SD之间的电压应该在12V-13.5V之间,而流过SD之间的电流至少也有(24V-13.5V)/10Ω=1.05A。根据计算结果,PMOS的功耗至少有12W,远大于MOS管的额定功率,PMOS烧管子正常。下图大概就是PMOS的工作点。
. A6 B, t( _8 }1 T* S. }& z5.至于PMOS为什么是S极烧坏,PMOS导通时,其沟道是从D极向S极变窄,也就是说,PMOS的电阻在MOS管的内部不是均匀分布的,而是靠近S极的区域电阻更大,所以S极的发热量更大。市面上我们看到的PMOS S极引脚一般很大,目的就是为了增加散热(对应NMOS就是D极)。2 G. W) u5 }# M! t+ b

CoZh8UtYKq6m0yETHrgMDSuNFLybaJ5JE31kllxPu24.png (256.2 KB, 下载次数: 11)

CoZh8UtYKq6m0yETHrgMDSuNFLybaJ5JE31kllxPu24.png





欢迎光临 EDA365电子论坛网 (https://bbs.eda365.com/) Powered by Discuz! X3.2