EDA365电子论坛网

标题: 电容天线效应问题求助 [打印本页]
作者: kaixinjiuhaola    时间: 2023-1-12 13:52
标题: 电容天线效应问题求助
我所用的是TSMC1p4m工艺，所需用的电容有M3和M4（顶层金属）组成，M3如果接后续电路，不经过处理DRC会报天线。而M4（顶层金属）直接连接后续电路却不会报天线，我想知道问什么，在制作顶层金属的时候有什么特殊的工艺？求赐教1 q, x+ r" N* S6 F2 Q6 v! G" _
作者: starskyuu    时间: 2023-1-12 15:10
TSMC工艺顶层一般有RDL和non-RDL两种可供选择。通常顶层金属比较厚一些。至于你说的antenna问题是正常情况，因为用M4代替M3实际上相当于通过跳层来处理了antenna问题。
作者: kaixinjiuhaola    时间: 2023-1-12 17:44
starskyuu 发表于 2023-1-12 15:10
+ i6 c$ m$ ~- O2 S# ^  ]6 rTSMC工艺顶层一般有RDL和non-RDL两种可供选择。通常顶层金属比较厚一些。至于你说的antenna问题是正常情况 ...
, S8 `1 \' Y1 L3 }" g/ a
M4是顶层金属，只能向下跳线，向下跳貌似解决不了任何问题啊  n; a' w8 g  Y2 y3 _' t
作者: monarch_zen    时间: 2023-1-15 23:27
好东西，好学习呀
作者: Copper_Hou    时间: 2023-4-21 15:27
kaixinjiuhaola 发表于 2023-1-12 17:44
* e, ]! z& P, {; g  h. J4 y1 T# |: CM4是顶层金属，只能向下跳线，向下跳貌似解决不了任何问题啊
) I$ _9 B! i, m+ d+ C! s
Antenna effect是应对于wafer fab中plasma工艺（尤其是Dry etch）的电荷击穿绝缘膜层导致漏流的风险。控制关键点在控制“上层metal-绝缘膜层-下层Metal”中顶层metal相对于绝缘膜层界面的面积比不能过大。M4是顶层metal的话，向下跳线的做法对于下面绝缘膜而言，M4金属的antenna面积没有改变，也就是antenna的风险不变。: P/ L! l6 V. y0 s- R3 _" S




欢迎光临 EDA365电子论坛网 (https://bbs.eda365.com/) Powered by Discuz! X3.2