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标题: 关于 LVDS 传输线上串联磁珠的问题？ [打印本页]

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作者: replace    时间: 2022-11-30 13:54
标题: 关于 LVDS 传输线上串联磁珠的问题？
最近做产品，需要用到LVDS，看到以前一块友商的板子上LVDS 驱动板上数据线上靠近连接器的地方串联了磁珠，按理说LVDS信号有200多M，串联磁珠不是直接增加了其传输线阻，会使信号衰减吗，希望各位大神帮忙解答下？
; {2 _+ f/ l, l% H4 W8 ^) W3 ?大概是这样

: }% t& {: G! L; x/ `, L, rLVDS发射端用的芯片是SN75LVDS83B
, J$ H4 u% n& t% ]$ z
5 Y; N2 d* q2 y: ?9 R& C

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作者: nocturne    时间: 2022-11-30 15:09
因为离连接器较近，是不是为了阻抗匹配，减少信号反射，

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作者: unfaithful2021    时间: 2022-11-30 15:13
应该要用共模电感的，但是也有看到用磁珠的。

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作者: we_happiness    时间: 2022-11-30 15:21
从图上已经放了共模电感，圈起来的部分楼主可以再确认一下，有可能是0欧电阻；如果确定是磁珠，那可能是为了抑制高次谐波EMI

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作者: RGB_lamp    时间: 2022-11-30 18:59
磁珠的主要参数分析，阻抗频率曲线是显示在不同频段磁珠的抑制作用，整个过程不是线性的。
当频率超出抑制最高点，磁珠的特性就会产生变化，R减小。

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作者: ttgoer    时间: 2022-12-1 08:32
前面的LVDS共模看着不太对，是不是选型不对？
5 K" c: U0 L; P0 ]' D( \/ Q一般会用LVDS的速率不低，一般高速的共模都比较小。
看那体积有点像CAN之类低速的。

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作者: ttgoer    时间: 2022-12-1 08:34
磁珠可以串，但要正负都串。
会影响上升沿，即最高速率，
; d; R  P3 U2 L/ j  A$ o6 u至于衰减，LVDS是电流信号还好。

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