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标题: 器件出现问题的一些试验方法 [打印本页]

作者: monsterskyy 时间: 2022-11-1 13:28
标题: 器件出现问题的一些试验方法

应力类型	试验方法	可能出现的主要失效模式
电应力	静电、过电、噪声	MOS器件的栅击穿、双极型器件的pn结击穿、功率晶体管的二次击穿、CMOS电路的闩锁效应
热应力	高温储存	金属－半导体接触的Al－Si互溶，欧姆接触退化，pn结漏电、Au-Al键合失效
低温应力	低温储存	芯片断裂
低温电应力	低温工作	热载流子注入
高低温应力	高低温循环	芯片断裂、芯片粘接失效
热电应力	高温工作	金属电迁移、欧姆接触退化
机械应力	振动、冲击、加速度	芯片断裂、引线断裂
辐射应力	X射线辐射、中子辐射	电参数变化、软错误、CMOS电路的闩锁效应
气候应力	高湿、盐雾	外引线腐蚀、金属化腐蚀、电参数漂移

作者: nevadaooo 时间: 2022-11-1 16:20
有问题都有现象的

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