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标题: 请问MOS管很容易被击穿（AO3401)是什么原因？ [打印本页]

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作者: VIC56    时间: 2022-10-17 10:48
标题: 请问MOS管很容易被击穿（AO3401)是什么原因？
在个电路MOS管很容易被击穿（AO3401)不知道什么原因，在继电器开关瞬间峰值电压也才26V，100MS左右，大神帮忙分析下。坏了以后继电器一直处于吸合状态。

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主要是想搞明白MOS是怎么被击穿的！
- q& q  o( M& f1 Z1 [" l8 A9 BAO3401有30V耐压，2A左右电流，我在电流也才50MA左右！

% t9 ?5 a& {0 M; S

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作者: Libra_jiang1990    时间: 2022-10-17 11:54
用的是PMOS？看一下驱动电路有没有问题？

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作者: 155351394    时间: 2022-10-17 13:07
:hug::hug::hug:

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作者: Dollche    时间: 2022-10-17 13:45
你可以将MOS管，防止在线圈与接地端之间。IN4148并在线圈的两端。

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作者: ttgoer    时间: 2022-10-17 13:50
这个问题很典型。
( Q. Y! E& c. h  B. o8 oVL为高的时候没问题，当VL为低的时候，Vgs为-24V！
平时如果有注意下各MOS的规格书，基本Vgs的极限值是±20V，后果就是炸裂。
如果24V比较稳定，就用简单电阻分压Vgs就可以，
如果干扰会比较大，要在Vgs间增加钳位小于20V的TVS或稳压管

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作者: ttgoer    时间: 2022-10-17 13:51
还有，这原理图画的“没原理”，只能叫导通图画原理图要尽量符合信号的流向和逻辑，方便别人审核和查阅。
2 B0 M  {5 o% R* S9 Q特别是软件人员，他们可没那么专业。
  h% s4 ~' C. k" ~% R. f

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作者: zhi_hui_zhou    时间: 2022-10-17 13:54
击穿的原因是：继电器的线圈，在断开的瞬间产生反向电动势，与电源的电压24V叠加在一起，超过了耐压的限度。设计了二极管in4148吸收，但不是快速二极管，反应不够快。

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作者: jack_are    时间: 2022-10-17 14:04
我的设计用示波器测一下，在吸合与关断瞬间最高电压也才26V（峰峰值），吸时560us,释放时16ms，D,S两端电压。
% s. }! L% [( f" v3 o: Z; V在GS之间击穿电压是正负12V，又是说可以到24V还是说G是12V，S是0V,G是0V时S没有电压限制。
因为它上面说的时GS,而不是SG;

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作者: 304495297    时间: 2022-10-17 18:14
Vgs分压一下压差大于1.3V就能导通（分-3V呗），这样IGSS就小了。另外D-S并个电容，用来吸收电感释反放。

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作者: billjet    时间: 2022-10-17 21:12
ttgoer解释的有些道理，应该在G极与VL之间串联一电阻，同时G极对地间增加一电阻，这样组合成分压电路，会有些改善效果。
结合平时的使用习惯，这里不建议用这个型号的PMOS管，用中功率的三极管做控制器件可能效果会更加的理想。至少成本降低了，风险也降低了些。
6 C+ |* O2 a4 H4 L  D希望能有些帮助。

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作者: ttgoer    时间: 2022-10-18 11:09

jack_are 发表于 2022-10-17 14:04
我的设计用示波器测一下，在吸合与关断瞬间最高电压也才26V（峰峰值），吸时560us,释放时16ms，D,S两端电压 ...

  T4 i# K% P6 j# I" \: vVGS极限值 一般是±，这不是明显超限了，肯定烧啊

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作者: ttgoer    时间: 2022-10-18 11:16

billjet 发表于 2022-10-17 21:12
7 @0 y- q1 u3 B4 A4 w+ T5 z: bttgoer解释的有些道理，应该在G极与VL之间串联一电阻，同时G极对地间增加一电阻，这样组合成分压电路，会有 ...

$ l6 Y$ Y1 t* r1 [1 Z和这个故障电路是一样的，EN为高时，Q46就因为Vgs过大烧了
4 S* c4 P# M) y) u- Z3 {

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