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标题: SIwave怎样通过放置合适的电容来优化电源平面 [打印本页]

作者: 啊啊啊诺诺诺    时间: 2022-10-12 18:26
标题: SIwave怎样通过放置合适的电容来优化电源平面
请教大神,有指导吗,,万分感谢        SIwave怎样通过放置合适的电容来优化电源平面,降低压降
0 a4 |4 x7 S- H
作者: nevadaooo    时间: 2022-10-12 18:59
容值,距离
作者: 嚼出西哈范    时间: 2022-10-13 10:42
你说的是PDN轨道塌陷吗?还是直流电源压降呀
作者: 啊啊啊诺诺诺    时间: 2022-10-13 13:33
嚼出西哈范 发表于 2022-10-13 10:426 U& Q2 \1 x" r1 ]. `
你说的是PDN轨道塌陷吗?还是直流电源压降呀
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现在板子压降很大,不知道怎么操作可以改善下压降,这个算是PDN轨道塌陷吗( L8 M1 o+ b8 g8 q: r* l

作者: mggimg    时间: 2022-10-13 16:30
啊啊啊诺诺诺 发表于 2022-10-13 13:338 \0 `3 B- Y) ~! ]0 T  W
现在板子压降很大,不知道怎么操作可以改善下压降,这个算是PDN轨道塌陷吗
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铜皮的路径的宽度问题
作者: 嚼出西哈范    时间: 2022-10-17 09:50
啊啊啊诺诺诺 发表于 2022-10-13 13:33" c( E7 J* f+ r, B( d
现在板子压降很大,不知道怎么操作可以改善下压降,这个算是PDN轨道塌陷吗

1 ~# K& W' t' G+ ]! ^不是,这是直流压降,PDN的压降一般是PDN阻抗过大导致的。直流压降考虑的是直流电阻的影响,直流电阻跟铜的横截面积和长度有关,处理方式有加大铜面宽度和厚度以及减小铜走线长度。对于实际工程经验来说,DCDC靠近负载管脚放置,过孔anti-pad分割要注意瓶颈通流,过孔数量要均匀和足够,平面分割要考虑电流密度,尽量让平面通流更加均匀) j2 T3 |, T% q% ^

作者: 啊啊啊诺诺诺    时间: 2022-10-17 15:14
嚼出西哈范 发表于 2022-10-17 09:50
( T) Z% |) V; h不是,这是直流压降,PDN的压降一般是PDN阻抗过大导致的。直流压降考虑的是直流电阻的影响,直流电阻跟铜 ...

3 _. t9 P8 C2 K( [* T您那边可以做PDN仿真吗,我按网上sigrity流程一步步操作的,怎么出来的结果波形差很多,感觉一点都不对,是怎么回事呢
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