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标题: SIwave怎样通过放置合适的电容来优化电源平面 [打印本页]

作者: 啊啊啊诺诺诺    时间: 2022-10-12 18:26
标题: SIwave怎样通过放置合适的电容来优化电源平面
请教大神,有指导吗,,万分感谢        SIwave怎样通过放置合适的电容来优化电源平面,降低压降
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作者: nevadaooo    时间: 2022-10-12 18:59
容值,距离
作者: 嚼出西哈范    时间: 2022-10-13 10:42
你说的是PDN轨道塌陷吗?还是直流电源压降呀
作者: 啊啊啊诺诺诺    时间: 2022-10-13 13:33
嚼出西哈范 发表于 2022-10-13 10:42
6 Q" _5 I4 [5 {2 U* D你说的是PDN轨道塌陷吗?还是直流电源压降呀

9 m$ X) Z# Z  f! q1 I6 s现在板子压降很大,不知道怎么操作可以改善下压降,这个算是PDN轨道塌陷吗
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作者: mggimg    时间: 2022-10-13 16:30
啊啊啊诺诺诺 发表于 2022-10-13 13:33# m6 t- A( q- j1 R' M0 I- @9 B2 |" u
现在板子压降很大,不知道怎么操作可以改善下压降,这个算是PDN轨道塌陷吗
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铜皮的路径的宽度问题
作者: 嚼出西哈范    时间: 2022-10-17 09:50
啊啊啊诺诺诺 发表于 2022-10-13 13:338 T8 \3 \; ~# C6 I
现在板子压降很大,不知道怎么操作可以改善下压降,这个算是PDN轨道塌陷吗
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不是,这是直流压降,PDN的压降一般是PDN阻抗过大导致的。直流压降考虑的是直流电阻的影响,直流电阻跟铜的横截面积和长度有关,处理方式有加大铜面宽度和厚度以及减小铜走线长度。对于实际工程经验来说,DCDC靠近负载管脚放置,过孔anti-pad分割要注意瓶颈通流,过孔数量要均匀和足够,平面分割要考虑电流密度,尽量让平面通流更加均匀
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作者: 啊啊啊诺诺诺    时间: 2022-10-17 15:14
嚼出西哈范 发表于 2022-10-17 09:506 H' ?# Y! b- i7 N; U# V2 Q
不是,这是直流压降,PDN的压降一般是PDN阻抗过大导致的。直流压降考虑的是直流电阻的影响,直流电阻跟铜 ...

6 U  k3 f. q2 m+ Z您那边可以做PDN仿真吗,我按网上sigrity流程一步步操作的,怎么出来的结果波形差很多,感觉一点都不对,是怎么回事呢3 _& U0 S: J. C, C7 l' X- U





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