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标题: SIwave怎样通过放置合适的电容来优化电源平面 [打印本页]
作者: 啊啊啊诺诺诺    时间: 2022-10-12 18:26
标题: SIwave怎样通过放置合适的电容来优化电源平面
请教大神，有指导吗，，万分感谢        SIwave怎样通过放置合适的电容来优化电源平面，降低压降
: v- L) Y. b7 w
作者: nevadaooo    时间: 2022-10-12 18:59
容值，距离
作者: 嚼出西哈范    时间: 2022-10-13 10:42
你说的是PDN轨道塌陷吗？还是直流电源压降呀
作者: 啊啊啊诺诺诺    时间: 2022-10-13 13:33
嚼出西哈范 发表于 2022-10-13 10:42$ K' _( J7 ]% K" W
你说的是PDN轨道塌陷吗？还是直流电源压降呀

4 j4 D! W8 w- {* [' v* [/ W现在板子压降很大，不知道怎么操作可以改善下压降，这个算是PDN轨道塌陷吗5 c# W4 v1 V. t& D' S
作者: mggimg    时间: 2022-10-13 16:30
啊啊啊诺诺诺 发表于 2022-10-13 13:33
( z# [& c: H& J$ e现在板子压降很大，不知道怎么操作可以改善下压降，这个算是PDN轨道塌陷吗
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铜皮的路径的宽度问题
作者: 嚼出西哈范    时间: 2022-10-17 09:50
啊啊啊诺诺诺 发表于 2022-10-13 13:33
. W! }8 a4 V- h) d* z% k& S现在板子压降很大，不知道怎么操作可以改善下压降，这个算是PDN轨道塌陷吗
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不是，这是直流压降，PDN的压降一般是PDN阻抗过大导致的。直流压降考虑的是直流电阻的影响，直流电阻跟铜的横截面积和长度有关，处理方式有加大铜面宽度和厚度以及减小铜走线长度。对于实际工程经验来说，DCDC靠近负载管脚放置，过孔anti-pad分割要注意瓶颈通流，过孔数量要均匀和足够，平面分割要考虑电流密度，尽量让平面通流更加均匀' x. _  z/ ~5 L
作者: 啊啊啊诺诺诺    时间: 2022-10-17 15:14
嚼出西哈范 发表于 2022-10-17 09:50- E- @$ C4 J# p; ~( G
不是，这是直流压降，PDN的压降一般是PDN阻抗过大导致的。直流压降考虑的是直流电阻的影响，直流电阻跟铜 ...
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您那边可以做PDN仿真吗，我按网上sigrity流程一步步操作的，怎么出来的结果波形差很多，感觉一点都不对，是怎么回事呢& @4 g4 V2 u0 E$ y0 l9 {0 Y




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