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标题: RF测试座和ANT ipex layout问题&功率测试差异 [打印本页]
作者: RGB_lamp    时间: 2022-10-9 10:33
标题: RF测试座和ANT ipex layout问题&功率测试差异
最近遇到项目问题，TX POWER 测试，在RF测试座处和IPEX 座处功率差异，高频竟然查将近2dbm，两者之间只有一小段trace和一个L型匹配，将通路调至50Ω后，高频功率测试仍然差1.3dbm。$ s6 w. @, e  i: ]2 b- s
( Z! F9 ~: d% y
请教一下高人，IPEX 下面 layout时候一般都挖几层啊？ RF测试座下面也要挖空吗？
$ T1 |4 t. g8 b! S) o是什么原因导致两者之间得功率测试差异这么大，用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右。4 t( ~: W. D( o& o* Y$ L
作者: 名字好听吗    时间: 2022-10-9 14:00
其实走线只要做了50ohm，测试座和同轴线座子下面挖不挖差别不会太大。可以把IPEX座子去掉，焊猪尾巴测测看，焊的时候接地要尽量靠近信号。
作者: VIC56    时间: 2022-10-9 14:14
你的I-PEX是用那种扣线测的？还是呈标的标准测试线？那种几块一根的扣线，测高频，测多几次不准的概率极大，吹掉焊根铜管看一看；
. U1 [: m( Y8 I4 M, ~- f# H6 |另外，注意你的射频线，是不是下方扣地了？如果扣地了，线离两侧地太近，对高频也会有影响的。
作者: criterion    时间: 2023-2-9 09:37
IPEX一般而言   因为焊盘较大    就算挖空到两层都不为过
( l7 c+ ?; o5 t: r* k# Q% E/ l你去计算阻抗就知道  即便挖空2层   50奥姆线宽: r1 C* V2 c7 y/ f. a+ b% X
都还比IPEX焊盘细    S; n( D& T& }* F# P5 L0 I

' Y1 \9 l$ _1 c0 I' B1 i8 b至于RF测试座   则看焊盘大小  如果跟50奥姆线宽差不多  那就不用挖
1 c: F2 F% ?" ^7 m总之  焊盘挖空的用意是6 r% e: W7 g( q: o0 [$ _

: d) k$ ]. F0 B, e* G7 c! F  m1.        阻抗接近50奥姆
4 f8 V" I# x2 ^9 x2 y2.        降低寄生电容3 K( a* o# p4 l- @1 `
/ A: H& h4 z  t5 u% ]. B- R
先满足1再来谈2   不然如果焊盘大小跟50奥姆线宽差不多" u. ]! f1 }" W# F; J& d, @
你硬挖空   寄生电容是降低了没错   但阻抗高于50奥姆  n) c. S6 W% [5 L6 N: Z
这样不会比较好  不用想说匹配调回来   没这么万能
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4 c7 V6 x) b* \+ R& C0 X+ I至于你说调至50Ω  用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右
' `" x' e* G) _4 Y: w, d( I. m这个都是你用铜管量出来的  没考虑到测试座本身的影响
6 j# D2 g* R' F+ T  j! C8 l建议你用测试座去量   才会比较准7 z. \, f. l+ ~
因为焊盘没挖空的影响    要用测试座去量  才会显现
; j( D- m( T' x* T# X用铜管去量   是显现不出来的
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