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标题: 把mos管的G极floating，S接地, D开关3次，为什么就烧了 [打印本页]
作者: mmmmh    时间: 2022-10-7 16:34
标题: 把mos管的G极floating，S接地, D开关3次，为什么就烧了
如题，1问
! j3 s5 F6 G/ z5 u6 G$ Y2问，烧在哪个位置？burn mark location ) T- H+ M3 s9 M) @& J
3问，原理，为什么有些厂商的一次开关就烧，有些永远不烧。
0 \* Z  p& r/ ]3 k6 X- S( j$ w8 _) E! ~9 Y0 U
对于发表SOA帖子的那位TI cyclon工程师，请问，为什么TI SO package的永远烧在gate pad角落，而其他烧在wire bonding area。当年给TI设计76套版图的那位s姓工程师是知道原因的。3 X: L2 v/ C5 R9 J& A

+ V  a4 G$ {4 v& u" |( T" @' Q7 y) O给四川26所同志一个建议，因为你们已经知道这个原理已经用在乌克兰干扰俄罗斯导弹上，需要帮助可以联系。$ a9 w+ o# r3 A4 o7 I
作者: DING    时间: 2022-10-7 16:50
？？？？？
作者: 155351394    时间: 2022-10-8 08:26
:hug::hug::hug:
作者: 嚼出西哈范    时间: 2022-10-8 09:43
？？？？？？
作者: 蛐蛐儿呀    时间: 2022-10-12 15:50
2222



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