EDA365电子论坛网
标题:
MOS器件中有关迁移率的问题
[打印本页]
作者:
justlikethisis
时间:
2022-9-27 13:17
标题:
MOS器件中有关迁移率的问题
在同一个半导体中，电子的迁移率高于空穴的。
& w; G* W$ K D; g; `
# Z" g$ ]$ Q5 E. ]( S) G: d
1.如传统的N MOS 器件 我们用P衬底，但是算沟道电子迁移率 u=qt/m 其中t 和电离杂质散射和声学散射有关（以Ge为例），此时t和 参杂的Ni 有关，其实就是p衬底的浓度， 这样以来 算电子和空穴 用的都是P衬底的参杂浓度，当然电子的m有效质量大于空穴的， 所以 电子和空穴的有效质量不同 就在于 与 电离杂志散射和声学波散射对应的系数了吗？
* B7 H6 ~! y! G5 G! A2 F, U" d5 c' t
- }& p6 M7 w8 d9 I/ I7 d! `. l2 s
2.我们平常用的mos器件 实际上是反型出来的少子导电，那如果是多子导电，先不考虑工艺实现与否，
B7 @4 h# o) a8 d
同等参杂浓度的衬底， 一个是p型 我们用其中的少子电子导电
8 C2 a* |9 R3 Z) q. t
一个是n型，我们用其中的多子电子导电
8 e" @- V# \3 c, W* u8 H1 t" w2 I7 X) w
" K4 t4 S4 U2 k
直观上看，后者电流应该大
+ U7 k5 N7 ~3 u A0 f
2 }/ K# k4 ~2 A8 {. j6 g8 U) p
但是要计算两者究竟谁的电子迁移率高 怎么计算？？
! U/ u( ]) X& W; q7 t) {
作者:
starskyuu
时间:
2022-9-27 14:38
多子导电就是电阻特性了
作者:
xiaoming11
时间:
2022-9-27 15:56
没咋研究过迁移率
欢迎光临 EDA365电子论坛网 (https://bbs.eda365.com/)
Powered by Discuz! X3.2