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标题: 芯片可靠性测试与设计 [打印本页]

作者: winushej 时间: 2022-9-23 09:33
标题: 芯片可靠性测试与设计

芯片的寿命试验HTOL（high temperature operation life）测试，曾经被认为某个芯片通过了HTOL 测试之后，就能够达到10年的寿命要求，其实不然。主要原因如下：

1）失效机理的影响：我们把引起芯片电路失效的几个失效机理，分析一下他们的加速系数就可以看到，芯片HTOL测试其实并不是都能够在1000小时，vddmax，125c条件下能够加速到10年。因此，HTOL是无法发现芯片在EM和BEOL TDDB设计问题。因此芯片的EM和BEOL TDDB是通过可靠性仿真来保证的

2）测试覆盖率的影响：HTOL的测试覆盖率不高，更别说做到100%了。由于试验设备的限制，HTOL的测试覆盖率比ATE测试机台低得多。只能跑部分ATE的向量。因此这个时候就需要通过可靠性仿真来补足。

3）对于模拟电路，HTOL无法通过抬升电压来加速1000小时到10年的寿命。因为模拟电路的直流工作点不能抬升太多，否则无法正常翻转。这样HTOL只能在接近正常工作电压下做测试，相对于数字电路能够升压到1.4vdd下测试，模拟电路做HTOL的意义不大。只能通过可靠性仿真来保证。

可以说芯片可靠性有80%以上是通过仿真来保证的。这样做HTOL有什么用？

总结：每一种失效机理都有对应的仿真手段和测试方法，需要相互搭配使用，才能完成对芯片的可靠性保证。

作者: starskyuu 时间: 2022-9-23 13:11
芯片寿命试验

作者: Quiescent_521 时间: 2022-9-23 15:15
可以做环境，震动试验

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