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标题: 求教MOS管控制问题(电源电压被瞬间拉低) [打印本页]

作者: replace    时间: 2022-9-8 15:15
标题: 求教MOS管控制问题(电源电压被瞬间拉低)
各位模拟大神,求教一个问题。如下图,BAT+点的电压,通常在2.4~2.8V左右,但是,每当按键之后,MCU的5脚输出高电平,导通了Q1的一瞬间,BAT+点的电压会被瞬间拉低1.5~1.7V左右,持续约数十毫秒,结果就把MCU给拉死了,导致复位重启。
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求教有无解决办法???
( o1 j* n  h7 h# p( L- |" f

3 R$ V; S. E2 ]8 E; O2 O( w1 f2 W- p8 r

作者: yeryu2010    时间: 2022-9-8 16:12
本帖最后由 yeryu2010 于 2022-9-8 16:17 编辑 6 G' ^2 T6 T2 W$ N8 S% W

; J/ u  B4 W) M5 j" c- ]1、Q1串一个NTC电阻,防止Q1导通瞬间电流过大;! p  U0 L3 `0 M8 x
2、加大R8电阻,并且R9并联一个电容,增加Q1导通时间;
  V- t; {% j  q+ _$ o3、BAT+并联一个大点的电容;7 J: r  t) c. |  K9 [5 _
- S9 p& D; o. ?. t* S& {6 d7 O
看看是否可行!
- f' X- Q( D# S$ O% w
  A. B6 _# ~  |* _; R* C4 |' I8 B- T& X) u  w- s
; d5 |% r3 n% C6 S3 c
: |1 R9 _5 L: j+ x8 B: m& q

作者: Dollche    时间: 2022-9-8 16:14
没有完全看懂,等以后用到的时候再来学习学习。
作者: someone    时间: 2022-9-8 16:35
电池内阻太大,带不动电机
作者: I_believe    时间: 2022-9-8 16:41
用pwm,占空比从小到大,慢慢启动。




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