EDA365电子论坛网

标题: 低压共源共栅电流镜的偏置电路 [打印本页]

作者: nocturne 时间: 2022-9-2 11:20
标题: 低压共源共栅电流镜的偏置电路

拉扎维书上的结构，原文 “M7提供所需的VGS，M6产生所需要的过驱动电压”
这个偏置电路似乎也没有任何的“反馈”或者“跟随”
我头发都抓掉了一大把也没想明白这么做目的是什么 : Q

我的想法是：在低压共源共栅电流镜中，Vb的作用是提供一个DC电压的最小值，使得M0饱和，M1饱和。
那么直接用一个二极管接法的MOS和一个电流源串接不就实现了吗？想要什么DC就能出什么DC。

按照上图的结构瞎调了半天，也不知道该从哪下手

作者: elephant_ 时间: 2022-9-2 13:16
1.假设M0和M1都是W/L，左边支路如果用一个diode MOS来实现，MOS尺寸是多少？W//L/4
2.左边的2个管子等效为一个W/L/4的管子，M7的尺寸W/L，那么M6的尺寸就是W/L/3，相当于一个沟道长度为L的管子和一个沟道长度为3L的管子串联，L要相加，也就是等效沟道长度=4L

作者: dream123 时间: 2022-9-2 13:22
你想的是Vb提供偏置，拉扎维想的是提供偏置的同时让电流镜两边Vds相等，我记得书上有说的让右边Vds等于左边Iref边的Vds，但是发现二极管连接的器件，（顾名思义vd=vg，因此会浪费一个阈值电压），所以让左边强制等于右边，记得方案一是通过在左边漏断增加一个电阻，让IR=VTH所以大致确保两边VDS相等，但是因为电阻容易受PVT影响，最后来到上面这个图。
优点:1两边VDS相等，电流镜正常工作。2没有电阻相对受PVT之间影响小，当然MOS器件之间也有失配3最重要得一点，也是解答了你最后的问题，这个结构Vb在保持左右两边Vds相等的前提下，自偏置了。不需要考虑额外偏置电压的选取及产生

作者: replace 时间: 2022-9-2 13:30
这M6和M7串接，不就是一个二极管接法的MOS吗？为什么要纠结呢？原文的意思是为了方便理解两层结构的cascode的偏置原理，如何分配电压能够得到最大的电压裕度

作者: qian211111 时间: 2022-9-2 13:33
M7的大小应该和M1相同。其实目的就是实现宽摆幅的电流源。

作者: li205212021 时间: 2022-9-2 13:36
这是一个典型的宽摆幅电流镜结构，其中M7，M6构成一个分裂晶体管MB，两者应该等价于M0，且MB的过驱动电压要等于M1M0之和，故MB的等效宽长比应该为M0的1/4（如果M1M0尺寸相等）

欢迎光临 EDA365电子论坛网 (https://bbs.eda365.com/)