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标题: MOS漏电流问题 [打印本页]
作者: whatever_    时间: 2022-8-11 14:28
标题: MOS漏电流问题
是不是VDS小于24V，就没有漏电流或者小于1UA
- C6 `+ K$ R3 k

3 \9 S; v6 |/ `
作者: I_believe    时间: 2022-8-11 15:07
这里强调的是VGS=0，小于1uA。
" j4 ]0 b! L: g- v+ `  x' PVDS=24V，只是测试时的辅助条件。, `& C5 q, C/ r9 g/ @6 H
又温度升以55度了，就不保证<1uA了，而只保证<5uA了。4 y$ J7 @  d+ K- E8 W! O: u: |
不过，如是VDS小于24V，在保证VGS=0的前提下，你的猜想的<1uA，我认同。但不认同=0。
作者: duhe3hfu    时间: 2022-8-11 15:13
漏电流理论上会一直存在，大小而已！VDS小（其它条件一样），漏电流也会小一些！
作者: we_happiness    时间: 2022-8-11 15:18
最大1uA应该是25度C的，随着温度升高，漏电流会增大。一般电压低一些，漏电流也会小一些。
作者: xpw543451225    时间: 2022-8-11 15:39
IDS阻抗大 但不是无穷大 肯定存在漏电流 而且不为零



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