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标题: 手把手教你做元器件失效分析 [打印本页]

作者: sugarbabysu    时间: 2022-3-31 14:39
标题: 手把手教你做元器件失效分析
失效分析是研发工程师的一项主要工作,因此元器件一旦坏了,千万不要敬而远之,而应该如获至宝。
开车的人都知道,哪里最能练出驾驶水平?高速公路不行,只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。

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失效分析基本概念


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定义:对失效电子元器件进行诊断过程。8 U( ?' l7 ]) }
1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。
2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。
3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。
4、失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。
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失效分析的一般程序

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1、收集现场场数据
2、电测并确定失效模式
3、非破坏检查
4、打开封装
5、镜验
6、通电并进行失效定位
7、对失效部位进行物理、化学分析,确定失效机理。
8、综合分析,确定失效原因,提出纠正措施。

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1、收集现场数据:
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应力类型

试验方法

可能出现的主要失效模式

电应力

静电、过电、噪声

MOS器件的栅击穿、双极型器件的pn结击穿、功率晶体管的二次击穿、CMOS电路的闩锁效应

热应力

高温储存

金属-半导体接触的Al-Si互溶,欧姆接触退化,pn结漏电、Au-Al键合失效

低温应力

低温储存

芯片断裂

低温电应力

低温工作

热载流子注入

高低温应力

高低温循环

芯片断裂、芯片粘接失效

热电应力

高温工作

金属电迁移、欧姆接触退化

机械应力

振动、冲击、加速度

芯片断裂、引线断裂

辐射应力

X射线辐射、中子辐射

电参数变化、软错误、CMOS电路的闩锁效应

气候应力

高湿、盐雾

外引线腐蚀、金属化腐蚀、电参数漂移


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2、电测并确定失效模式

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电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。
连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。
9 [' x# h7 h2 ]+ @1 I% \! L电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。
确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路。
三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。

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3、非破坏检查

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名称

应用优势

主要原理

X射线透视技术

以低密度区为背景,观察材料的高密度区的密度异常点

透视X光的被样品局部吸收后成象的异常

反射式扫描声学显微术(C-SAM)

以高密度区为背景,观察材料内部空隙或低密度区

超声波遇空隙受阻反射


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4、打开封装
开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类,微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。Œ
机械开封
化学开封

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0 F  R* B' `! j2 K
5、显微形貌像技术
光学显微镜分析技术
扫描电子显微镜的二次电子像技术
电压效应的失效定位技术

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6、半导体主要失效机理分析
电应力(EOD)损伤
静电放电(ESD)损伤
封装失效
引线键合失效
芯片粘接不良
金属半导体接触退化
钠离子沾污失效
氧化层针孔失效

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作者: shapeofyou888    时间: 2022-3-31 15:51
发现问题,找原因,确认,总结
作者: somethingabc    时间: 2022-3-31 16:36
学习了,以后就不会乱了
作者: IC老和尚    时间: 2022-4-1 17:41
失效分析是器件工程师必会的




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