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标题: [失效分析与可靠性]如何改善抛光表面的镜检效果? [打印本页]

作者: scott88    时间: 2022-3-28 11:00
标题: [失效分析与可靠性]如何改善抛光表面的镜检效果?
做断面分析抛光后的样品表面非常平整均匀,使用光学显微镜的明场照明,多数情况下反差不明显,需要通过刻蚀来加强。暗场照明对一些精细特征如空洞,裂缝和分层进行检查时比较有效。​* U& A8 ?9 _  E
SEM可以提供微观结构的形貌图,但是由于抛光态的样品表面平整度高,也要进行刻蚀以增大反差。BSE成像在研究抛光样品中的界面反应时很有效。​
, f1 _8 z0 Q1 K对抛光后的样品表面进行刻蚀处理,增强了样品表面的反差,能够在显微镜中观察样品反射率的变化或在SEM下清晰地观察样品表面外形特征的变化,另外还可以去除由于抛光而产生的金属变形层,以及抛光过程中嵌入的异物,比如缝隙,空洞等被填充等,所以刻蚀的根本目的是提高对微观结构的诊断可靠性。常用的刻蚀方法有化学刻蚀和离子刻蚀。​% {4 `5 I8 o& o1 j/ H
' o* c0 e# _5 p* b
化学刻蚀​
; z! O5 X: r& \; A6 Q8 Z电化学刻蚀是常用方法,它的基本原理是利用了原电池反应,在金相样品中的微结构之间形成一次电池,在阳极区和阴极区产生电势差的变化,阳极区受到刻蚀而阴极区受到保护。阳极与阴极可能在晶粒与晶粒边界,晶粒与杂质,以及不同的微观结构之间建立。​; P+ Z$ C, X4 Y* n
刻蚀剂一般由腐蚀剂(酸),调节剂(酒精或甘油)和氧化剂(过氧化氢)组成,电化学腐蚀在室温下进行,操作比较简单,一般是将样品浸入刻蚀液并轻轻搅动,时间一般在几秒到几分钟之间,电化学腐蚀不是适合所有微电子元件,因为各种材料之间通常存在很大的电位差,因此会产生如局部腐蚀,阳极金属完全腐蚀等现象,因此要通过尝试掌握正确的方法和参数。化学刻蚀剂常通过试验验证得到,刻蚀时间要控制好,以免破坏样品表面信息,有时需要选择折中的方案。列举几种常用的刻蚀剂:​. {# p9 I* l: x8 j' E
铝的刻蚀:​
0 }* F. j# Q4 \  \8 n2 s% J85%KOH 饱和溶液,用于刻蚀钝铝,擦抹2~10S​) D, Y! ?" s1 r( E+ _1 {! ~
凯勒试剂,用于AL和铝合金的通用试剂( 2.5ml HNO3,1.5mlHCL,1.0ml HF,9.5ml​7 ]! }* ^5 [. F  t2 p4 M
DI water)​
; t4 v' b: ^# Y9 W$ Q
- P* m) V; X4 ], k" h: J铜的刻蚀:​- @! ^1 W3 `# s7 G2 i
10ml HN4OH, 20ml H2O2,Cu 及其合金的刻蚀,用于印刷电路板,擦抹几秒钟​# ~& A* Y. S" O
" Y' V- S7 D# ~/ a2 Q; p
金的刻蚀:​
2 |4 {' x9 ^: P7 f1~5G CrO3,100ml HCL,用于纯金及其合金,擦抹或浸渍60s​
* I. R! V8 C/ Q6 C9 l$ H5 n5 l9 F8 @* \
锡的刻蚀:​
  M  d7 C5 y. o" E" m2~10 ml HCL,90~98ml 乙醇,用于锡及其合金,擦抹几秒​# @; t3 R; ^* c) x5 @$ R" K
# d6 ]8 g: G- P' n) R- A
硅的刻蚀:​
* q0 D9 p6 }0 P5 e8 @2 f7 s1 o10ml HNO3,10ml 醋酸, 1mlHF,提供氧化物之间的纹理并勾画出参杂结,擦抹2~10s​* S+ Z6 P" B8 S/ u. R; z: A
5 r- N4 j# z, B% G/ }9 W
二氧化硅的刻蚀:​
/ G% a' w  A. M: ]NH4F:HF 7:1,氧化物腐蚀, 浸没几秒​) a/ i+ x7 `* W  k& D$ ?' ?
8 G  B9 Q1 j4 g0 R
2. 离子抛光(Ion milling)​( p1 O$ p, x: ~5 P7 c
把样品放入真空室内,特定气体离子被加速到高能态,与样品表面碰撞,电离的气体从样品中剥离出表面原子,从而达到抛光效果。样品中不同材料的剥离速率不同而产生反差,剥离速率取决于气体类型,碰撞角度。和化学抛光相比,离子抛光设备较贵,抛光时间较长。8 N' Q( C- t! g. L

3 B; r/ O  f( d4 _5 [' f
作者: rergr    时间: 2022-3-28 14:45
常用方法化学刻蚀和离子刻蚀
5 n9 A7 b$ N' s2 A$ e
作者: DunklopS15    时间: 2022-3-28 15:43
氧化锡的两个特点的b的最后一句话,应该是电阻升高吧?  G0 P7 N. U! u2 b





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