EDA365电子论坛网

标题: 为什么这个开关的thermal pad用drain极来做而不是连接到GND [打印本页]
作者: kobeismygod    时间: 2021-11-20 14:13
标题: 为什么这个开关的thermal pad用drain极来做而不是连接到GND
看到AOZ13984这个物料用drain做thermal pad， 然后还需要去设计比较大的散热铜皮， 纳闷为什么不设计成把EXP pad直接连接到ground上面，这样散热不是更好？PCB设计也更简单
' M! s, h7 ]4 U& t' t3 H- E
作者: asdf193    时间: 2021-11-20 14:28
你看他原理结构就知道了啊，大电流的时候，那个里面的两个MOS管会发热啊，所以要把热量传走免得升温，这个芯片里面的地就是个参考用，又不走电流。电流是从外面的地回流，
作者: allegroxxx    时间: 2021-11-20 21:42
如果这样大面积连接，PCBA加工的时候锡膏散热过快，空焊很严重的
作者: guchenglihua    时间: 2021-11-22 10:27
楼主，其实你看这个芯片的工作原理就知道了，它本身地的电流就不大，这个地都是那些控制信号的参考地没有大电流流过，所以不会发热。而输入输出是要过大电流的，所以才会有这样的应用。
作者: kobeismygod    时间: 2021-11-22 14:51
asdf193 发表于 2021-11-20 14:285 M3 x5 k4 @' \+ ]. M* _
你看他原理结构就知道了啊，大电流的时候，那个里面的两个MOS管会发热啊，所以要把热量传走免得升温，这个 ...
" P% B- e  ~6 \9 s3 V" }
我其实说，把这个thermal pad做成GND net ，不是也可以把芯片本体的热散到PCB上面吗？不需要单独做layout 比较简单
( D( ?0 M. f9 O- y/ s% \
作者: 超級狗    时间: 2021-11-22 15:32

8 H& \; p( s- |( t! F' u. l+ w" p% O3 \! z

! y1 ^* \0 Z1 E7 R. K

AOZ13984DI-02.jpg (21.07 KB, 下载次数: 8)

AOZ13984DI-02.jpg
作者: canatto    时间: 2021-11-22 23:45
本帖最后由 canatto 于 2021-11-22 23:47 编辑 # W7 \- Q8 x+ h" f* m3 F: I1 u0 `" r
: i8 V' m& H* t1 `% |1 X+ `
FET的功率耗散是发生在drain上，为了有效散热它的封装构造决定了drain与热焊盘有最小热阻，两者直接电连接。这样凡是在应用电路中drain不是接地的情况，如果要求用PCB铜箔帮助散热就只好专门设计一块铜箔连接热焊盘，而且不允许接地，否则短路冒烟。
作者: kobeismygod    时间: 2021-11-23 15:51
超級狗 发表于 2021-11-22 15:32
  • 芯片的熱源主要來自 MOS 管，該部分沒有任何一個腳位或接點接地。
  • 即便能接到地，相對的也會把熱 ...

    • ; c& E/ m, |3 O0 I7 _. p% U3Q
    . N0 |$ E2 \7 O% f
    作者: kobeismygod    时间: 2021-11-23 15:52
    canatto 发表于 2021-11-22 23:45
    3 V/ F6 q9 h* Y& vFET的功率耗散是发生在drain上，为了有效散热它的封装构造决定了drain与热焊盘有最小热阻，两者直接电连接 ...

    ( _( g7 y( M" v/ P8 v7 F如果是共source背靠背， 也还是要用drain做thermal pad?
    / D, N, ]1 G, _0 Z: j) W
    作者: 超級狗    时间: 2021-11-24 13:08
    kobeismygod 发表于 2021-11-23 15:52
    : r1 {/ l- u! q( S$ V# V4 T如果是共source背靠背， 也还是要用drain做thermal pad?

    7 O, m1 s; B5 O吾人畢生所學，盡傳予汝！! Q8 W) H" A; J0 g

    4 l" R. Y1 o- N4 t1 ^9 I2 o你害我昨晚帶著肉乾，去請教已經退休的師父。（自行束脩以上）- t7 G3 Y! ^0 \% Z

    " [4 {1 L7 C& l! ?) R. G+ n+ Q1 @4 \# R; x' B1 n

    為什麼大多數 Power MOS 的 Exposed Pad 愷設置在 Drain 端？.pdf

    590.49 KB, 下载次数: 4, 下载积分: 威望 -5

    作者: canatto    时间: 2021-11-27 06:58
    kobeismygod 发表于 2021-11-23 15:52$ h/ i0 N+ z' A7 L5 {9 K+ {( s
    如果是共source背靠背， 也还是要用drain做thermal pad?

    ; _1 T/ |" o! ~thermal pad 在器件内部连接 drain极，是半导体工艺决定，没的改。
    * F  u6 \. H2 ^* h* c1 T



    欢迎光临 EDA365电子论坛网 (https://bbs.eda365.com/) Powered by Discuz! X3.2