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标题: 高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔离 [打印本页]

作者: lahhse    时间: 2021-10-22 09:15
标题: 高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔离

: G! e6 I6 \( b! V尽可能地把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔离开来,简单地说,就是让高功率RF发射电路远离低功率RF接收电路。手机功能比较多、元器件很多,但是PCB空间较小,同时考虑到布线的设计过程限定最高,所有的这一些对设计技巧的要求就比较高。这时候可能需要设计四层到六层PCB了,让它们交替工作,而不是同时工作。高功率电路有时还可包括RF缓冲器和压控制振荡器(VCO)。确保PCB板上高功率区至少有一整块地,最好上面没有过孔,当然,铜皮越多越好。敏感的模拟信号应该尽可能远离高速数字信号和RF信号。

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作者: Cyberbot7    时间: 2021-10-22 10:33
敏感的模拟信号应该尽可能远离高速数字信号和RF信号2 _& x, ?0 y' x. e5 q

作者: Blah    时间: 2021-10-22 10:50
手机功能比较多、元器件很多,但是PCB空间较小,同时考虑到布线的设计过程限定最高,所有的这一些对设计技巧的要求就比较高
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作者: land    时间: 2021-10-22 11:15
高功率RF放大器
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