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标题: FP35R12W2T4问题咨询 [打印本页]
作者: 月色    时间: 2021-10-8 17:46
标题: FP35R12W2T4问题咨询
IGBT型号：FP35R12W2T4  Ic=15A左右，Tvj=25到125度。  c& i/ t- B+ H! ^7 u2 z
咨询下Vgeth和Tvj的对应曲线关系。
$ h4 A6 R. f( M' @1 Y) o2 \, C0 d& v1 @/ v7 X% Q) t4 i( p' i& g
目前有一款产品，因为米勒效应，在下桥开通时，上桥Vge能达到6V左右。模块在Tvj≦115度时无问题，当Tvj＞115度，模块会炸机。
" E2 t% i7 r4 ~6 f9 _+ E波形和原理图见附件，麻烦看下有什么地方需要调整的，谢谢！
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2-VL 3-VH

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2-VL 3-VH

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图纸

图纸
作者: startostar    时间: 2021-10-9 09:42
死区时间控制好，IGBT过热过流等保护必须有效
作者: 月色    时间: 2021-10-9 13:30
startostar 发表于 2021-10-9 09:42
& B' \2 [3 |9 o% L; ~死区时间控制好，IGBT过热过流等保护必须有效

& |; j& C- s7 E/ @0 \; d; A死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。
: |+ F2 \, l! m5 A7 K
作者: startostar    时间: 2021-10-9 14:20
月色 发表于 2021-10-9 13:30
$ r9 o$ d9 @3 V% v* C% d死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。

$ l5 L3 j! b; T2 s1 G- D设计没问题的话，要考虑IGBT使用功率，可以使用同封装大功率模块+加大散热，去尝试定位问题
( u  M4 u1 |+ M' ^. E: e



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