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标题: 芯片封装名称说明 [打印本页]

作者: hunterccc    时间: 2021-9-14 10:20
标题: 芯片封装名称说明
1、BGA(ball grid array)
' A+ V$ A' N* \( M" T+ {- t  球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在 也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。, d& [7 ~; ^. d- u3 D% Q* M, Y
  2、BQFP(quad flat package with bumper)
! L6 A6 h) l; C" f% j! M  带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
1 I  _) U. I7 M  3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)! x  d, l0 V8 m
  表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
1 v! b- \+ y0 y" Y0 m; x6 G  4、C-(ceramic)
/ C* P1 @0 r5 H2 B" I" R  表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。6 S: V' c" q/ q1 U, J: E, ^
  5、Cerdip
6 E4 {  ^" ?6 [& c  用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。! a* z" [. ^" U2 _" c) g) P. X: A( i
  6、Cerquad0 u$ Z, r  K  s. b4 T+ b5 h* l3 r9 ?! h
  表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1. 5~ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。- x( `( S. x/ P1 Z% d% g; d9 ?; f" W
  7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
3 ?- b2 G! R( \4 V7 ^: K! Z   带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
/ \, v- \, j+ `5 o  8、COB(chip on board)
- X4 T+ I/ W$ M5 v5 D( b  板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与 基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。9 v/ {, S7 [. H
  9、DFP(dual flat package)
% U! @9 i8 }8 Q$ C: t0 O" @, [  双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。3 m  C  h; |. @) ^7 X; B1 [" w
  10、DIC(dual in-line ceramic package)# L/ z5 D: A3 H
  陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
3 ?. M- |# T2 Q7 p8 W  11、DIL(dual in-line)- }7 G" S! y) @
  DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
- _' F/ Q2 g' H9 M" ]8 A. p  12、DIP(dual in-line package)
& I) S1 g/ ^# d, ^" r) R1 _  双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。 引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分, 只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。* f! I0 x8 ^) H! R3 ]8 x
  13、DSO(dual small out-lint)
: b# G0 z2 A7 |6 y; a   双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
: \$ M, P* k* E; T( o  14、DICP(dual tape carrier package)
3 G% Z! A1 C4 x5 S# Y& X( c  双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为 定制品。 另外,0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定,将DICP 命名为DTP。
. x" j8 X- n$ l$ F  15、DIP(dual tape carrier package)  S% `) s  t- \
  同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。; @, h% ^+ |) q6 u, U
  16、FP(flat package)
! s9 X- r6 \) J4 ?# w   扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。
$ i4 o% b! J9 F5 ~& J* C  17、flip-chip1 a, L4 X/ G) E9 g/ T# _1 H
   倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸 点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。1 ?! n$ V; r6 I) d8 \) a
  18、FQFP(fine pitch quad flat package)) y6 s0 v# J$ c' C3 C* ~$ G. e
  小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。
; n4 E  J' x; E/ Z3 S" I2 ^  19、CPAC(globe top pad array carrier)% C$ G) B, p2 J8 e2 a$ o! ]4 r0 \3 Y
  美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
3 ~; [$ H- D$ [' `1 ]2 O9 `  20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
, v( ^6 O3 b# Q  带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208 左右。
: Z4 N+ E4 I( H- {. B  21、H-(with heat sink)
  j8 n1 b4 |" W. s   表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的SOP。
- D* W- T+ f7 D6 J; ^  22、pin grid array(surface mount type)
+ k3 q  B1 \! K- s; d  表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA 小一半,所以封装本体可制作得 不 怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。* d/ }+ g' \7 w; p; `
  23、JLCC(J-leaded chip carrier)6 K+ ]$ b( j  ?: E
  J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。" n% l. O2 G4 |  Q
  24、LCC(Leadless chip carrier)5 Z, I. S0 N$ T4 u6 U
   无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频IC 用封装,也称为陶瓷QFN 或QFN-C(见QFN)。- c, e! J6 r% `  R" V& p/ n( T
  25、LGA(land grid array)( @4 l* B2 r# V0 T3 ?
  触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻 抗 小,对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。/ O. i4 D/ c! {2 M  l' ?0 z
  26、LOC(lead on chip)
) J5 @# Z5 E' S4 [# P/ D& |  芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片 的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
5 m* y. b: }( v, |' j8 O/ Y  27、LQFP(low profile quad flat package)9 S" V4 x5 d# l+ f% K. E" F+ ~
  薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
! V1 ?9 X+ {9 u9 O  28、L-QUAD7 o+ E$ m  b8 A( Q2 h
   陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8 倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。
+ {! C2 L$ S) X3 s  29、MCM(multi-chip module)9 _. n9 J$ ?6 G
  多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大类。 MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低 。 MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。
/ t& E9 i& b9 z- w  MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。* B2 i. c* h: W' V6 @
  30、MFP(mini flat package)
/ O( j! f+ f2 e5 |" N   小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。0 X" U2 `: R/ \4 C3 j; y
  31、MQFP(metric quad flat package)
0 x( W$ P0 p2 L( G- p1 Z6 F  按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm 的标准QFP(见QFP)。9 K! k, {- n+ K; h1 j
  32、MQUAD(metal quad), N9 ]% H. H: n( a+ j; c. t; w, J9 z
  美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5W~2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。
, C5 S" w6 \1 T; ], ]5 b9 y; |. t  33、MSP(mini square package)  A" \7 I- a1 n1 ]
  QFI 的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
3 q8 x+ C0 _) W+ X1 Y  34、OPMAC(over molded pad array carrier)/ l9 i. }0 U' D  G2 H9 ], Q. R5 w
  模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
, X& w- J/ e# b4 N  35、P-(plastic)
0 L6 V" s" ]6 ]! ^* ^8 c! k' }* U  表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。$ f8 [9 ]! m) Y6 a* A1 v
  36、PAC(pad array carrier)- f) }' {' r! ?$ v% Z% u
   凸点陈列载体,BGA 的别称(见BGA)。' Y! i8 y$ ]; w/ N/ c
  37、PCLP(printed circuit board leadless package)
7 R* t! ]) K4 a1 T  |  印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引
! p  K, R* u; p& m  脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。
8 W1 ^" R) ?7 ~2 I6 E2 `: D$ X  38、PFPF(plastic flat package)
( j) W! F8 v0 g( r   塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。! {- n3 m5 W! k1 t8 E. \
  39、PGA(pin grid array)9 g% W8 p5 C4 z4 [- S7 u  g
  陈列引脚封装。插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都 采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64 到447 左右。了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64~256 引脚的塑料PG A。 另外,还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装 型PGA)。
5 ^2 S) @2 ]' N+ m7 B  40、piggy back/ b. g4 Q3 }" @0 p7 y
   驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如,将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是 定制 品,市场上不怎么流通。
) U( {, v. k+ h1 X  41、PLCC(plastic leaded chip carrier)+ }& N/ A& n' O6 H0 |/ y2 t
  带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 , 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,现在已经 普及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 到84。 J 形引脚不易变形,比QFP 容易操作,但焊接后的外观检查较为困难。 PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前,两者的区别仅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但现在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PC LP、P -LCC 等),已经无法分辨。为此,日本电子机械工业会于1988 年决定,把从四侧引出 J 形引脚的封装称为QFJ,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。7 T8 o3 s9 E% q' z; e
  42、P-LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)# L" O' h1 A$ t) M5 W/ I. `! T
   有时候是塑料QFJ 的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分
0 g" E1 a. b3 r6 X/ O  LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装,用P-LCC 表示无引线封装,以示区别。
  O+ p" @( e$ Q* Y  43、QFH(quad flat high package)
9 E2 v7 S# ^' w- x, T& A1 [: |   四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种,为了防止封装本体断裂,QFP 本体制作得较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。, a& G, u# D( E
  44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
4 A9 ]4 `1 g, ], F   四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈I 字 。也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分,贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外,日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 于68。7 o, B% U7 k( [$ c% o
  45、QFJ(quad flat J-leaded package)
1 W4 \4 b, }& N- x# I# o5 m  t+ _6 E   四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈J 字形 。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。
! h+ x8 N0 G) m, H# g0 O: h  材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC),用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。
8 ]7 ?8 j6 N1 Y( E" r  陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及 带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。
( c# t& @8 S0 C# E. }  P  F  46、QFN(quad flat non-leaded package)
/ R. w+ k$ b% ~8 c3 @* v( v7 ~  四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP 小,高度 比QFP 低。但是,当印刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解。因此电 极触点 难于作到QFP 的引脚那样多,一般从14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。
! ^  y& `. h( E+ i- {9 D  B+ J  塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外, 还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P-LCC 等。
3 h7 `) C7 g1 x8 r; y9 L  47、QFP(quad flat package)
; A: g( t" T) G1 l; K/ A7 _# \, K   四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有 陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看,塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时, 多数情 况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器,门陈列等数字 逻辑LSI 电路,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。 日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别,而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm~3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。
+ M3 ]  @; o7 \2 P7 v  另外,有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP,至使名称稍有一些混乱 。 QFP 的缺点是,当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已 出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP);带树脂 保护环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP);在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。 在逻辑LSI 方面,不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqa d)。
7 g9 b' w! e6 ?) j0 s3 A$ X  48、QFP(FP)(QFP fine pitch)1 Z  k' M% ?. i7 P5 G$ s
   小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。" ~. C. F5 y# j( \& l
  49、QIC(quad in-line ceramic package)
5 s* r- f1 u9 ^# L- }0 o, `0 M% `; x   陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。! Z8 A$ P5 p& X# f+ r  X
  50、QIP(quad in-line plastic package)0 j" V  g! R' h5 ?
  塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。  u% J7 @& Y5 I( W7 F0 t. @
  51、QTCP(quad tape carrier package)
8 v4 i4 I9 E3 R7 [3 w  四侧引脚带载封装。TCP 封装之一,在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。0 |" r) `8 H. z4 Z) F% Q/ O
  52、QTP(quad tape carrier package)
. J0 Z% J3 ~! I   四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。
7 u1 |; f& k) @8 |1 Z7 a4 f  53、QUIL(quad in-line)' O* J$ P5 [4 a# t0 b
  QUIP 的别称(见QUIP)。. D/ l$ J1 D( x- i  l7 @
  54、QUIP(quad in-line package)# G8 l1 H. c8 F: w5 e4 C( ^9 f4 t
  四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中心距1.27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板 。是 比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。
- g/ L+ ^$ c- ~" N* x6 Q8 v  55、SDIP (shrink dual in-line package)) s/ X$ {  g) A1 ?
   收缩型DIP。插装型封装之一,形状与DIP 相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm),7 {9 h" |' \) k2 m& K/ P8 E
  因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH-DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。
- X7 G8 t0 j* V, `! m  56、SH-DIP(shrink dual in-line package)
/ K. X/ q* U3 b7 [( I2 H   同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。
  ^3 M5 t. o5 d/ O4 F7 {/ q3 O# ]  57、SIL(single in-line)1 _, I( F5 X) m- l/ W
   SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
! ~+ {+ v; X- ?9 W  58、SIMM(single in-line memory module)
( O, r- l/ e$ [& R  单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30~40%的DRAM 都装配在SIMM 里。
' U4 m3 f! v; {: e8 X0 p* @  59、SIP(single in-line package)
" O7 h4 A6 ^! H( u  X   单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从2 至23,多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。( v* Y, y- E3 S! [) |1 w9 X/ C
  60、SK-DIP(skinny dual in-line package)
2 `+ e$ h$ @3 v( g6 {2 A, B8 p   DIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP(见 DIP)。
! X9 E- _8 S3 h( @4 E  61、SL-DIP(slim dual in-line package)& ]1 b  i: E: s2 E2 v$ j  l
  DIP 的一种。指宽度为10.16mm,引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。
8 w0 V9 L- k+ E( q' U1 Q* t) L4 _* Y* [  62、SMD(surface mount devices)7 d2 |- I- p& y% ?. w' Z" `# H
  表面贴装器件。偶尔,有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。
- S9 Q( u8 `% p9 P; l  63、SO(small out-line)
. `9 Q7 @0 O3 v2 k( R   SOP 的别称(引脚间距1.27mm)(SSOP引脚间距小于1.27mm)。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。
' q/ d" z9 b- ]  64、SOI(small out-line I-leaded package)
$ c3 M/ w1 }) {: s8 |8 e  I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形,中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。* E7 U. H9 ]4 |. G% h  P- h
  65、SOIC(small out-line integrated circuit)
# x& D- e  \/ f, K$ X4 x8 b( B  SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。
: i, _: h& O; S- w0 F# m9 ], t  66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)
% V: }* A3 |+ D; a3 l3 u  b  J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形,故此 得名。 通常为塑料制品,多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路,但绝大部分是DRAM。用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm,引脚数从20 至40(见SIMM )。
8 \+ ?- N  @1 B0 B  67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)
$ q+ ^5 {; S% q+ }# U7 P   按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。! I+ g! `' V! k; E" N- y6 g* V
  68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)
; A0 H2 B, `4 C, _8 |   无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别,有意增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。
5 G1 ]3 `2 C7 Z3 e/ F  69、SOF(small Out-Line package)
2 B! u% Q+ L2 [* m  小外形封装。表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。; G8 c& h6 \5 \6 K0 }3 n
  SOP 除了用于存储器LSI 外,也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过10~40 的领域,SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从8 ~44。: u% F, f& Y1 Z2 V: c* i& q8 G5 c
  另外,引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP;装配高度不到1.27mm 的SOP 也称为 TSOP(见SSOP、TSOP)。还有一种带有散热片的SOP。9 _" W0 o, K& N, C( V
  70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype)): S3 F5 s0 D+ j* Q, A
   宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。
% b4 m2 |4 T7 J5 h# [  71、COB(Chip On Board)! R4 z+ g- J; X2 H  z
   通过bonding 将IC裸片固定于印刷线路板上。也就是是将芯片直接粘在PCB上用引线键合达到芯片与PCB的电气联结然后用黑胶包封。COB的关键技术在于Wire Bonding(俗称打线)及Molding(封胶成型),是指对裸露的机体电路晶片(IC Chip),进行封装,形成电子元件的制程,其中IC藉由焊线(Wire Bonding)、覆晶接合(Flip Chip)、或卷带接合(Tape Automatic Bonding;简称(TAB)等技术,将其I/O经封装体的线路延伸出来。
& c7 Y* u0 d: r: k9 `  72、COG(Chip on Glass)
9 ^$ V7 y' u' J2 |/ F! A4 F" g      国际上正日趋实用的COG(Chip on Glass)封装技术。对液晶显示(LCD)技术发展大有影响的封装技术。
# j* m, A. v! L
0 x$ V( f4 ^( ^3 |/ X1 I( Q: F4 X4 M5 X. g& f

作者: nuiga    时间: 2021-9-14 11:01
板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一
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作者: ssdgh    时间: 2021-9-14 11:19
MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高
作者: muzitongxue    时间: 2021-9-14 13:07
flip-chip是倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸 点与印刷基板上的电极区进行压焊连接
作者: faker12    时间: 2021-9-14 14:17
很全面  感谢分享




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