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标题: 这颗晶振的割地很奇怪 望高手给理论分析 [打印本页]

作者: kenji    时间: 2011-6-10 16:03
标题: 这颗晶振的割地很奇怪 望高手给理论分析
: _. c8 X9 V; {1 N6 ^
偶然看到一颗晶振的地处理,觉得很奇怪,而且有I-Channel GND这个概念出来,第一次 看见
; O$ K  }2 w1 o# x( L6 q; D' n高手现身说法吧
! V9 y! N+ f1 ^- X. g% e" H谢啦
5 E. l% @* S# r  u* |. z6 _

表层布局.jpg (115.76 KB, 下载次数: 45)

表层布局.jpg

GND层.jpg (110.42 KB, 下载次数: 26)

GND层.jpg

作者: 苏鲁锭    时间: 2011-6-10 16:56
不太懂,围观一下。
作者: qiangqssong    时间: 2011-6-10 17:59
表层地的隔离吧,有点类似于单点接地,抗干扰用!!!
作者: chensi007    时间: 2011-6-12 22:05
三星的MCU LAYOUT 指南中也是类似处理。

未命名.PNG (30.62 KB, 下载次数: 27)

未命名.PNG

作者: kenji    时间: 2011-6-13 10:37
回复 chensi007 的帖子
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9 G3 ?# Y; \7 i+ U所以这种设计兄弟有没什么解释的呢?
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作者: kenji    时间: 2011-6-13 10:42
回复 qiangqssong 的帖子
9 j1 K& J. c3 A# U: Y
8 t2 ^' n) o/ f隔离?那为什么还要再连接呢,这个也而且算是表层的多点连接吧
" T" C2 x/ \) m6 n) S/ _' X/ A而且地层也是做跟top一样的处理,咋解释呢?
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作者: xieyifu    时间: 2011-6-13 10:55
学习了
作者: ORZ    时间: 2011-6-13 16:05
就是为了隔离噪声。。; v7 `4 p, _; k
如果你有条件可以试试测试下。。。
* K( X% ]. P8 S/ z& R* |( ?我就测过。。晶振不论是从电源还是从地端。。都会向板子里辐射噪声的。。、
7 R8 `0 x3 F' z& U4 M这个处理方法和AD DA的地分割 然后地槽连接是一个道理。。。
4 D0 k9 y8 g$ T% L! S9 {" d- c只不过这里被分割的是干扰源。。
作者: qiangqssong    时间: 2011-6-13 17:37
楼主,你说BOTTOM层也是同样的处理方式:这块我也疑惑中???也想知道真正的答案,呵呵!!
作者: 王资1002    时间: 2011-6-14 21:36
做一个小岛通过那三根线连到系统地上面,防止晶体振荡的RF信号通过地进入其他的信号的回路,应该是这样吧
作者: kenji    时间: 2011-6-15 08:38
回复 王资1002 的帖子7 L* S( v8 U1 a0 Z
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这个作用肯定是隔离的
  ]; r% ]1 Q  h* R/ x$ z% d; c6 l& [但是有些还是无法理解啊
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作者: secret163    时间: 2011-6-16 20:49
无法理解,那位高手知道给解释一下,
作者: 赵云峰zyfone    时间: 2011-6-17 12:23
在晶振下铺地,抑制干扰,通过多个单点跟大地连接,可以起到滤波的作用,相当于电容的作用了
作者: crhappy    时间: 2011-7-4 16:46
回复 赵云峰zyfone 的帖子
' N! B" B0 I/ I) R+ H, h# e3 ?
4 N# z' G+ h# K峰子
作者: clp783    时间: 2011-8-3 12:39
等待正解
作者: 赵云峰zyfone    时间: 2011-8-4 21:10
回复 crhappy 的帖子
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作者: ゞPeace-    时间: 2011-8-25 16:53
没有见过
作者: 每天学一点    时间: 2011-9-1 09:22
等高手解答
作者: 一粒沙    时间: 2011-9-2 07:45
不懂额 求解时
作者: kelvin6661    时间: 2011-9-2 18:32
  
作者: walle    时间: 2011-9-30 15:46
这么久,权威高手咋还没出现?
作者: wzhua320    时间: 2011-11-2 11:15
这种晶振应该是高频率的而且是金属外壳,因为在起振后晶振外壳相当于天线,向外有辐射,外壳接地就是为了降低辐射
作者: niupin    时间: 2011-11-19 19:44
期待权威解释
作者: 特普斯    时间: 2011-11-23 15:53
路过,学习
作者: shiyq0579    时间: 2011-12-2 13:15
ORZ 发表于 2011-6-13 16:05
2 n6 Y2 P" ?9 T/ `/ g8 h; Y/ D就是为了隔离噪声。。
) J! L- o- q% P$ z如果你有条件可以试试测试下。。。
% w$ R' T6 [1 ^0 \我就测过。。晶振不论是从电源还是从地端。。都 ...
9 p, [- d, q6 c* E( c& R
这个解释已经足够了!
作者: hongyi    时间: 2011-12-5 23:01
三点桥连是不是应该放置在 clock下方,提供参考平面更合适点,否则clock回流绕路了,也会带来emi问题
作者: suicide915    时间: 2011-12-12 15:35
晶振布线的原则到底是什么?
作者: FLY    时间: 2011-12-12 16:15
如果分割点不靠近它工作IC的GND那就是瞎搞,主要的震荡元件在IC里,单单一个晶振是无法形成震荡电路的,这是基础知识!只有晶振的外壳地接IC里震荡电路的地这时回路才对,这时才叫分割隔离。如果分割不是这样考虑的那就是瞎搞。
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. x7 q' O2 O( A别以为老外放屁都是香的,路人说话都是假的。
作者: blue822180    时间: 2012-1-9 14:43
您用的是塑料外壳的晶振吧?
/ z) h: t+ |. O: I7 `1 y+ I此种晶振内部会想空间辐射并耦合其他器件上来,pcb材料晶体的引脚到地平面的高阻抗将会阻止射频鞥两耦合到地平面上去。对于金属外壳封装的需要完整的地平面
作者: rose_333    时间: 2012-7-9 10:31
如果是单点相接你还会有疑问吗?图中只是多了两处相接。与单点相接是一个意思。就是一个分割。目的只有一个,防止干扰的。
作者: eda-chen    时间: 2013-2-3 03:31
和模拟电路通网络地分割法一样~保持地干净,小范围不碍事,大范围不建议,破坏平面完整
作者: leojl_liu    时间: 2013-3-7 16:13
求解
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作者: shuhai003    时间: 2013-3-20 10:21
FLY 发表于 2011-12-12 16:15
* }/ a3 ?( P) j1 W& h如果分割点不靠近它工作IC的GND那就是瞎搞,主要的震荡元件在IC里,单单一个晶振是无法形成震荡电路的,这是 ...
# f' T6 p, E, V5 z( O5 _
个人认为FLY的分析是对的,我们去看芯片的规格书你会看到晶振的LAYOUT指导说明的。
作者: Jessica2014    时间: 2014-10-18 17:57
本帖最后由 Jessica2014 于 2014-10-18 17:59 编辑 " N- \* e7 D$ a; _4 m* P
chensi007 发表于 2011-6-12 22:05
  }  h) z8 p' y7 B! ~6 `6 h" k4 A三星的MCU LAYOUT 指南中也是类似处理。
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好像是用隔离的方法来达到规定回流路径的效果,来达到减少地以及其它信号对它的影响!
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作者: Jessica2014    时间: 2014-10-20 09:06
Jessica2014 发表于 2014-10-18 17:57! F3 n1 I& R' ]9 J7 ^" k
好像是用隔离的方法来达到规定回流路径的效果,来达到减少地以及其它信号对它的影响!
/ R# l4 c' ]. p( c
就是为了得到一个干净的GND
作者: zhangtao2    时间: 2014-11-13 15:39
不好说,期望正确答案揭晓!
作者: Xuxingfu    时间: 2015-1-19 15:33
没有什么神秘,就是稍微分割了一下地而已。
作者: qiantan    时间: 2015-1-21 10:32
Xuxingfu 发表于 2015-1-19 15:33% A% B1 _; v9 H0 z: X
没有什么神秘,就是稍微分割了一下地而已。

/ l( X5 ~& l8 ^+ S+ V, n2 o" b那请教下图中分割的边界是不是有28楼所说的问题呢?0 N7 m2 e* c# T6 @5 Z4 ~0 O

作者: carol8688    时间: 2015-9-25 16:31
學習
作者: lzh4774    时间: 2015-10-12 13:29
qiangqssong 发表于 2011-6-10 17:59
+ D0 c: z% N+ w( G% l表层地的隔离吧,有点类似于单点接地,抗干扰用!!!

  B# d4 W, f7 E: Q) g  我感觉也是这样的!# a6 T: b3 W( H





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