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标题: PowerDC软件IRDrop仿真电流密度问题 [打印本页]

作者: Vegeta 时间: 2021-7-28 11:12
标题: PowerDC软件IRDrop仿真电流密度问题
请问一下PowerDC软件IRDrop仿真在电源芯片PIN脚处电流密度过大为103A/mm^2,为何我在紧挨着电源芯片PIN脚处打了几个过孔电感处也打了过孔内层也铺了几层铜皮后，电源芯片PIN脚处电流密度不降反增变成122A/mm^2，仔细看了下电流密度最大的地方在输出PIN脚和VIA之间，难道软件不识别VIA换层增强载流反而把VIA当成打断铜皮通道的地方？过孔也设置了Plating thickness为0.8mil。谢谢了！

作者: Vegeta 时间: 2021-7-28 11:39
另外一个不同的电源芯片我把过孔打在PIN上（孔壁与电源输出PIN相切）电流密度有所改善，之前的过孔靠近PIN但有10mil间隙

作者: zouliang 时间: 2021-7-29 08:40
建议贴上图片，不顾，感觉你这个是铜皮太小了，

作者: Vegeta 时间: 2021-7-29 10:12

zouliang 发表于 2021-7-29 08:40
c2 A h2 |- r! {建议贴上图片，不顾，感觉你这个是铜皮太小了，

如下图1为优化之前，图2是优化铜皮宽度之后，图3是优化铜皮宽度再加换层VIA和内层铜皮补强之后，通过鼠标探针显示可以看出优化铜皮宽度再加换层VIA和内层铜皮补强之后，电源路径中间的电流密度有所改善，但是不知为何芯片输出PIN与via之间的电流密度突然变大了许多。负载满载11A，图3芯片输出铜皮最窄300mil。

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作者: zouliang 时间: 2021-7-29 14:21
看下，电流流动的路径，电流朝阻抗低的地方流动，，，，电流大的地方多打孔

作者: Vegeta 时间: 2021-7-29 14:52

zouliang 发表于 2021-7-29 14:213 F1 j: U& S" _- c" a5 F, m0 u8 T1 ~
看下，电流流动的路径，电流朝阻抗低的地方流动，，，，电流大的地方多打孔

好像懂了点，电流流向阻抗低的地方和就近原则，通常过孔的阻抗偏低所以电流都涌向过孔这里造成这里电流密度大。谢谢啦

作者: Yuvcn 时间: 2021-7-29 23:57
电流就是偷懒，专门走阻抗低的地方！

作者: zouliang 时间: 2021-7-30 09:16

Vegeta 发表于 2021-7-29 14:52
6 V0 r$ U6 x/ B& A+ {好像懂了点，电流流向阻抗低的地方和就近原则，通常过孔的阻抗偏低所以电流都涌向过孔这里造成这里电流密 ...

你电源又不是高频，跟电容阻抗没有关系，，，只是这个路径更短，直流阻抗更低。

作者: 钓鳌牧马 时间: 2021-7-30 17:07
那个地方电流密度高升温以后电阻变大，电流会分流的

作者: E02577 时间: 2021-8-4 15:52
666666666666666666

作者: ldezgr 时间: 2021-8-14 22:35
努力才是王道，加油奋斗

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