EDA365电子论坛网

标题: 芯片可靠性测试要求及标准解析 [打印本页]
作者: mutougeda    时间: 2021-7-16 09:56
标题: 芯片可靠性测试要求及标准解析
本帖最后由 mutougeda 于 2021-7-16 09:57 编辑
6 u1 v  r; N" k8 }# h* I" M+ ]! @, K$ A
芯片可靠性测试要求都有哪些？华碧实验室通过本文，将为大家简要解析芯片可靠性测试的要求及标准。
5 h& |2 T( w, q* i& A/ e7 _
6 b2 ?+ c' G3 m大多数半导体器件的寿命在正常使用下可超过很多年。但我们不能等到若干年后再研究器件；我们必须增加施加的应力。施加的应力可增强或加快潜在的故障机制，帮助找出根本原因，并帮助 TI 采取措施防止故障模式。
# s7 H6 m7 z) m" \6 c6 a1 }( F5 w4 N/ E% U9 T
在半导体器件中，常见的一些加速因子为温度、湿度、电压和电流。在大多数情况下，加速测试不改变故障的物理特性，但会改变观察时间。加速条件和正常使用条件之间的变化称为“降额”。
7 b! G- D0 v; Y8 Q' E# u: z3 L6 T. [7 H5 [3 P! z

7 a5 o2 Z3 M% u! g6 S) r
; p: _, @8 U2 l$ @6 O高加速测试是基于 JEDEC 的资质认证测试的关键部分。以下测试反映了基于 JEDEC 规范 JEP47 的高加速条件。如果产品通过这些测试，则表示器件能用于大多数使用情况。
7 R) S( G- H- U6 R5 k, }
) j1 ]4 G+ E0 q1 V
) `; A" g, p; m
, x  E; r' d9 u温度循环+ Y6 g" p6 h$ q. h1 R3 r0 N
, t' S* @, H# g3 P' f
根据 JED22-A104 标准，温度循环 (TC) 让部件经受极端高温和低温之间的转换。进行该测试时，将部件反复暴露于这些条件下经过预定的循环次数。
/ _4 J8 R. x7 p; p4 p: u4 [( y* i( e  }
高温工作寿命(HTOL)
( i4 s% w: u4 r: k% r, v4 \3 r" E( m8 Q- f0 s8 y
HTOL 用于确定高温工作条件下的器件可靠性。该测试通常根据 JESD22-A108 标准长时间进行。
2 H* y% e/ n. _) U. _; A, r
4 G6 o' P2 A9 [: s( ~+ g温湿度偏压高加速应力测试(BHAST)8 z" ^6 N  x0 f

1 M! x7 h  o. H- D, i6 I1 `根据 JESD22-A110 标准，THB 和 BHAST 让器件经受高温高湿条件，同时处于偏压之下，其目标是让器件加速腐蚀。THB 和 BHAST 用途相同，但 BHAST 条件和测试过程让可靠性团队的测试速度比 THB 快得多。  ~' L) b6 G& D: V5 a' m7 e

7 ^; d- [( y2 D5 H2 n* b热压器/无偏压HAST
; E7 l! k0 E8 P. t
1 P: |% |. Y* ?- T热压器和无偏压 HAST 用于确定高温高湿条件下的器件可靠性。与 THB 和 BHAST 一样，它用于加速腐蚀。不过，与这些测试不同，不会对部件施加偏压。$ j5 i* }( \2 O+ D

! G+ w9 W1 Y# J' Y+ Q高温贮存
+ }: U1 ~$ z  M& t
6 A% ^$ X2 M5 mHTS（也称为“烘烤”或 HTSL）用于确定器件在高温下的长期可靠性。与 HTOL 不同，器件在测试期间不处于运行条件下。
3 h9 V5 t4 ?5 U3 h1 l( O
" M2 x+ N: f  J# c4 ?8 c3 Q静电放电(ESD)
+ t+ ?- k+ A1 a1 s+ H
& A6 b1 v7 X( s3 n7 q$ Z; I/ U静电荷是静置时的非平衡电荷。通常情况下，它是由绝缘体表面相互摩擦或分离产生；一个表面获得电子，而另一个表面失去电子。其结果是称为静电荷的不平衡的电气状况。
9 P/ \' g% ~3 ^
! Z7 I2 C; w- R" b% B3 \0 X. l当静电荷从一个表面移到另一个表面时，它便成为静电放电 (ESD)，并以微型闪电的形式在两个表面之间移动。2 i/ u2 B9 W+ @1 p) P% t
  ^# {9 [7 [, C/ [: i) x, G
当静电荷移动时，就形成了电流，因此可以损害或破坏栅极氧化层、金属层和结。" C2 f) U- B/ G! K. R% O" }. k
) N& ?: S, d, v) n! Y+ N
JEDEC 通过两种方式测试 ESD：
4 W' R& X2 L, E4 T1 }# r' }. |" N
$ e' v- K5 V2 m9 X2 r' }& W1.人体放电模型 (HBM)' ], o% q; j7 v# G1 x2 W/ O7 h

- R+ e& O% Z8 ]2 q2 L, A一种组件级应力，用于模拟人体通过器件将累积的静电荷释放到地面的行为。
5 V* j% E$ X  R) v9 G
8 m5 N# j  ~$ X$ M$ } . |1 C! }: a2 g
- {) s% U  b& |5 z1 i
2.带电器件模型 (CDM); u, A! P, k# l$ \. N" s
% E1 T- ]; p9 V6 M5 M
一种组件级应力，根据 JEDEC JESD22-C101 规范，模拟生产设备和过程中的充电和放电事件。: X, N7 K/ {* K* M! X6 }
' ]/ Q- I' H' K9 r) X

( {' i- o; \- r2 s5 E: y  a: b% v+ p" C4 {7 `
/ w, L+ T" u9 e9 s

* \% Z& g3 U3 b
作者: CCxiaom    时间: 2021-7-16 13:30
芯片可靠性测试要求及标准解析
作者: NNNei256    时间: 2021-7-16 13:31
芯片可靠性测试要求及标准解析
作者: Lindberge4    时间: 2021-7-16 13:31
芯片可靠性测试要求及标准解析
作者: lyk_cindy    时间: 2021-7-16 14:18
dddddddddddddd
/ H- m; h% Q! j8 S! b



欢迎光临 EDA365电子论坛网 (https://bbs.eda365.com/) Powered by Discuz! X3.2