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标题:
阻抗计算时的H和H1的值是多少啊?怎么来的?
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作者:
wxlcoco1984
时间:
2011-5-3 14:49
标题:
阻抗计算时的H和H1的值是多少啊?怎么来的?
请教高手,在用CITS25计算阻抗的时候,表层线有一个H值,内层走线有一个H和H1值,请问这两个值分别填多少啊?这些值是怎么得来的呢,谢谢
作者:
flyingc381
时间:
2011-5-3 15:54
叠层设置……
作者:
wxlcoco1984
时间:
2011-5-4 14:36
叠层设置是这样的TOP/GND02/INNER03/POWER04/GND05/INNER06/POWER07/BOTTOM,顺便问一下上面的叠层设置如果改为TOP/GND02/INNER03/POWER04/POWER05/INNER06/GND07/BOTTOM哪种比较好呢
作者:
wxlcoco1984
时间:
2011-5-4 14:40
我自己计算的结果如下,不知道对不对,计算单端阻抗的时候我选H为4MIL,差分计算的时候我选H1=4MIL,H=14MIL,就是走线层绝缘材料的厚度和层压厚度,但是这两个值不知道应该参考哪里来的
9 o2 p, w) @( Z5 P
USB:
' t& O6 j, g" o! k- ?
IMPEDANCE:90 OHM
" T9 m$ J( l" B+ n! s4 M
L1/L8:6/5.5 MIL 89.06 L3/L6:5.5/8 MIL 90.73
3 \% V+ J0 H+ [+ l+ B7 s% j( {, w! H
HDMI:
5 ?2 g6 v3 _+ Z5 B
IMPEDANCE:95 OHM
1 i7 j- f+ x6 H, N1 Y$ q5 s
L1/L8:5.1/5.5 MIL 94.32 L3/L6:5.1/9 MIL 95.23
) J; X# L8 n" B1 Z
LVDS:
' Z" O, Y( d* H' q. q
IMPEDANCE:100 OHM
' Q8 G. u0 w/ U) i1 V& ?( b5 t
L1/L8:5.1/7 MIL 99.95 L3/L6:5.1/10 MIL 96.31
% c4 d, M+ r4 \, `' Z' _
) g+ N9 R3 o6 P7 a0 ]9 W5 V3 [! p' X
DDR:
# K- L) D( H' ~
CLK:
5 g8 ?5 V* \5 _- ]) m, m
IMPEDANCE:65 OHM
2 i6 L, H | d2 J5 _: S+ {! p
L1/L8:10.5/5 MIL 67.57 L3/L6:8.5/5 MIL 68.53
! m: S) a/ J. _5 n
& x# O/ \+ U9 ~* R- X3 @
DATA STROBE:
0 J4 w2 A5 H, q3 e( X" p* \% D9 V7 _
IMPEDANCE:85 OHM
5 ~3 M9 j' J2 z0 U2 N% Y6 ^
L1/L8:6.5/5 MIL 84.41 L3/L6:5.5/5.5 MIL 85.62
/ m) \# x+ a4 X$ z
4 Z. ~' N$ P& H4 I
DATA CONTROL COMMAND:
( u# q2 N, q, r. \8 j
IMPEDANCE:37 OHM
. P2 A# c1 T' \+ }* n% Y+ v8 q
L1/L8:11.5 MIL 40.68 L3/L6:7.9 MIL 40.15
. y/ I% f" v: W* u* }' R7 \
作者:
wxlcoco1984
时间:
2011-5-4 14:43
最后一个值都是实际计算出来的结果,与要求值比较接近,但是有一个问题,最后一个要求37OHM的阻抗,表层要走11.5MIL的线宽,这样在DDR的颗粒是比较宽的线,如果空间有限,很难做到的啊
作者:
wxlcoco1984
时间:
2011-5-4 14:44
所以怀疑计算结果不对
作者:
wxlcoco1984
时间:
2011-5-4 14:46
当计算的时候,是不是所有的计算中的H和H1都是固定了的,还是不同层可以填不同的值呢
作者:
wxlcoco1984
时间:
2011-5-9 17:53
没人回答,自己顶
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