EDA365电子论坛网

标题: 新书《基于SiP技术的微系统》介绍及技术答疑帖！ [打印本页]
作者: li_suny    时间: 2021-5-20 17:05
标题: 新书《基于SiP技术的微系统》介绍及技术答疑帖！
本帖最后由 li_suny 于 2021-6-21 22:34 编辑 & l* T* ]; K" p2 ^

" F* y0 b- X9 p" N5 V近期，我出版了一本新书《基于SiP技术的微系统》。9 F) i& M$ x8 l, t/ s9 R
发这个帖子的目的是为了宣传一下这本书，另外，也通过这个机会和对SiP与先进封装技术感兴趣的工程师进行技术交流。7 w0 }& e4 ?. j0 ]4 Y$ F
+ t- l6 O, G" A2 F# q8 z
这本书共分为三大部分：概念和技术，设计和仿真，项目和案例，共30章内容。0 C: N# A. k# \

# ~2 n0 ]2 G6 N' y- Z+ _第一部分针对SiP及先进封装技术的发展，以及作者多年经验积累和深入思考，提出了功能密度定律、Si3P和4D集成等原创概念，介绍了SiP和先进封装的最新技术，包含5章内容。
' l0 {3 F) D" V3 r1 J; U第二部分依据最新EDA软件平台，阐述了SiP及HDAP的设计仿真验证方法，涵盖了Wire Bonding、Cavity、Chip Stack、2.5D TSV、3D TSV、RDL、Fan-In、Fan-Out、Flip Chip、分立式埋置、平面埋置、RF、Rigid-Flex、4D SiP设计，多版图项目及多人协同设计等热点技术，以及SiP和HDAP的各种仿真，电气验证和物理验证，包含16章内容。  e$ u0 u* F, D
第三部分介绍了不同类型SiP实际项目案例的设计仿真和实现方法，包含9章内容。
) Q8 M- M% ~  x- b# e' P$ M& G% r本书通过原创概念、热点技术、实际案例的结合，讲述了SiP从构思到实现的整个流程，并使读者从中获益。* [' W& }  W1 w) a
本书适合SiP用户、先进封装用户，PCB高级用户，对SiP和先进封装感兴趣的设计者和课题领导者，以及寻求系统小型化、低功耗、高性能、高可靠的科技工作者。
- C9 |! M1 l9 q9 e" \
% k& W+ s% B1 ~; `; V2 z/ C新书详细介绍文章% ]! O3 }9 W& s6 c/ [4 A1 Z% O
1 M1 p2 G% ?; `! T: E

; p) g' |" t6 Z4 [$ `+ ~& S/ J8 i' t- x# s
无论是对本书中的内容，还是对SiP和先进封装设计过程中有疑问，都可以跟帖提问，我也会尽可能及时给予回复！# g) ]" `5 @8 w9 F& }, _
% C0 |* X4 U; G0 p$ R6 {  F
+ [; q+ F" Z1 ~$ A; d9 Q4 R( o# R
2 {/ W* L/ W% H
作者: li_suny    时间: 2021-5-21 20:26
本帖最后由 li_suny 于 2021-6-21 22:25 编辑
5 }2 L4 `6 |8 B3 ~, d- E$ b
6 k8 l0 V" b$ ?7 |& Y0 l: h今天参加SiP大会（上海站），会议现场600+人，在线观众6000+，真是一场行业盛会！  K( r1 Y' r, S: z6 S) @
6 }2 ]- z0 C, R; a  U
( G) u3 ]  G( R1 U. i! }- }
% N, Q* Q6 w9 c3 S4 k' @0 ^* L+ p

4 f0 W  V4 `/ s$ N4 e( J" C  N
! S+ z) @  w3 ?$ L# \9 ?6 z# U
作者: li_suny    时间: 2021-5-21 20:34
本帖最后由 li_suny 于 2021-6-21 17:39 编辑 6 S1 S5 E+ D$ }. ^# R5 ?
. r( M* X1 W4 P* a
大会主办方专门从电子工业出版社订购了一批新书，作为送给嘉宾的礼品！ ; I) B! U: z6 c5 X  C' ^* X

$ D9 e: `( ^( t/ l: b) ]' l5 Q ( E6 H7 A5 s5 O9 c+ F

/ x( e5 C7 [6 }1 d6 \% B! f: v  S: Y" u6 i* [( m2 F
( ]3 j4 V8 M# r# x' S
1 X! r5 Q; M* V; V2 F3 x
作者: li_suny    时间: 2021-6-21 22:34
《基于SiP技术的微系统》目 录  ' S3 ?* U& \/ l
7 K/ Q! N: j3 D8 u9 M) J1 N. H! f
第1部分　概念和技术
+ |2 y$ w! Q2 v) Q1 p第1章 从摩尔定律到功能密度定律 3
& [$ `; G7 m1 R8 F- E+ n1．1 摩尔定律 3
3 n, N5 G/ ^& L4 H" {0 z+ ~# K7 l6 t1．2 摩尔定律面临的两个问题 4
) {/ v( _* f- A' o' C" ^1．2．1 微观尺度的缩小 4
3 m# S) w0 g- u! u1 w7 H8 o. i& [1．2．2 宏观资源的消耗 6/ W! ~# ~( K  u
1．3 功能密度定律 10. q1 F( o5 A* R( j& r% j+ u$ d( l
1．3．1 功能密度定律的描述 10& I- H! X- Q' c
1．3．2 电子系统6级分类法 11
* v" c+ f, i3 A% Y- f1．3．3 摩尔定律和功能密度定律的比较 13* o0 [( j8 P% p' M
1．3．4 功能密度定律的应用 14) I$ ?8 _' q2 P4 M5 C
1．3．5 功能密度定律的扩展 17) s# t5 ]' ~6 G. m7 G& E
1．4 广义功能密度定律 17) o8 _) o0 F4 A
1．4．1 系统空间定义 18
6 L+ t: @5 d0 I8 T8 d% x! w- U! D1．4．2 地球空间和人类宇宙空间 18
! w! b" _8 Q8 u) i0 F9 Q' D+ `1 z1．4．3 广义功能密度定律 20+ Z! |( O# S( J; F$ h" m+ X8 T
第2章 从SiP到Si3P 21
9 ?% a" O- ^$ A9 V2．1 概念深入：从SiP到Si3P 21
* {, q1 W% S! T: D2．2 Si3P之integration 23  b4 K/ R9 r$ Y" M% {0 D$ f
2．2．1 IC层面集成 23& V. k7 [' D4 g
2．2．2 PCB层面集成 26
1 f! d) b6 ?6 M) `0 ?# q2．2．3 封装层面集成 28
  a$ n' C: K- w& s3 g1 Z- K. q2．2．4 集成（Integration）小结 30
8 I7 |3 Z1 n  p- ~' Y2．3 Si3P之interconnection 31
+ V! b7 g5 j$ j7 y5 r& [  D8 l2．3．1 电磁互联 319 {; S' Z8 |9 C$ ~3 }+ H2 Y
2．3．2 热互联 36
2 o9 a0 P8 Q' f- t: C/ _2 P/ x2．3．3 力互联 37  b/ l+ R+ p% _" T
2．3．4 互联（interconnection）小结 39
- e7 e3 o  x2 z# j0 v% U# T2．4 Si3P之intelligence 39' t. I, ]) M  ?2 e2 |0 w
2．4．1 系统功能定义 40
$ j3 H4 k$ W  [2 ?; r  o: {2．4．2 产品应用场景 41
# j+ |" I9 I0 A, [; F2．4．3 测试和调试 41
, G/ I8 e4 H$ J, t2．4．4 软件和算法 42
( t3 m/ S; c* ]5 l; N: X' B2．4．5 智能（intelligence）小结 44
, x& ?$ @. }3 C! L7 W! e! f# d2．5 Si3P总结 441 F7 c% E- K# p; p9 |/ M# V
2．5．1 历史回顾 44
- g) R2 l, ^$ L# y1 T6 ?9 g2．5．2 联想比喻 45. a. }# `% s4 K5 F* G" B7 _
2．5．3 前景预测 46
, R6 z' c& \3 S( p+ a第3章 SiP技术与微系统 47/ \6 E) W. w* `0 Y* r
3．1 SiP技术 47
  {/ x6 w% Y# ^0 A2 m3．1．1 SiP技术的定义 47: P0 i/ l2 }' n, r& Q$ C) z
3．1．2 SiP及其相关技术 489 z* z6 v2 k) t+ G' C
3．1．3 SiP还是SOP 50' j, e$ T1 I; S# P, k
3．1．4 SiP技术的应用领域 511 a( k* [0 }$ g$ G7 j
3．1．5 SiP工艺和材料的选择 55
% j, A3 o  ~: v  W! s% @3．2 微系统 57
* v, n) a2 i2 }7 e- M( _3．2．1 自然系统和人造系统 57" C4 o. j* B3 v& Y) B3 l
3．2．2 系统的定义和特征 58
2 ~8 R& T4 y" l3．2．3 微系统的新定义 598 J# i/ V0 ?# Q* W5 m, v. h
第4章 从2D到4D集成技术 61" V( c- G; r# K% G/ G4 G6 ?
4．1 集成技术的发展 618 w, K: U4 Y/ G, I5 x
4．1．1 集成的尺度 61
6 `8 N6 D. B" `+ U4．1．2 一步集成和两步集成 62
/ J$ q+ w( t& C6 z$ ]/ O) c4．1．3 封装内集成的分类命名 63. ]! W9 a% z  N0 y2 e5 I
4．2 2D集成技术 64: |( [$ }# l$ U
4．2．1 2D集成的定义 64- d7 R, Z9 L/ D. O7 y) w' P. B2 i8 i: a
4．2．2 2D集成的应用 64
2 F# D4 z  a2 O" N* H4．3 2D+集成技术 65
1 I. s5 B8 p( N, Q  b4 B; L# r4．3．1 2D+集成的定义 650 Z* u/ V- e" \; R7 e$ V, k& E
4．3．2 2D+集成的应用 66
5 |, G- q. g& D4．4 2．5D集成技术 679 ^( A) t4 E" ^" @, {( w) w
4．4．1 2．5D集成的定义 67: {* F: y+ V4 J
4．4．2 2．5D集成的应用 67
- T% v0 }2 G0 a4．5 3D集成技术 68
' m. ?6 T4 ~9 B4．5．1 3D集成的定义 68
( D; F9 y' \* k6 e4．5．2 3D集成的应用 692 ?7 e/ F6 J; O. c  p7 Q4 V
4．6 4D集成技术 706 L/ A( x. o& ~) _8 c; I9 x
4．6．1 4D集成的定义 70
' E; q" ^3 n1 A/ ]4．6．2 4D集成的应用 71
& Q% Z  S/ j" _7 J4．6．3 4D集成的意义 73  h' U$ X" z3 _% t! X  r- E2 G4 a
4．7 腔体集成技术 73
" S) a" t6 \+ B5 _6 r; y2 j. q% q4．7．1 腔体集成的定义 73
1 v1 O9 ~* L. O# p" V( l4．7．2 腔体集成的应用 74
5 y* u' O5 ]) y4．8 平面集成技术 76  c3 A* g$ N5 g. Y/ F
4．8．1 平面集成技术的定义 76
" {& q0 O: w  L9 p4．8．2 平面集成技术的应用 76  Y* D, V: x1 c* o; V9 \2 F% H& |
4．9 集成技术总结 78# D, K8 B7 x' }( h  p, ^; k
第5章 SiP与先进封装技术 80) H; x0 b6 c6 O& v, @7 E; w  m4 I
5．1 SiP基板与封装 804 t. a9 U0 u# l9 l; v7 F2 `& t& x  K
5．1．1 有机基板 80
+ x* h2 D! p7 e2 D, B5．1．2 陶瓷基板 822 o% T/ x( b( z: S+ Z8 H+ |
5．1．3 硅基板 85" I8 ]7 O8 Y" L
5．2 与先进封装相关的技术 85$ T. ^# f% V& u/ I  T1 e* E
5．2．1 TSV技术 86
3 I" h: t# H8 t& r0 b5．2．2 RDL技术 87
, }0 z2 o% W7 C4 e1 V) N5．2．3 IPD技术 886 c5 u( w: R9 ]( ]
5．2．4 Chiplet技术 89' ^$ D9 K$ e$ j; w, W: r+ F! q! Q
5．3 先进封装技术 92
) s) ]; |1 z- R1 w; C9 b& V5．3．1 基于XY平面延伸的先进封装技术 93  @; I. W; X, i7 Y
5．3．2 基于Z轴延伸的先进封装技术 96
9 P/ B3 T- s1 c0 f: a  {5．3．3 先进封装技术总结 103
- j8 m% I: y! Y, o" ?; W' L0 s* h# }5．3．4 先进封装的四要素：RDL、TSV、Bump和Wafer 104
0 Z/ q/ g- ?7 F( t* Z% g4 j5．4 先进封装的特点和SiP设计需求 105
7 X( }2 `1 m' r- g% ^! z$ W  V) h7 ?5．4．1 先进封装的特点 1053 Q' `. F8 t! y0 \8 R8 Q& S1 e' a
5．4．2 先进封装与SiP的关系 106
& a1 n* V' o3 D, b5．4．3 先进封装和SiP设计需求 107
8 O5 ^+ z6 _  G第1部分参考资料及说明 108( X! ?7 J0 W' r" E7 |, M
3 U- i: G. |* D* n2 ~" e
第2部分 设计和仿真5 h7 B; v0 z" ^! Y% I7 T/ i
第6章 SiP设计仿真验证平台 111& S! ]+ j2 L4 J9 B
6．1 SiP设计技术的发展 1116 R; B; _" Q$ Z) i8 _* h8 ]9 j, M
6．2 SiP设计的两套流程 112
& @: J- Z  Y# F, `6．3 通用SiP设计流程 112
( A- p0 ?0 f9 y% I4 R, t6．3．1 原理图设计输入 112! l% J  S# `1 N+ F; ?* j
6．3．2 多版图协同设计 112
2 q5 _0 k% `4 p7 X6．3．3 SiP版图设计9大功能 113& c: H4 r' ]) o/ }
6．4 基于先进封装HDAP的SiP设计流程 118
7 k) ?4 M& ]  h9 p9 m) o7 h6．4．1 设计整合及网络优化工具XSI 119
: g' g- w) T: f7 l: J$ K4 [6．4．2 先进封装版图设计工具XPD 120! W) a& r2 @; Z& _
6．5 设计师如何选择设计流程 121
8 F$ l0 C2 c( o  ?7 _5 Q8 z$ ]$ h/ o+ H8 S6．6 SiP仿真验证流程 122  F2 K# h3 {" l+ n
6．6．1 电磁仿真 122
9 V; q9 J7 [; ]6 L$ f. ^4 @6．6．2 热学仿真 124$ g& e5 u# `. b$ `6 D/ u4 O
6．6．3 力学仿真 125
4 K, ?! ?% N+ P6．6．4 设计验证 125
% k5 Q( V2 ]) p/ S6．7 SiP设计仿真验证平台的先进性 1274 \, p/ z' o1 B1 ^% D- P5 {: S9 n
第7章 中心库的建立和管理 129/ Y& p. p3 p8 r- [0 [/ z
7．1 中心库的结构 129, G- j3 N1 c* r* o: I1 c* M
7．2 Dashboard介绍 130  s# u  Y+ L3 H! [
7．3 原理图符号（Symbol）库的建立 131
7 r1 H1 x# O  F8 v( O7．4 版图单元（Cell）库的建立 136
( Q/ G  O; N, P8 w7．4．1 裸芯片Cell库的建立 136! R! F# }, |; c* g4 G1 C2 l
7．4．2 SiP封装Cell库的建立 141: d( Z4 R! }) }. T) E
7．5 Part库的建立和应用 1457 U# M: j/ z+ T* J, o7 l
7．5．1 映射Part库 145! Q& w3 S/ W4 ?1 I5 l6 k# u, m
7．5．2 通过Part创建Cell库 147
5 S* Z, C, f2 U! C& o7．6 中心库的维护和管理 148% ^5 _  H; \1 @  S. P
7．6．1 中心库常用设置项 149
4 g" X7 R& R9 x. b! v5 Y1 ~; U7．6．2 中心库数据导入导出 149: ]* T& f) \  n8 P1 _- _* M
第8章 SiP原理图设计输入 152
/ C8 T( q5 I, P4 ~$ @- X! [" J8．1 网表输入 152
8 J% B/ H, ?; Q! y) w6 w8．2 原理图设计输入 1540 I( E; e- g$ }3 b
8．2．1 原理图工具介绍 1549 A6 N" k8 V& _
8．2．2 创建原理图项目 162
" W/ n1 j8 I% U8 w3 w( H8．2．3 原理图基本操作 1636 G) x; |/ y: e; B
8．2．4 原理图设计检查 167' f% J1 ?& z5 j
8．2．5 设计打包Package 169$ b/ q3 n9 P7 a$ N0 i5 _6 J
8．2．6 输出元器件列表Partlist 172
; e1 X7 g+ ^5 `/ |* Z; h! M& x( B* E8．2．7 原理图中文菜单和中文输入 173
( L# e' y2 ]9 q8 E( g8．3 基于DataBook的原理图输入 1758 R4 q% T. H  z% D
8．3．1 DataBook介绍 1758 l: X. ^) h' `" |* y
8．3．2 DataBook使用方法 176* ?' n) D8 Q- F+ w, y6 u" m
8．3．3 元器件属性的校验和更新 178
8 h  s1 ]; p; W9 ~8．4 文件输入/输出 1796 j$ ]' J$ T0 A
8．4．1 通用输入/输出 179
. C( C# U9 y- V5 ^6 P6 i+ E" b8．4．2 输出到仿真工具 1816 Y+ q- M' G! a
第9章 版图的创建与设置 183* d0 z, w8 Q6 `( G6 ]* j
9．1 创建版图模板 183! @% B, z, s3 t3 R3 y0 U3 H5 f
9．1．1 版图模板定义 183
4 ?. |+ f1 d, {' d1 }& [2 b5 ~5 J9．1．2 创建SiP版图模板 184
- I* \2 X! L0 C5 a0 {, `) c* e9．2 创建版图项目 1943 d! \0 u6 }/ j1 N
9．2．1 创建新的SiP项目 194
- _9 ?2 b( [) }: _  ]% o( N9．2．2 进入版图设计环境 195
) [$ ^5 q6 h3 w9．3 版图相关设置与操作 196
  n- x" {7 |+ U0 `3 s# p9．3．1 版图License控制介绍 1963 B* g$ c, z$ ~! g9 @0 u3 P
9．3．2 鼠标操作方法 1976 T) v* z, I+ D1 B  @
9．3．3 四种常用操作模式 199
* ~9 F# l1 j9 B9 }8 E# i- ]( ]7 Z# K9．3．4 显示控制（Display Control） 202
7 ]% J! ]: a+ g2 Q( J  g5 E9．3．5 编辑控制（Editor Control） 207
3 `& M1 X% W4 j* w7 x9．3．6 智能光标提示 213: Q+ U" Z- U# r5 ^4 [
9．4 版图布局 2131 k. z" X% t. l7 S1 P. T
9．4．1 元器件布局 213
! W! u+ e8 q% f5 |: c) R/ {9．4．2 查看原理图 217* W1 O9 H+ [1 G3 M9 {
9．5 封装引脚定义优化 218
0 |% H9 M5 o" h9．6 版图中文输入 218
" w$ }6 C0 j8 G; h& d第10章 约束规则管理 221
7 r, r* q, J- Y  L  Z10．1 约束管理器（Constraint Manager） 221
* ], I7 i; U9 }6 X10．2 方案（Scheme） 222* u: c) F& }( q: w5 |' T6 P  C
10．2．1 创建方案 223
( L; H* G6 ~: w0 Q3 z2 Y. T4 |10．2．2 在版图设计中应用Scheme 223
9 D+ l1 L4 i8 z' O! ?10．3 网络类规则（Net Class） 224
2 v0 k/ G5 e! M10．3．1 创建网络类并指定网络到网络类 224! j; y9 w) y2 y+ ~* n0 Z1 i
10．3．2 定义网络类规则 2252 y8 n4 [3 b' D/ E. F
10．4 间距规则（Clearance） 226% e, ^5 H+ ~' e, {6 k; k, C( O
10．4．1 间距规则的创建与设置 226
* M4 M$ A$ d) `; D; F! o. e3 ~10．4．2 通用间距规则 227# j# ^5 z2 v, V/ V# v% k2 n0 W
10．4．3 网络类到网络类间距规则 228  ?5 r+ ^4 L, F: e" }: l9 Z
10．5 约束类（Constraint Class） 229
/ ^8 [; R0 N1 F: V( p/ a4 M10．5．1 新建约束类并指定网络到约束类 229( H+ W( ~7 ^& f# g) n/ v! L
10．5．2 电气约束分类 230
! p4 E/ m; w- m) j, S10．5．3 编辑约束组 2316 h/ n) r3 \# [1 H( \0 L
10．6 Constraint Manager和版图数据交互 2327 [  Q6 u& b' P; f; E# j. N
10．6．1 更新版图数据 232
4 |; T# a6 r2 o$ N8 J+ w' G) C2 L10．6．2 与版图数据交互 233
. ~: M) J: S( o. [, ~/ D10．7 规则设置实例 233
/ _9 }0 x: F3 l3 A& i10．7．1 等长约束设置 233
8 U2 b1 w1 _$ S' M+ o% N; z! {+ }" J- B1 A10．7．2 差分约束设置 2368 `9 T8 ?- v) [; i* T8 y/ C7 F
10．7．3 Z轴间距设置 237$ l) d7 j: M/ w/ [# q. D" I
第11章 Wire Bonding设计详解 239
9 k0 b5 f- w8 h* {8 N1 [11．1 Wire Bonding概述 239* X! w# v2 i" r: U5 c
11．2 Bond Wire 模型 240- e" a" ^7 e9 u! a9 E6 m
11．2．1 Bond Wire模型定义 241# z- x; ?$ \: O0 K
11．2．2 Bond Wire模型参数 2459 ?/ k3 [3 b" [  t
11．3 Wire Bonding工具栏及其应用 246
! d7 y1 d+ f9 S8 J8 ]1 t( l11．3．1 手动添加Bond Wire 2467 Z8 ~' c0 A" F" I  n$ y/ o
11．3．2 移动、推挤及旋转Bond Finger 2471 r% m8 G1 j. _+ ]9 O
11．3．3 自动生成Bond Wire 248
5 O. N% X3 L6 Y11．3．4 通过导引线添加Bond Wire 249
. Y9 U4 O+ \! w11．3．5 添加Power Ring 2510 Q, v/ o& W* B
11．4 Bond Wire规则设置 252
- Z: b5 }& W7 ~" Z- m11．4．1 针对Component的设置 253) E2 K, ~1 w3 v& |! M
11．4．2 针对Die Pin的设置 2562 L* L- N. [: ?7 J# s: @
11．4．3 在Die Pin和Bond Finger之间添加多根Bond Wire 2587 b, Y5 p/ S  d. T7 t
11．4．4 从单个Die Pin扇出多根Bond Wire到多个Bond Finger 258
3 g( z! x6 E0 N1 K4 w% [11．4．5 多个Die Pin同时键合到一个Bond Finger上 259) k+ }% \! ~4 r$ V; P
11．4．6 Die to Die Bonding 2593 `# l6 p5 w7 z- N2 g+ {' @# x
11．5 Wire Model Editor和Wire Instance Editor 2614 `4 {3 x5 q# o( X
第12章 腔体、芯片堆叠及TSV设计 265
8 t  U% K  o+ M% B( h12．1 腔体设计 265
7 L+ O& \0 [: T* Q& `12．1．1 腔体的定义 265; u! ]) ]& T, f: c: g9 z+ b
12．1．2 腔体的创建 267
; O  g: k' Q3 g12．1．3 将芯片放置到腔体中 269
' z3 k$ D& p6 Z$ Y7 c12．1．4 在腔体中键合 270
  V0 \0 @" G. v: }# R( ?$ C12．1．5 通过腔体将分立式元器件埋入基板 271
5 b3 D3 ]# t! C" Y12．1．6 在Die Cell中添加腔体实现元器件埋入 2734 v$ u2 G5 j: M8 X  L' t" {
12．2 芯片堆叠设计 275( D* K! V, F2 T' H0 H; k
12．2．1 芯片堆叠的概念 2752 D$ R7 k  K' j* n' M7 J4 Q
12．2．2 芯片堆叠的创建 276
3 {/ b0 L8 _. g! Z12．2．3 并排堆叠芯片 277
) e5 r# c9 v2 [# l0 I12．2．4 芯片堆叠的调整及键合 278
1 V# `3 ~5 g% Z6 y% _* r, R12．2．5 芯片和腔体组合设计 279
) T4 w- O3 @( G1 D12．3 2．5D TSV的概念和设计 281
. \2 v2 I. e( a. y% t9 m8 I12．4 3D TSV的概念和设计 281' k; ~; a) T, t5 o% v4 g% o
12．4．1 3D TSV的概念 281
: t/ I3 `& X) z. a3 R: s% L12．4．2 3D TSV Cell创建 283, ^0 ^+ ]  a; ~( {4 k# k# ]
12．4．3 芯片堆叠间引脚对齐原则 2841 s" R4 K0 ?: T0 F/ n
12．4．4 3D TSV堆叠并互联 284
% H& G! {' B) N; ?3 P; R3 D4 i12．4．5 3D 引脚模型的设置 286( |) Z4 F. @; ^# H# v& d
12．4．6 网络优化并布线 287
4 d0 v. p$ q7 }* r4 S" ?1 D12．4．7 DRC检查并完成3D TSV设计 289
) p4 F  {8 i; D; [/ T& ?第13章 RDL及Flip Chip设计 291
4 W! U( k; v0 u2 G! H8 D9 |1 N1 U3 ?# C13．1 RDL的概念和应用 2910 K& r) v0 O3 K
13．1．1 Fan-In型RDL 2926 n! ]8 s9 G* C
13．1．2 Fan-Out型RDL 293
6 R% U2 q- e" H( `13．2 Flip Chip的概念及特点 294
4 o$ m) X+ X$ x. P13．3 RDL设计 295
$ o) e3 N  P' c8 X4 S# R1 ?13．3．1 Bare Die及RDL库的建立 295
" q( i# V8 N% [: J; X. W13．3．2 RDL原理图设计 2975 ?5 `9 x! _& c
13．3．3 RDL版图设计 2970 r7 _( W- O* [- x9 |' E
13．4 Flip Chip设计 301& O# B  ]* M0 S$ ?' i
13．4．1 Flip Chip原理图设计 301
5 ]' ]1 y" @0 c5 w, M! o13．4．2 Flip Chip版图设计 302
+ J/ Y) b7 ]6 S  L: ?第14章 版图布线与敷铜 307
5 F& m6 Y, H% l7 w) {. V) z( c14．1 版图布线 3075 d9 b5 `/ V. e' u9 a7 \
14．1．1 布线综述 307: C# {/ r. |$ {7 r
14．1．2 手工布线 307, b' w$ `# o) O' R. H4 O& Z
14．1．3 半自动布线 312
/ v* R, ?3 P% z% \2 ]* T6 Z14．1．4 自动布线 315
4 P" Z/ N  {0 Y, R14．1．5 差分对布线 316
% h+ E* V6 P6 `* f+ K/ i& N14．1．6 长度控制布线 319
. \% `* {0 a2 e3 Q14．1．7 电路复制 323
5 _9 B5 ?1 y0 l1 Z; a14．2 版图敷铜 325
" n4 o- F0 l. k! E" V14．2．1 敷铜定义 325
  y: u% V; S: c3 j0 w14．2．2 敷铜设置 325. F; S3 P6 r& V' L: V% S8 v
14．2．3 绘制并生成敷铜数据 3280 D" V% L; {5 x6 d7 b5 T  A
14．2．4 生成敷铜排气孔 331
6 d5 D# i8 j, r3 k9 A14．2．5 检查敷铜数据 333
8 o; N& |& @" d  c第15章 埋入式无源器件设计 334, [+ v. A/ X" ~* X# x8 d
15．1 埋入式元器件技术的发展 334' w2 l% a4 l7 \* n3 ^& ]
15．1．1 分立式埋入技术 334
; W. K7 H0 P8 R+ s1 @2 s( H15．1．2 平面埋入式技术 3360 {0 ^4 a8 F8 B, H/ U
15．2 埋入式无源器件的工艺和材料 3368 u2 X8 U- g9 O5 o7 C6 B
15．2．1 埋入工艺Processes 337- j4 h+ K: H, z0 S, [9 z
15．2．2 埋入材料Materials 342- B. ]- U3 e1 ~2 S
15．2．3 电阻材料的非线性特征 346- g% y! \3 m! S: U5 P
15．3 无源器件自动综合 347. T. z& \. [8 t. K+ s% h
15．3．1 自动综合前的准备 347( c+ v: R* p( p* m( c  E. |. }6 {- \
15．3．2 电阻自动综合 3492 r% I0 m+ p* m) `3 `0 u
15．3．3 电容自动综合 353
5 ^$ x7 _4 l; }; K  @8 `15．3．4 自动综合后版图原理图同步 357. f8 d8 M3 _! i" z5 u. N* {
第16章 RF电路设计 359; }( x) q2 z: i0 d
16．1 RF SiP技术 359
* o6 X5 @: }" x" [( M16．2 RF设计流程 3602 D9 S  L) A6 o. n. r8 V
16．3 RF元器件库的配置 360
. e/ t) V8 F3 P; g" i9 w! R16．3．1 导入RF符号到设计中心库 360, V: ^5 p% J; e. o! F- M
16．3．2 中心库分区搜索路径设置 361! |$ {# n7 p3 R4 r1 z' U
16．4 RF原理图设计 362  s" T" V; A4 l0 X* B
16．4．1 RF原理图工具栏 362. U+ e2 u; u) _
16．4．2 RF原理图输入 364! G$ s+ P9 Q7 s# u5 p5 w) J& W
16．5 原理图与版图RF参数的相互传递 365( l# e  h; J9 c. X3 y
16．6 RF版图设计 368
5 i+ R7 b2 F0 C/ [16．6．1 RF版图工具箱 368
) X& v! U( h+ S9 b2 y* p16．6．2 RF单元的3种类型 369
3 W; d$ D, h( M: g$ m$ W16．6．3 Meander的绘制及编辑 370
) W. r+ h$ I9 f7 \0 U0 D$ P/ Q16．6．4 创建用户自定义的RF单元 372
) e, X0 [. D4 h9 X3 M- G1 j16．6．5 Via添加功能 374
6 m; j  k$ K* k' p3 G% c' G0 v3 _16．6．6 RF Group介绍 376' e* j4 g+ b3 j3 l2 ^8 q, ^
16．6．7 Auto Arrange功能 377
: t- O" ^! \( g: V0 b% z' r16．6．8 通过键合线连接RF单元 377
1 P' y, D% G. Z/ J: c& b' |4 n16．7 与RF仿真工具连接并传递数据 378
9 q# O9 I  B' h/ K( R16．7．1 连接RF仿真工具 378
9 K- T1 ]$ m. ?; Y2 P16．7．2 原理图RF数据传递 380
7 Z  P% d. _% |5 T% g; V16．7．3 版图RF数据传递 381
3 l" g8 E' t- q* b2 L6 J; N6 ?第17章 刚柔电路和4D SiP设计 383
7 _6 i/ }; ~( p; r% L' S17．1 刚柔电路介绍 383
( d5 U8 K9 C6 C1 [! v17．2 刚柔电路设计 384
/ u. s. d8 |: c2 v3 z9 [17．2．1 刚柔电路设计流程 384, M( ^" B: ]) f0 ^! h8 m4 X
17．2．2 刚柔电路特有的层类型 384
2 W/ G: ~# h! ^) y6 @' `( C17．2．3 刚柔电路设计步骤 385/ _4 U9 H: \- }/ ]3 A
17．3 复杂基板技术 394( \5 }# J8 h, M# b! K! B" t" a
17．3．1 复杂基板的定义 394  K! F9 X6 n$ n7 l: t4 g! Q
17．3．2 复杂基板的应用 394
: V) i! y  w* ]. g5 F17．4 基于4D集成的SiP设计 395
* ~3 P1 \, o" i3 ?3 c17．4．1 4D集成SiP基板定义 395) C" z4 l5 d! F. ]$ V9 @
17．4．2 4D集成SiP设计流程 3964 ~/ Q& w0 l& J
17．5 4D SiP设计的意义 400
% O% a+ K3 ^; y+ ?/ k1 T; E第18章 多版图项目与多人协同设计 4011 v8 i: t: i; X4 `  [
18．1 多版图项目 401
0 C5 _  y! B; e4 @+ c# P) I8 A) \7 Y18．1．1 多版图项目设计需求 401$ Z7 j% u9 J3 ^- U9 Q
18．1．2 多版图项目设计流程 402
4 s/ p0 R+ S" i: t# |18．2 原理图多人协同设计 405
6 T! g- i% \9 f5 \+ ?" E18．2．1 原理图协同设计的思路 405
8 j5 p) L6 k4 F1 Y) v: B18．2．2 原理图协同设计的操作方法 406
: n) c  k; c- @) d! x" {18．3 版图多人实时协同设计 409! M' r+ p8 `+ U* |( T! A* _
18．3．1 版图实时协同软件的配置 411
# C% B9 _0 W% T/ `0 p( G  h$ u18．3．2 启动并应用版图实时协同设计 412
) F$ m. C1 s: D第19章 基于先进封装（HDAP）的SiP设计流程 415  n) w4 W1 U7 J& v/ N& D- T  ^: ^
19．1 先进封装设计流程介绍 415
% m0 u$ f/ W6 G! F7 A- D19．1．1 HDAP设计环境需要的技术指标 415/ \! q# N+ @2 |% m# e
19．1．2 HDAP设计流程 416+ d0 Q) Q9 A$ ]
19．1．3 设计任务HBM（3D+2．5D） 417# b* W6 A9 o8 O- v
19．2 XSI设计环境 418
' K6 ~. T+ S; D2 U19．2．1 设计数据准备 418
1 g' y7 Z9 `2 ?19．2．2 XSI常用工作窗口介绍 419: x) r% n; l8 |' O: T& [8 H+ J
19．2．3 创建项目和设计并添加元器件 420
! ?' ^" N  E5 f) l19．2．4 通过XSI优化网络连接 428
2 ^* Q3 ~, w8 X  X4 M% y  A/ }19．2．5 版图模板选择 429. O# M7 P8 E  X, ]; X# `! Y
19．2．6 设计传递 431% b6 n/ U  ]6 ]1 `2 B
19．3 XPD设计环境 432
5 R) _3 v& x4 p) d8 x+ m- q4 y19．3．1 Interposer数据同步检查 4323 j+ m3 Q$ N: P$ X9 U2 z
19．3．2 Interposer布局布线 433, c+ J! E' @, v
19．3．3 Substrate数据同步检查 434
* E6 f% p) m* U7 g! D$ w19．3．4 Substrate布局布线 4352 w: ?% l% K- M4 |. {' h1 p
19．4 3D数字化样机模拟 436
1 m9 R5 _. g4 t% h8 S3 C19．4．1 数字化样机的概念 436
+ w2 q  P* C6 R# w. p: L& F19．4．2 3D View环境介绍 437% r; }6 y; K/ u6 u! R
19．4．3 构建HDAP数字化样机模型 4385 w& a! x. S) w, X( v
第20章 设计检查和生产数据输出 444: f7 D- l$ u8 D# E$ ^& i
20．1 Online DRC 444. r- p2 z6 p, A7 `
20．2 Batch DRC 4457 X0 ^) M5 k2 ^# }; n' X
20．2．1 DRC Settings选项卡 445
! p0 x; A- @" ]- }. Z20．2．2 Connectivity and Special Rules选项卡 447* X5 E2 D1 k# ~. |' j4 k3 t1 j
20．2．3 Batch DRC方案 448
: e8 K( e' y7 _" q8 u4 j20．3 Hazard Explorer介绍 449  F3 s' ?6 l+ P. e
20．4 设计库检查 453
* P' w+ a: m+ |) S9 o( x5 [7 \' o5 _20．5 生产数据输出类型 453
8 l6 y, ^. c0 e$ r20．6 Gerber和钻孔数据输出 454) X& ~) y- \$ X2 d6 O7 S
20．6．1 输出钻孔数据 454
' H) J3 H: Z. a; h9 k( U20．6．2 设置Gerber文件格式 457
* b% L( `, u8 Z9 ^20．6．3 输出Gerber文件 458
* H9 ~1 d1 v5 C! v( ^20．6．4 导入并检查Gerber文件 460
0 G2 \# `8 U. p20．7 GDS文件和Color Map输出 461
) F( U- L1 s0 a" _3 P  Q7 b) `20．7．1 GDS文件输出 4612 [* {$ g/ r. d2 J- r
20．7．2 Color Map输出 462) [: _. e) Q$ U+ z, E1 W( \
20．8 其他生产数据输出 4638 T& T, {5 Z4 W1 G2 q8 J! C5 v
20．8．1 元器件及Bond Wire坐标文件输出 463! V# y8 i: A/ B* X. q
20．8．2 DXF文件输出 4652 @2 b& e$ c: N$ Y5 v  Y6 ^
20．8．3 版图设计状态输出 465
1 K( \3 ]6 h5 |$ k8 I, E20．8．4 BOM输出 466
4 h) Z) e: t& D6 N7 y8 m+ U第21章 SiP仿真验证技术 4687 i/ x4 ~, p5 X5 t2 v$ t
21．1 SiP仿真验证技术概述 468, u- \$ K" ~( p8 r  Q' y7 j
21．2 信号完整性（SI）仿真 469
* b( J; B9 l. X; H& U( a) f6 p! p21．2．1 HyperLynx SI 信号完整性仿真工具介绍 469
% @& n0 _  A. n, B21．2．2 HyperLynx SI 信号完整性仿真实例分析 471
% E$ ~' }( r& g7 ]# ^21．3 电源完整性（PI）仿真 476$ x+ a! h( U$ p7 ]* G" U
21．3．1 HyperLynx PI 电源完整性仿真工具介绍 477
7 M, s/ Y/ ^; O- w* ~# T2 r21．3．2 HyperLynx PI 电源完整性仿真实例分析 478
2 z0 v9 h) m; S21．4 热分析（Thermal）仿真 483
( w0 Y- L. X( z! D0 n* `7 {+ I21．4．1 HyperLynx Thermal热分析软件介绍 484
+ B' e$ `7 \# O( E3 n21．4．2 HyperLynx Thermal热仿真实例分析 484
( H" C/ t. n0 H% m: J% F& M21．4．3 FloTHERM软件介绍 488
2 {) p$ Q- ~# o1 e5 W21．4．4 T3Ster热测试设备介绍 4895 F+ I% K6 h8 I
21．5 先进3D解算器 491+ O8 E8 _+ Z: D/ n
21．5．1 全波解算器（Full-Wave Solver）介绍 491* T/ L, S& H2 W  @" I
21．5．2 快速3D解算器（Fast 3D Solver）介绍 491
7 ?3 s* f( u" b  E: f21．6 数/模混合电路仿真 492
% j1 x" R, D& e% R% O. e21．7 电气规则验证 493
) B* z3 T1 Z; Z" L- `$ Q! I/ D21．7．1 HyperLynx DRC工具介绍 493
; }/ M/ ^$ U- b) I2 |: R8 H$ X  n21．7．2 电气规则验证实例 494( M8 d, z( v  i  m5 R/ I+ b4 N
21．8 HDAP物理验证 499$ p( ^: K2 R/ N+ U8 g
21．8．1 Calibre 3DSTACK工具介绍 499+ a1 b& k+ `3 X7 h; I- p% I
21．8．2 HDAP物理验证实例 500/ L/ t# J! R4 I
第2部分参考资料及说明 506; f6 i8 |3 f& j$ d% d

% H/ T) F$ q3 ~第3部分 项目和案例
! l0 L+ j3 y" a1 }  F第22章 基于SiP技术的大容量存储芯片设计案例 509- a5 n- c1 O( e7 U
22．1 大容量存储器在航天产品中的应用现状 509
: C& r9 W; p, ~/ _1 S22．2 SiP技术应用的可行性分析 510
. a3 b$ |* Z# a9 A2 x22．2．1 裸芯片选型 510
- _/ R% y# h% h6 M1 f0 i, o: K  Q# O6 F22．2．2 设计仿真工具选型 512
) v5 N: o+ H! n+ c) B. J22．2．3 生产测试厂家选择 512
6 [( Q" f3 r1 v/ ~3 Y8 X' ^22．3 基于SiP技术的大容量存储芯片设计 513
% v2 r+ s( R0 }) `' @22．3．1 方案设计 513' Z; H# S4 a3 T
22．3．2 详细设计 514  i; d4 K0 U  G* m+ B
22．4 大容量存储芯片封装和测试 519
, W  N  }7 A) n* e  Q22．4．1 芯片封装 519/ T1 a$ y) j! `. N" A0 ?& S$ |& _+ q
22．4．2 机台测试 522
% B1 ]+ C+ M3 ^$ i/ N22．4．3 系统测试 523& \2 h! R( y$ c" r4 ?( {, @0 x" t
22．4．4 后续测试及成本比例 523
" Z- ~3 c6 b4 e: n22．5 新旧产品技术参数比较 525  m: f# a7 x$ k5 I! p1 n% g
第23章 SiP项目规划及设计案例 526  f0 _  q' k) ]( u3 x( z
23．1 SiP项目规划 5263 w, h# Z* X% D+ t5 s4 R8 I
23．1．1 SiP的特点和适用性 526
! ]/ y! e3 x4 }' r3 V, K2 n8 L23．1．2 SiP项目需要明确的因素 5296 c: Q. s, K+ q* R
23．2 设计规则导入 530
2 o" ?6 ^: u/ {5 k3 j7 b23．2．1 项目要求及方案分析 5303 S+ s5 Z8 [7 V+ o6 }
23．2．2 SiP实现方案 532
2 n* m. ~9 T: F2 [( q( D23．3 SiP产品设计 5341 o' a, P5 r1 E; h! A: A2 a
23．3．1 符号及单元库设计 534
% M% j  e4 l# e/ z: w% R+ ]  g23．3．2 原理设计 5351 `9 a3 o* S8 o$ Q
23．3．3 版图设计 535
, z* E1 b8 l, S& C& m23．3．4 产品封装测试 5385 z0 G& p  Y5 w
第24章 2．5D TSV技术及设计案例 539
1 p+ f$ T+ A. ]" I6 \24．1 2．5D集成的需求 539
9 V& ]! t/ R- E, m24．2 传统封装工艺与2．5D集成的对比 539
$ G# \3 \# g% X24．2．1 倒装焊（Flip Chip）工艺 539
" P$ q9 b1 v3 a0 W# M$ ~4 z6 Q24．2．2 引线键合（Wire Bonding）工艺 540
& X: s) ?: \1 A24．2．3 传统工艺与2．5D集成的优劣势分析 541, o! I% z( }( Q
24．3 2．5D TSV转接板设计 542
6 z; N. i6 h/ A, d0 ~7 B24．3．1 2．5D TSV转接板封装结构 542( ?* Z9 M2 P- k& I. \$ c7 R
24．3．2 2．5D转接板封装设计实现 543. R& ^# ]6 b# z6 p" ]8 F1 p- `
24．4 转接板、有机基板工艺流程比较 544# I* R) i) S9 ?/ H' X* {# F+ Y
24．4．1 硅基转接板 5444 c/ l9 t3 }4 T+ b
24．4．2 玻璃基转接板 545; [5 k  n8 D) y0 S" q% Y5 C2 e
24．4．3 有机材料基板 546
5 V$ Q6 B, G$ ?% L+ k+ F* i24．4．4 两种转接板及有机基板工艺能力比较 5463 L$ {) O8 O4 I2 @; f9 B/ ]7 R
24．5 掩模版工艺流程简介 5464 p+ C: o/ [; W- _0 U) C& F6 A. W
24．6 2．5D硅转接板设计、仿真、制造案例 547* m1 Q( d/ h( W2 X1 ]1 t
24．6．1 封装结构设计 547
! [0 B# c0 Q& j, W: s# h# z. k# Y24．6．2 封装布线、信号及结构仿真 5497 C9 }+ G9 y: E- B
24．6．3 生产数据Tape Out及掩模版准备 552
# U' n$ s  X8 z! @% L* `, s1 j) m24．6．4 转接板的加工及整体组装 553
) I* j' r0 m7 p; ?& ^第25章 数字T/R组件SiP设计案例 5549 Z: d# u2 y% W: ^& R
25．1 雷达系统简介 554
# B  x0 w1 e& ~; |2 S3 m25．2 SiP技术的采用 555% l5 g( a( Q2 e. w, [! K
25．3 数字T/R组件电路设计 5566 Z( {$ y% \: U+ E5 U1 r8 N4 T
25．3．1 数字T/R组件的功能简介 556
. @0 n" \7 ?; x25．3．2 数字T/R组件的结构及原理设计 557
- T; R) n. \/ W1 J: L$ u7 {5 J25．3．3 数字T/R组件的SiP版图设计 559
6 q& k: p% x1 }25．4 金属壳体及一体化封装设计 5608 M3 c' \' b- h' A0 X6 F
第26章 MEMS验证SiP设计案例 5631 c4 n! [. J) W4 k; @, w& ]& t$ `
26．1 项目介绍 563
: w  }: `( T: o0 W+ n0 ~& o. [' l26．2 SiP方案设计 5638 d/ u! x2 v. {5 h2 x1 |+ `" u
26．3 SiP电路设计 5645 ~( y! {% t$ e& ]) ]7 Z
26．3．1 建库及原理图设计 565
% ]8 M6 a4 k0 V$ c26．3．2 SiP版图设计 566* t: H+ u  J' R/ w- B7 x$ O% s
26．4 产品组装及测试 571: P0 J/ B& u  c1 f+ C0 T
第27章 基于刚柔基板的SiP设计案例 572* \6 K" |  O5 e3 Z7 [3 h
27．1 刚柔基板技术概述 572# D4 m0 e4 {" }/ Q. G. x, ~
27．2 射频前端系统架构和RF SiP方案 573
8 `. x' j: G. S. C/ L9 ~27．2．1 微基站系统射频前端架构 573
- R2 u/ S3 @  |) k27．2．2 RF SiP封装选型 574* F0 F9 G% h7 c9 [  b2 G6 ~
27．2．3 RF SiP基板层叠设计 575
; Y8 R. ]; v3 ^) V27．3 基于刚柔基板RF SiP电学设计仿真 576! {9 x# A4 o% D* t! q. m" n  f. p0 d
27．3．1 信号完整性设计和仿真 576
$ I4 M" Z7 ?7 J  r/ o2 ^( [27．3．2 电源完整性设计与仿真 579
5 X3 E, Z8 O6 R' ?: s1 U27．4 基于刚柔基板RF SiP的热设计仿真 5818 j7 L6 Y3 ^/ O  ?* E
27．4．1 封装结构的热阻网络分析 5819 {( Y6 S+ m5 v: L, |4 s# S, ~1 o9 K
27．4．2 RF SiP的热性能仿真研究 583
6 U& ?. `% Y6 `! v1 e27．5 基于刚柔基板RF SiP的工艺组装实现 587
, M$ P3 U1 W! D% D9 o# g; \第28章 射频系统集成SiP设计案例 589- Q' j  i/ r& r5 N
28．1 射频系统集成技术 589* e& g* _6 z- x  E# ?
28．1．1 射频系统简介 589
( [/ _, \" k0 X  b1 Z& G28．1．2 射频系统集成的小型化趋势 590& N  y  x: Y, Z% |  d8 t( o
28．1．3 RF SiP和RF SoC 592& F# Z) Y! p1 l. T+ q. x
28．2 射频系统集成SiP的设计与仿真 594
, ]" K' ?+ g9 Q$ Y; Y- N! `28．2．1 RF SiP封装结构设计 5949 j  y  L" p- f4 z  `5 R3 d
28．2．2 RF SiP电学互连设计与仿真 595
5 A! {0 l; R( M9 B8 V28．2．3 RF SiP的散热管理与仿真 597. @. q# f* P% ^( A" r! [3 z: B) T
28．4 射频系统集成SiP的组装与测试 598+ G! b( |( h6 ]6 h$ a
28．4．1 RF SiP的组装 598
( a  O) R1 U. W* D, h! O6 \7 ~28．4．2 RF SiP的测试 599/ J  F: y# v- ~  N+ Q% b# T9 v
第29章 基于PoP的RF SiP设计案例 602
' U3 E0 s% s1 _; [' N. g29．1 PoP技术简介 6029 r2 O# N3 ^' I6 d& W
29．2 射频系统架构与指标 603; I3 C5 W% t9 @( x/ V0 o3 }
29．3 RF SiP结构与基板设计 6062 w9 A/ G' `8 v& J$ r) A4 M2 p
29．3．1 结构设计 606# {: a5 M2 u9 l7 q- v
29．3．2 基板设计 607
9 T: s# X. j  o. T! S" ]$ Q! i29．4 RF SiP信号完整性与电源完整性仿真 610) N8 B% a4 r3 n1 C' o" q
29．4．1 信号完整性（SI）仿真 610
4 k0 N9 n* d0 e7 j# B5 K  ^7 f6 o) Y29．4．2 电源完整性（PI）仿真 6108 B! S" p4 F+ f) y  e, w& z
29．5 RF SiP热设计仿真 612
5 {$ e+ w( N7 N3 M29．6 RF SiP组装与测试 613) a6 M5 N6 i7 O6 w* l6 j3 c/ c
第30章 SiP基板生产数据处理案例 6164 ]- h" m9 c, J+ a1 d
30．1 LTCC、厚膜及异质异构集成技术介绍 616
/ q" T$ I2 f+ C% H1 h9 C30．1．1 LTCC技术 616) x2 U9 ?; S3 N- K
30．1．2 厚膜技术 617
+ {5 @$ T* r& w: @4 q30．1．3 异质异构集成技术 617( v* J$ V# W, n2 a4 f+ G+ E1 Q: ~4 i
30．2 Gerber数据和钻孔数据 6181 V  f' f3 p% ^  }& H. \9 C
30．2．1 Gerber数据的生成及检查 618" h6 ?7 A9 R% L+ [+ |! F4 _
30．2．2 钻孔数据的生成及比较 6210 F  ~) w1 s0 |& h8 ]
30．3 版图拼版 622
: k& M  I& y* t30．4 多种掩模生成 624
% t) n% _# i6 l4 [# l6 r$ U30．4．1 掩模生成器 624
: j; ~, c$ f7 y! d0 e! G/ x30．4．2 掩模生成实例 626& g+ d' ~* V# B5 o' V3 s! j
第3部分参考资料 6304 l8 K9 u1 v, l: q
后记和致谢 632- X/ l0 W4 r' F3 a# k/ ?
作者: APP_338522    时间: 2021-7-2 14:22
李总应该把书上的例子放上来让大家练习
作者: li_suny    时间: 2021-7-3 08:56
APP_338522 发表于 2021-7-2 14:22
9 b5 S( `9 _/ F李总应该把书上的例子放上来让大家练习

$ c$ b; |- o3 [" o0 h2 Y+ T. H9 n) Y' I谢谢建议，我找一个合适的例子！
作者: ytmgadw    时间: 2021-7-7 21:49
书看了，非常不错
作者: wenspig    时间: 2021-7-28 10:00
你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？
作者: li_suny    时间: 2021-7-29 11:05
ytmgadw 发表于 2021-7-7 21:49
3 f+ R9 O' L0 Y) }- ^. w3 u+ C书看了，非常不错

" j7 E5 h: i" C- Q谢谢评价！4 y6 X# T. I) D1 L; E4 V6 E
作者: li_suny    时间: 2021-7-29 11:07
wenspig 发表于 2021-7-28 10:00
2 h3 m& E- K3 L8 b: h0 N你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？

$ m, ]4 ^/ u7 P  ]第一部分概念和技术，第三部分项目和案例均和软件无关；第二部分设计和仿真，用的是Mentor，现在称为Siemens EDA。
  {3 T4 J' t# u4 Q% ]



欢迎光临 EDA365电子论坛网 (https://bbs.eda365.com/) Powered by Discuz! X3.2