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标题: 新书《基于SiP技术的微系统》介绍及技术答疑帖！ [打印本页]
作者: li_suny    时间: 2021-5-20 17:05
标题: 新书《基于SiP技术的微系统》介绍及技术答疑帖！
本帖最后由 li_suny 于 2021-6-21 22:34 编辑 7 H' j  b& \9 y
, c! p- Z% Z! m" Z/ g* O* |4 i/ r5 C# ]/ K
近期，我出版了一本新书《基于SiP技术的微系统》。9 j4 Y& P- k, T6 `' h) E1 ~
发这个帖子的目的是为了宣传一下这本书，另外，也通过这个机会和对SiP与先进封装技术感兴趣的工程师进行技术交流。" A( i9 b) x5 s/ `! G
; Q% {2 I, k8 m6 N+ \. V& q
这本书共分为三大部分：概念和技术，设计和仿真，项目和案例，共30章内容。
+ `) e0 ~8 J: f1 @2 a7 g  B4 z2 k8 \3 m" k, R0 x! _* h5 o+ u# u
第一部分针对SiP及先进封装技术的发展，以及作者多年经验积累和深入思考，提出了功能密度定律、Si3P和4D集成等原创概念，介绍了SiP和先进封装的最新技术，包含5章内容。
7 ]6 P. h; s3 G) ^第二部分依据最新EDA软件平台，阐述了SiP及HDAP的设计仿真验证方法，涵盖了Wire Bonding、Cavity、Chip Stack、2.5D TSV、3D TSV、RDL、Fan-In、Fan-Out、Flip Chip、分立式埋置、平面埋置、RF、Rigid-Flex、4D SiP设计，多版图项目及多人协同设计等热点技术，以及SiP和HDAP的各种仿真，电气验证和物理验证，包含16章内容。
( T9 Y/ O! \! X" f+ E9 f/ t  `第三部分介绍了不同类型SiP实际项目案例的设计仿真和实现方法，包含9章内容。
* R2 [% k; _( M+ g0 E9 _  ]本书通过原创概念、热点技术、实际案例的结合，讲述了SiP从构思到实现的整个流程，并使读者从中获益。
( n( l3 S! t- ^" E, c9 p7 f! S* N本书适合SiP用户、先进封装用户，PCB高级用户，对SiP和先进封装感兴趣的设计者和课题领导者，以及寻求系统小型化、低功耗、高性能、高可靠的科技工作者。
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8 G1 `' L' e0 u/ w& i$ ?% z新书详细介绍文章
. f  J( {" A( Q9 q& p4 Z
0 a9 ~7 a' R4 O* M. [( ?
5 T1 C" j( O' A& ?9 t- v+ @6 _
/ d' u8 D( p* k无论是对本书中的内容，还是对SiP和先进封装设计过程中有疑问，都可以跟帖提问，我也会尽可能及时给予回复！
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( o' I, W$ f9 K% Z) e. C
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作者: li_suny    时间: 2021-5-21 20:26
本帖最后由 li_suny 于 2021-6-21 22:25 编辑
. O" `  B  ^" @2 d& j* s, F2 m0 ]; J1 j, ]- O$ {% y
今天参加SiP大会（上海站），会议现场600+人，在线观众6000+，真是一场行业盛会！
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作者: li_suny    时间: 2021-5-21 20:34
本帖最后由 li_suny 于 2021-6-21 17:39 编辑 & \9 n3 `4 P) E+ o1 y9 O
6 c* ~8 z  K: ^# l9 z
大会主办方专门从电子工业出版社订购了一批新书，作为送给嘉宾的礼品！
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/ f) Q' n! p1 I4 p- d. @ 6 {/ `' K2 `& K- B0 U$ j* u

% H# S3 K8 R) u$ j+ o% @& o7 W/ r$ }) w0 A; W2 y5 d% B
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作者: li_suny    时间: 2021-6-21 22:34
《基于SiP技术的微系统》目 录  
  y5 p0 [7 ^1 i; }8 a- c5 ?4 l+ u, E3 ]5 f# f
第1部分　概念和技术
/ w1 s2 P/ N- }4 F3 Q第1章 从摩尔定律到功能密度定律 3
1 z  p" M8 ]  M  ?; K; a. B, M* m1．1 摩尔定律 3
  ?# n$ S9 `3 C  A8 ^1．2 摩尔定律面临的两个问题 4
8 u: x. U2 b2 N# O3 U; l1．2．1 微观尺度的缩小 4
( G- w, F% r, e; C8 a1．2．2 宏观资源的消耗 6/ \  I: y: o& k1 I# a/ w
1．3 功能密度定律 10
6 _  A9 S' M: N1 z- ~7 e1．3．1 功能密度定律的描述 10
5 G+ t* u- A4 A" w1．3．2 电子系统6级分类法 11
/ \+ j. q2 R& v8 T3 k5 t" ~1．3．3 摩尔定律和功能密度定律的比较 13
! H3 t2 e6 K8 F# w. I: ^3 U1．3．4 功能密度定律的应用 14/ G- j' K$ J6 c5 h& m/ x/ o0 F4 T! ~
1．3．5 功能密度定律的扩展 175 k# y# x1 ?$ q7 s! C' \% M
1．4 广义功能密度定律 17. z6 E* ~8 V6 e# F# M4 E
1．4．1 系统空间定义 18
3 j8 m: {$ X* J# C, ?, ?7 i1．4．2 地球空间和人类宇宙空间 18
( ]8 `: t' h2 e# R1．4．3 广义功能密度定律 20' p* S% o$ `( S% o$ s7 B8 V6 g
第2章 从SiP到Si3P 21
/ u  O4 m7 _0 X; v2．1 概念深入：从SiP到Si3P 21
- s$ _& z, n+ q" j2．2 Si3P之integration 23
  s  q% o$ ]+ Q0 c6 J. t, V8 v2．2．1 IC层面集成 23
. ~7 M! v" g  O1 o; v& b2．2．2 PCB层面集成 26
# E$ v/ c* D! u' V6 k8 a( o2．2．3 封装层面集成 28
9 p2 K/ P2 d1 [5 q3 M2．2．4 集成（Integration）小结 30) P/ W' z# J" H) M" `& F+ d$ V
2．3 Si3P之interconnection 31# q" Z, p, Q4 v& {5 y. Y3 K
2．3．1 电磁互联 31
9 M' G1 Y: V  L5 W5 B+ v  d- C9 Q2．3．2 热互联 36
' u$ Q( b( r+ K7 O2．3．3 力互联 37; L2 Z+ `5 G$ i9 ~
2．3．4 互联（interconnection）小结 39
. D4 ?# e* L: l; C, ?. G: f1 i. X2．4 Si3P之intelligence 39% F6 a+ C) `% k% o7 k3 Z
2．4．1 系统功能定义 404 f' o5 U- e, A# |0 N
2．4．2 产品应用场景 41  _1 O/ T3 C+ ?! y6 ^2 U5 h- m
2．4．3 测试和调试 41
  S6 a* C9 |4 G, X1 z( r8 }2．4．4 软件和算法 42
+ d7 S* _+ U1 r4 E0 u9 T$ z- Y2．4．5 智能（intelligence）小结 44: a. u: }9 b* a! ^9 G
2．5 Si3P总结 44
9 @- Y$ Z+ \, {5 [- E. l2．5．1 历史回顾 44
) L2 v# L* w5 C+ d& E4 _: W2．5．2 联想比喻 453 K* H7 P. N2 t( {5 v
2．5．3 前景预测 466 e) {) \* r, h0 v
第3章 SiP技术与微系统 47: S# T. b( f% J! m6 A( W) [
3．1 SiP技术 47$ S- ~* b. m! l% m
3．1．1 SiP技术的定义 47& W- M- ?& a+ h
3．1．2 SiP及其相关技术 48" y' z1 U, G' I, b8 [- m' T
3．1．3 SiP还是SOP 50/ X/ [/ b7 }' Y
3．1．4 SiP技术的应用领域 51* a; \- M& \# }) Y( h3 v9 N8 N
3．1．5 SiP工艺和材料的选择 55
9 {  ?; A- Y* h+ {, i# y* s) M/ u3．2 微系统 57
$ [: l6 a  U) t! X& [- B, I3．2．1 自然系统和人造系统 571 v/ z: {% p) M/ L4 j
3．2．2 系统的定义和特征 58
0 u5 V- t$ S# @) ^  V! U3．2．3 微系统的新定义 59+ x; P# w, [: s8 N# e
第4章 从2D到4D集成技术 61) f' Y: Q* z6 h8 H4 L/ W
4．1 集成技术的发展 618 N1 A3 R8 n) k( R
4．1．1 集成的尺度 61
' ?6 {% Z4 E& K7 a: n4．1．2 一步集成和两步集成 62% C7 m( Y$ v3 n( s
4．1．3 封装内集成的分类命名 63
* m3 |/ x. b7 U* U9 L/ j4．2 2D集成技术 64
$ ~2 H! H  i/ B: q: Z3 c4．2．1 2D集成的定义 64' o( x# D& K# n, n
4．2．2 2D集成的应用 649 o$ `9 ~) f, {; M, W/ h( O
4．3 2D+集成技术 658 _$ T7 y2 f. T' o1 o
4．3．1 2D+集成的定义 65
3 }( N! ?! U5 ~! z8 y9 O7 X4．3．2 2D+集成的应用 66) _1 f5 H0 D# L) R  q2 c' J" s) T5 u
4．4 2．5D集成技术 67
; \1 K. S5 M8 r/ g$ J* X0 U4．4．1 2．5D集成的定义 67
/ `; r& }) o5 h4．4．2 2．5D集成的应用 67/ {+ W2 {4 @* Z' R
4．5 3D集成技术 68
1 V2 p% R  O, f' |4 X3 A& `# B4．5．1 3D集成的定义 68; J6 N/ z; N0 \6 `3 o$ ?& |" h3 n
4．5．2 3D集成的应用 69
+ `1 n/ n4 s! m/ _4．6 4D集成技术 70
/ }5 |2 N& M8 i# Q$ ?4．6．1 4D集成的定义 70  w1 O: B, M9 v% a9 ^9 l6 d
4．6．2 4D集成的应用 71  M. Z+ C% d/ t. v' i1 ~% R! \
4．6．3 4D集成的意义 73
2 n/ G, T4 I% e4．7 腔体集成技术 73$ N$ T' n% C+ l: h* U" ]
4．7．1 腔体集成的定义 73
: e# ^& C% G' q0 o) Z4．7．2 腔体集成的应用 74
5 L& \2 J% y' e4．8 平面集成技术 765 F. B' v0 ?5 h; Y9 f
4．8．1 平面集成技术的定义 76; Y5 ~9 A9 d( A* O* J
4．8．2 平面集成技术的应用 76
7 L# E. C5 j0 z( q* n) j4．9 集成技术总结 78$ i/ r# x# v" A3 J
第5章 SiP与先进封装技术 80
) v4 n, [2 b. t( X5．1 SiP基板与封装 806 F+ u# ?8 o6 W8 x* n
5．1．1 有机基板 80
& O$ y3 B  b% |$ H- p+ t. }5．1．2 陶瓷基板 82
" ~, @& ^( t* I6 m6 a+ `8 S% ~% W5．1．3 硅基板 856 [% x; D, v* a& G( ]& M0 B" Q
5．2 与先进封装相关的技术 85
2 _  H% h5 t. s; B, O5．2．1 TSV技术 86
) e# Q% [* l- f2 h5．2．2 RDL技术 87
6 G3 O. b1 M" a, ^) t; B% M. [; H5．2．3 IPD技术 88/ ^! U+ }4 n- Z7 `. L4 v
5．2．4 Chiplet技术 89
  x8 y& K% x) K: W. y% e3 T5．3 先进封装技术 929 ]( w* R; M4 a  v0 _0 J" {7 j6 e: y
5．3．1 基于XY平面延伸的先进封装技术 93" ?* ^" P* x4 Q) \4 ]
5．3．2 基于Z轴延伸的先进封装技术 96
4 v  Z$ ]( I& \( J5．3．3 先进封装技术总结 103
4 K$ s& H+ ^, ?0 ?# K5．3．4 先进封装的四要素：RDL、TSV、Bump和Wafer 104
% u9 Q9 p5 Q, j5．4 先进封装的特点和SiP设计需求 105
+ d' ~: w8 A. V4 Y3 }6 E- `7 Y. g5．4．1 先进封装的特点 105  l5 h+ I6 \1 x  p+ O5 v4 m
5．4．2 先进封装与SiP的关系 106& ^" I# c0 p' m+ N4 s/ n
5．4．3 先进封装和SiP设计需求 107
  h9 \* P0 E1 \# N8 t第1部分参考资料及说明 108
) g  }3 @  j8 f; E& s
; g: l. h) D4 r) Z7 y6 Q  x第2部分 设计和仿真
  F) a# O; y; p, m+ H8 ~8 @3 l% H. G第6章 SiP设计仿真验证平台 111( v: b, `" [8 o" k- v+ h. y. r' K
6．1 SiP设计技术的发展 111* q0 N' n0 X( ^. W" F! @: S
6．2 SiP设计的两套流程 112
* _% W' e0 R9 N+ j. K$ W6．3 通用SiP设计流程 112
7 x  H4 ?: `6 W# B" J6．3．1 原理图设计输入 112
% O" b' l  n4 p: g7 M/ R& u6．3．2 多版图协同设计 112
7 i( E$ H0 G' o0 R" K, j6．3．3 SiP版图设计9大功能 113& {& j% `0 p0 C0 W2 |% f& U1 a! [
6．4 基于先进封装HDAP的SiP设计流程 118; ~# U3 T7 u4 o2 x0 I: f
6．4．1 设计整合及网络优化工具XSI 119( ]  F& m% y5 j! J+ u+ V8 y* S/ @4 F
6．4．2 先进封装版图设计工具XPD 1203 b3 J$ u# Y3 z
6．5 设计师如何选择设计流程 121) X# r; u' M( _2 o
6．6 SiP仿真验证流程 122
0 R; @! V. O5 c# F9 N7 O7 i6．6．1 电磁仿真 122( M9 B+ E+ Y" H: P+ @
6．6．2 热学仿真 1246 _9 p; A6 H- f7 |9 q3 I+ r
6．6．3 力学仿真 125
3 p( d" |3 [6 r9 o6．6．4 设计验证 125
5 t3 I2 N" Y2 ?' S6．7 SiP设计仿真验证平台的先进性 127& ^; V, U, f4 c
第7章 中心库的建立和管理 129
  C5 m, t' i  z/ c7．1 中心库的结构 129
" N& Q  G7 v6 J" x$ G3 L# K4 b( ^& u7．2 Dashboard介绍 130( R1 `& Q, ?" L6 [; q; M/ ?
7．3 原理图符号（Symbol）库的建立 131
* Z7 z+ i: Z4 \! p( j3 ]+ e+ W7．4 版图单元（Cell）库的建立 136
/ E3 c- M- E7 f# B1 O$ U& S' G6 v) w6 b- ^7．4．1 裸芯片Cell库的建立 136
# v! K2 i+ a8 C% Q- Z% Y7．4．2 SiP封装Cell库的建立 141& _, I5 r' V: B( f8 Y
7．5 Part库的建立和应用 145
1 y, e  c' z6 G' F& V9 p$ i7．5．1 映射Part库 145  ^+ I$ x/ A- V8 K) v- P
7．5．2 通过Part创建Cell库 147
5 D( G8 G  f1 ~+ r- v, q2 E7．6 中心库的维护和管理 148
' G) y' e/ U8 V* R7．6．1 中心库常用设置项 149, Z3 L, D/ }9 \7 X5 q6 @# n/ W3 Q( p
7．6．2 中心库数据导入导出 149
( W/ o7 j: k/ p0 |% ]& P1 |0 Z6 F第8章 SiP原理图设计输入 152
7 z/ \7 z. h; q8 i8．1 网表输入 1527 n2 B" a4 b7 d) k) |4 r
8．2 原理图设计输入 1545 A% F, b9 a5 R* y9 O/ n
8．2．1 原理图工具介绍 154
0 j3 Z; g' E( G: K8．2．2 创建原理图项目 162
5 i! K0 j! i! W6 [8．2．3 原理图基本操作 163
6 y9 y0 g6 M+ p9 C* u0 W# V" m8．2．4 原理图设计检查 167
# Q% T3 l6 Q0 j( L& J8 U& y8．2．5 设计打包Package 169$ Y' U" Q% M, L. V  p% w
8．2．6 输出元器件列表Partlist 1721 z' q" m4 z' z. `2 q5 L) U8 K
8．2．7 原理图中文菜单和中文输入 173
  c/ ]& S) [1 S# P8．3 基于DataBook的原理图输入 175  S% ^2 g1 J; s
8．3．1 DataBook介绍 175
1 U+ V0 c1 m: W8．3．2 DataBook使用方法 176
% b$ r' e) j$ f+ p9 k# }% `8．3．3 元器件属性的校验和更新 1782 w5 _& T, h4 j: Z" g# G; \8 S
8．4 文件输入/输出 179& C/ p# b; j7 p4 |
8．4．1 通用输入/输出 179
( p& ?1 ^4 `* m8．4．2 输出到仿真工具 181# @& `' z4 M$ R! D# A/ s8 X
第9章 版图的创建与设置 1839 q9 U$ j1 O- F$ u* J6 ^
9．1 创建版图模板 1830 q2 f( Y1 d0 A! y8 M8 U% z! g. L
9．1．1 版图模板定义 183
% p: O7 B! ^! K: k* D% I" H! \9．1．2 创建SiP版图模板 184% a- r) _% [  F4 W  E. w# v  n7 M
9．2 创建版图项目 194" i0 Z$ A( v" z( P
9．2．1 创建新的SiP项目 1945 F7 B. O, P4 U% x
9．2．2 进入版图设计环境 195
, u! e: ]$ i8 O# m, Z- W6 F9．3 版图相关设置与操作 1965 f2 M/ @- b) [
9．3．1 版图License控制介绍 196% A% ^/ L; k- l) @6 ?1 e! I
9．3．2 鼠标操作方法 197
0 [# G, m6 I" Y. m& G% z" T8 v9．3．3 四种常用操作模式 199
4 z) W3 ?- `# I. ]2 I5 R9．3．4 显示控制（Display Control） 202+ z2 H1 W+ P( E
9．3．5 编辑控制（Editor Control） 207; z) L) o, Z& a# d5 p2 t5 |
9．3．6 智能光标提示 2135 @2 p& }( G6 Q9 E
9．4 版图布局 213
" W" I+ G1 ~1 \0 J/ Y5 ?  t9．4．1 元器件布局 2132 ~; S: w$ Q; j; ^/ h" G; k
9．4．2 查看原理图 217- o( h9 B3 o& M5 ?+ O" z
9．5 封装引脚定义优化 218
0 v' `' s' ~( U' [' S9．6 版图中文输入 218
5 Q) g9 I$ p0 n, }; Z  ]第10章 约束规则管理 221
7 K5 G. x$ U# v  W: u10．1 约束管理器（Constraint Manager） 2213 H1 t) `4 N3 [4 l0 o
10．2 方案（Scheme） 2224 e+ I9 Q* }+ y7 V+ H
10．2．1 创建方案 223. P: x+ R( }9 e' j" q+ g+ b8 H
10．2．2 在版图设计中应用Scheme 223
) K8 W; E5 o; q, H4 K' {" \10．3 网络类规则（Net Class） 224: ~+ t  J, l: f8 }
10．3．1 创建网络类并指定网络到网络类 2241 T) Z2 l: g" T5 P1 c
10．3．2 定义网络类规则 225
+ D2 Q; a' V$ ~7 j10．4 间距规则（Clearance） 226# e2 n; p- a  k& R. ?% h* G& Q
10．4．1 间距规则的创建与设置 226- \" t( {: O; J( u) e
10．4．2 通用间距规则 227! K+ e( ^) K/ c5 P
10．4．3 网络类到网络类间距规则 228
( T9 p# q' _) {% ]( ?1 e10．5 约束类（Constraint Class） 229
1 \* s) c8 j9 c) e5 I  k* ~10．5．1 新建约束类并指定网络到约束类 2296 d/ [0 V) X' V3 Q- {# J
10．5．2 电气约束分类 2302 H- L) ^) t! D2 E9 b" T
10．5．3 编辑约束组 231
' I0 l$ L6 k' f: F- |10．6 Constraint Manager和版图数据交互 232
7 v" J' J7 B' K- P& Z& F+ ]- I* m10．6．1 更新版图数据 232$ a1 n: R- E  K9 d1 l) u! g
10．6．2 与版图数据交互 233' s+ e( w% H# m
10．7 规则设置实例 233
5 h1 o; y, R; K( s0 X$ |10．7．1 等长约束设置 233
$ y  }! u  R. D/ y6 Y10．7．2 差分约束设置 2361 B, G1 s4 [4 }/ Q* t
10．7．3 Z轴间距设置 237) x3 d! O7 A5 ]) i9 X; j. \/ q" e$ b8 r
第11章 Wire Bonding设计详解 239
* Y" `7 P# c: S$ l7 H11．1 Wire Bonding概述 239; Q  ?4 Y6 M/ D; ?1 k
11．2 Bond Wire 模型 240% X; v, m- E0 L- Y, q# p, W' s
11．2．1 Bond Wire模型定义 2416 Z. ]( p; g2 s" W
11．2．2 Bond Wire模型参数 245
! m* D# k2 E+ Q11．3 Wire Bonding工具栏及其应用 2469 f6 Z9 P8 N8 ~
11．3．1 手动添加Bond Wire 246* t& F/ S9 b+ \5 E% Z- @: J/ f
11．3．2 移动、推挤及旋转Bond Finger 247
: x6 i8 ^3 o. Q0 n0 C6 b* D9 v11．3．3 自动生成Bond Wire 2485 U( l' g+ K+ F. h
11．3．4 通过导引线添加Bond Wire 249
; h, v' d" F) G- s, c11．3．5 添加Power Ring 251  S% q1 J) ~8 N' I6 t( B
11．4 Bond Wire规则设置 252
& P$ E' u& c% n+ w% k11．4．1 针对Component的设置 253
) K. U# c" O! P7 ^8 t. X$ E' [11．4．2 针对Die Pin的设置 2560 @# I. y5 x6 H  b6 {
11．4．3 在Die Pin和Bond Finger之间添加多根Bond Wire 2580 S& H; q+ X1 D4 e( P
11．4．4 从单个Die Pin扇出多根Bond Wire到多个Bond Finger 258
4 u- [* i# D5 P1 r  y6 N11．4．5 多个Die Pin同时键合到一个Bond Finger上 259
/ ^! @$ b# {) K" N9 R- K; r5 ?+ I11．4．6 Die to Die Bonding 259
$ B& f8 X3 n) U, L% |& B11．5 Wire Model Editor和Wire Instance Editor 261- u2 o4 o6 e+ S2 ^7 n4 S
第12章 腔体、芯片堆叠及TSV设计 265
/ R0 n" z* Z; e: Y12．1 腔体设计 265  h+ h  r% T1 A5 `. {/ w9 T' L
12．1．1 腔体的定义 265
7 B8 `% ~+ B( x/ s& A1 R7 N12．1．2 腔体的创建 267
" g% @- q7 w$ x3 n8 @( x12．1．3 将芯片放置到腔体中 269
4 G8 i4 Q' J0 g! d. k' ^! g2 ^12．1．4 在腔体中键合 270
; g2 w9 c+ B5 x  S2 \4 X12．1．5 通过腔体将分立式元器件埋入基板 271
+ p9 C# o' C: V  D12．1．6 在Die Cell中添加腔体实现元器件埋入 273
& h2 g9 Q& u! b% F+ E12．2 芯片堆叠设计 275
2 C, ?' A$ E! K, A12．2．1 芯片堆叠的概念 275. @9 U( v' J0 F/ F$ H; q
12．2．2 芯片堆叠的创建 276$ C' d. L* D. z
12．2．3 并排堆叠芯片 277
" j6 n5 T5 ], I* j" D12．2．4 芯片堆叠的调整及键合 278
) ?- @: g2 v- x, Z: _12．2．5 芯片和腔体组合设计 279
- G; V- d' [2 C! B, o& L. y- P* y' C* m6 c12．3 2．5D TSV的概念和设计 281- A6 F6 }& M4 m5 i1 ?1 o3 j
12．4 3D TSV的概念和设计 281
% n- B2 Y( v5 b9 V, Z3 \12．4．1 3D TSV的概念 2814 B0 R; a* x+ f5 T! v: c
12．4．2 3D TSV Cell创建 283, o, q1 A0 s- D8 I% V
12．4．3 芯片堆叠间引脚对齐原则 284
! V# R: d+ S: d7 F' M12．4．4 3D TSV堆叠并互联 284
& @9 a2 @( ~0 ~" i12．4．5 3D 引脚模型的设置 286
$ ^0 ^, B, I( G5 `12．4．6 网络优化并布线 287/ v' `7 j1 U6 o1 ]0 E# f
12．4．7 DRC检查并完成3D TSV设计 2892 T* M# I9 w, I5 A
第13章 RDL及Flip Chip设计 2917 O3 {. _) u9 z# z5 U# l
13．1 RDL的概念和应用 291# X6 @0 o) f1 E  R" q8 a
13．1．1 Fan-In型RDL 292
# ?0 c& ^/ J1 B7 ~" T0 G- [% ^+ g2 l13．1．2 Fan-Out型RDL 293
  c. `0 w/ o+ G% U13．2 Flip Chip的概念及特点 294# F* I9 _$ E8 T6 H2 V4 S
13．3 RDL设计 295
, [3 X1 l- j; E% R13．3．1 Bare Die及RDL库的建立 295
9 o4 |/ F0 j! ~2 V' Y6 T8 b13．3．2 RDL原理图设计 297; S5 E" T9 x5 I! A; t
13．3．3 RDL版图设计 297& j1 ~( ^: q8 b8 U) a+ W
13．4 Flip Chip设计 301% K! @. O& T4 ?  O1 ]6 \! v7 ~
13．4．1 Flip Chip原理图设计 301) r$ G5 s0 I# Z" E: j( o4 L
13．4．2 Flip Chip版图设计 302) F4 h. E8 v9 v. S; \7 H
第14章 版图布线与敷铜 307* p! N% E- U8 Y$ t
14．1 版图布线 307
5 F1 z$ a9 F: W; _6 W2 Q" ]! E14．1．1 布线综述 3077 o" K( L& o* w0 A6 I
14．1．2 手工布线 307
* J9 }' n9 H( Q  ]14．1．3 半自动布线 312' ?7 J9 I! m' Q5 G8 v
14．1．4 自动布线 315
  ?# x6 H9 G+ m3 X: k0 h7 i5 ^14．1．5 差分对布线 316
* |+ D& g2 z& T* k. q) f' b14．1．6 长度控制布线 319
' {" A4 _4 K* A14．1．7 电路复制 323  ]; I5 `, E8 g1 _7 Z, l* ]
14．2 版图敷铜 325
8 A3 n. z: M8 E+ D14．2．1 敷铜定义 325, f" s: Y; c4 U, Z$ |3 \' T" M" U
14．2．2 敷铜设置 3251 m. n. Q5 J* {
14．2．3 绘制并生成敷铜数据 328
; @8 V+ D$ d/ W# R; C2 y+ n# c: X14．2．4 生成敷铜排气孔 331
1 N+ Q8 T( k% X* a3 C14．2．5 检查敷铜数据 333
, T# F2 s' b9 \# ]# _第15章 埋入式无源器件设计 334
/ o) W3 h% y8 D# Q15．1 埋入式元器件技术的发展 334: h  Z& O/ W0 q% C2 b
15．1．1 分立式埋入技术 334; S  k! O9 _" Q+ M  J' a$ A5 K
15．1．2 平面埋入式技术 336
% ^5 J; O, p0 n* E* C7 o15．2 埋入式无源器件的工艺和材料 3364 q& N  s! z9 \, Q
15．2．1 埋入工艺Processes 337& W3 A4 {% @/ t' E, A4 @, ^! e- x0 j. ^
15．2．2 埋入材料Materials 342
1 k0 G( ~0 J9 @) ~' b( t  f15．2．3 电阻材料的非线性特征 346
4 i5 \% o$ B$ m4 J+ w15．3 无源器件自动综合 347
( l% _& j: z% l+ @% d15．3．1 自动综合前的准备 347
3 `9 ]  d/ h2 Y2 o8 Y! _0 _& w% o: G15．3．2 电阻自动综合 349
1 U4 m8 Q% D% z3 C! z15．3．3 电容自动综合 353
- `2 t$ G' ~5 H' u3 w15．3．4 自动综合后版图原理图同步 357
# A6 l6 {5 T$ n/ k- A( M. \第16章 RF电路设计 3595 t4 g; q6 Y/ C: h1 A; g: \& f) E
16．1 RF SiP技术 359$ Y  {; b" p% U7 h2 o
16．2 RF设计流程 3607 c% {! E% D6 k6 f" [$ K6 _( R( U
16．3 RF元器件库的配置 360
3 t2 N- f: ^* G* ?: u1 X16．3．1 导入RF符号到设计中心库 360
$ o  n% j% }! X- M. V6 f6 W* o16．3．2 中心库分区搜索路径设置 361' ~% x/ m8 ~) O5 c  O; }
16．4 RF原理图设计 362% d. Y$ n2 K( r" p# U  y  y! p
16．4．1 RF原理图工具栏 362% t. L, B9 }: l5 O
16．4．2 RF原理图输入 364" Y: |' l9 ^& N, j- @7 V- s, V" Q
16．5 原理图与版图RF参数的相互传递 365
& j. B% Y5 C; F- e" B" s16．6 RF版图设计 3686 h7 `9 o$ w) d  v; Q
16．6．1 RF版图工具箱 368. _2 E" g; N. c1 r- S% a* g& j
16．6．2 RF单元的3种类型 369
/ f! i: o' |8 A; w7 t6 d16．6．3 Meander的绘制及编辑 370' C- \( }- V% C( e7 L3 _5 x3 j
16．6．4 创建用户自定义的RF单元 372' R, p: N: A, [( b4 _6 y" M$ }2 i2 t
16．6．5 Via添加功能 374
5 v' m7 G  y- X6 r16．6．6 RF Group介绍 376
; r3 a% l1 U; Y7 X- E5 a16．6．7 Auto Arrange功能 3778 O4 z/ l- a- q# C4 c
16．6．8 通过键合线连接RF单元 377$ x4 R" k: o4 X9 \" v
16．7 与RF仿真工具连接并传递数据 378
- |" h6 \4 f' w! V" ^+ s# L+ K16．7．1 连接RF仿真工具 378: ]4 ~% Z. d3 ~* z6 b9 R+ o
16．7．2 原理图RF数据传递 380
9 j+ ?, c1 Q: m: h16．7．3 版图RF数据传递 381, r8 k! x* d6 d6 ]# S
第17章 刚柔电路和4D SiP设计 383
% Y! O) y6 _. f. V1 F17．1 刚柔电路介绍 383) V! h  B2 R. j0 M+ n: f' n! e- l
17．2 刚柔电路设计 384+ ]1 d  f  W( A) V. _; I
17．2．1 刚柔电路设计流程 384
9 A; {" c6 a  v9 _9 S4 t* w& ]17．2．2 刚柔电路特有的层类型 384  ?8 L. s7 n. s* y7 s& i
17．2．3 刚柔电路设计步骤 385
. i- Q& v" J& D& a! H) _/ y) J17．3 复杂基板技术 394
4 `1 ]0 i+ ]5 R( o% _4 O17．3．1 复杂基板的定义 394; t% X/ D$ ^- N5 I5 {5 i3 i) [/ G+ O
17．3．2 复杂基板的应用 394
5 D/ Z. n, n  `7 y$ E+ \17．4 基于4D集成的SiP设计 3950 _, o' X$ c* R% N* J
17．4．1 4D集成SiP基板定义 395& ^/ Y$ _- h* C: }9 g
17．4．2 4D集成SiP设计流程 3961 l7 U/ l. O9 c
17．5 4D SiP设计的意义 400
9 C. B1 |1 @$ c) m第18章 多版图项目与多人协同设计 401
* e6 f; Q( J2 |( U, n2 J; N8 t18．1 多版图项目 401
- o" K: S* E6 W$ E18．1．1 多版图项目设计需求 401
7 w# u- ~. d& `/ O" K' o18．1．2 多版图项目设计流程 402
# o- Y/ R. ?; X7 B: l18．2 原理图多人协同设计 405
- n! J- w4 q0 u2 s18．2．1 原理图协同设计的思路 405
( h! X& R  Y2 o+ I2 _' `1 }8 I18．2．2 原理图协同设计的操作方法 406
& l; r  G0 S: N/ g& P18．3 版图多人实时协同设计 409
5 l# ]- \4 w' |2 `) N+ D: R7 I18．3．1 版图实时协同软件的配置 411
& \' i7 L  m9 ?& i18．3．2 启动并应用版图实时协同设计 412! D2 n* k- D1 Q6 P! _
第19章 基于先进封装（HDAP）的SiP设计流程 4156 E" R. d, E$ T" O+ Z
19．1 先进封装设计流程介绍 415
( A+ c: K% O2 M7 R. a3 y19．1．1 HDAP设计环境需要的技术指标 415
" _& J6 A9 Y! G9 {3 [$ b! Q* y19．1．2 HDAP设计流程 416
7 x) B/ \4 b) c, L- a5 \$ y19．1．3 设计任务HBM（3D+2．5D） 417
& u+ w9 |- d  M, t19．2 XSI设计环境 418
! _9 |% p5 k8 G5 s$ y6 G8 `* @19．2．1 设计数据准备 418! j, }" R- d/ G/ j9 }* \
19．2．2 XSI常用工作窗口介绍 419
$ k% U! R1 I. m/ \5 _4 m19．2．3 创建项目和设计并添加元器件 420
6 S7 X, e% b- E19．2．4 通过XSI优化网络连接 428
5 C. l( F1 R6 Z7 Q% j) t" I" f19．2．5 版图模板选择 429
% ?: o) x4 o3 K$ t5 V( h19．2．6 设计传递 4310 X/ b3 ]6 ]1 G8 M0 [
19．3 XPD设计环境 432
( p9 O+ u5 D! ]7 Y& F' p  u  `2 g19．3．1 Interposer数据同步检查 432  e: ]1 g$ z; e/ f1 N! C
19．3．2 Interposer布局布线 433& P( E% G9 K. H
19．3．3 Substrate数据同步检查 434
* G' |5 @) r9 {- a8 A3 ]6 S19．3．4 Substrate布局布线 4353 E6 m* M5 U0 W
19．4 3D数字化样机模拟 436
% z7 \* e% Q6 {7 m) [/ Z19．4．1 数字化样机的概念 4367 H7 o! f4 r6 a! i
19．4．2 3D View环境介绍 437# Z' y* S8 k/ b& R5 p1 c; w
19．4．3 构建HDAP数字化样机模型 438
' i- n- ?* X  M& e# O+ q' U4 B( {第20章 设计检查和生产数据输出 444  {5 i3 a, M! x2 i
20．1 Online DRC 444+ d2 N% o3 D5 ]) ?4 t
20．2 Batch DRC 445
! g! u3 l7 t7 {2 ^- {4 k4 l20．2．1 DRC Settings选项卡 445
8 L. L& V" `6 c20．2．2 Connectivity and Special Rules选项卡 447/ r8 ?) S+ K# c8 l% d
20．2．3 Batch DRC方案 4483 S8 z% H5 s. _8 o
20．3 Hazard Explorer介绍 449
, v; O" {% b: J- c20．4 设计库检查 453
6 o6 B4 n+ T9 q$ `/ y4 n: l20．5 生产数据输出类型 453. I, B) ^" G% K, j: f# a
20．6 Gerber和钻孔数据输出 454
. |0 }) d  Z* G0 H( V( d& j. n20．6．1 输出钻孔数据 454& o; S4 @6 v0 `- @4 F5 P
20．6．2 设置Gerber文件格式 457
& r3 z; L3 L( M! X8 d4 r- r2 M, h20．6．3 输出Gerber文件 4589 O3 m: m- ?0 Z
20．6．4 导入并检查Gerber文件 460
$ g4 l1 i" B# `/ X3 R' w  y5 u20．7 GDS文件和Color Map输出 4613 J! W9 c: [! s& O" \' B2 p) D* b
20．7．1 GDS文件输出 4618 H4 C+ r: `' n; D* j0 q2 p/ E
20．7．2 Color Map输出 4626 M$ R- q/ R, D" e
20．8 其他生产数据输出 4636 p4 {$ o- ]9 \% b: C- m
20．8．1 元器件及Bond Wire坐标文件输出 463
" E+ j2 q0 T) P20．8．2 DXF文件输出 465
7 x' {8 r* a; w) [- g20．8．3 版图设计状态输出 465
! a8 |# J' O# f, Q# q. U& W20．8．4 BOM输出 466
& S* s2 N3 i) U# l% F% J: w第21章 SiP仿真验证技术 468( O# x9 K: r9 P9 l# H; Y8 P7 V
21．1 SiP仿真验证技术概述 4680 k  O3 {: Q, o) M* m1 g* _6 Q. x
21．2 信号完整性（SI）仿真 4692 R7 H. o: F( G+ V* P* `
21．2．1 HyperLynx SI 信号完整性仿真工具介绍 469
/ u9 o/ y: Z( k0 w21．2．2 HyperLynx SI 信号完整性仿真实例分析 471& a/ `9 K5 T/ o" G, }& N/ `
21．3 电源完整性（PI）仿真 476
$ Z* Y: M; _' y4 P5 ?6 @" a21．3．1 HyperLynx PI 电源完整性仿真工具介绍 477# q# n) y) d3 U' m
21．3．2 HyperLynx PI 电源完整性仿真实例分析 478. C0 t& @( b$ T2 R. t/ _3 e4 d. e
21．4 热分析（Thermal）仿真 483
9 K+ I! A3 M) }+ J- ?+ g+ D21．4．1 HyperLynx Thermal热分析软件介绍 484; Y1 {" H' W$ Y8 W1 E# W
21．4．2 HyperLynx Thermal热仿真实例分析 484
( N& b. H% O9 e21．4．3 FloTHERM软件介绍 488# c! i0 S* v2 d8 s3 x! e: d
21．4．4 T3Ster热测试设备介绍 489
% \& O9 i: h7 G21．5 先进3D解算器 491
$ E5 X; _4 }  }# V: u0 l% y1 I/ }21．5．1 全波解算器（Full-Wave Solver）介绍 491
' O3 B$ I" j  P( q: X% q21．5．2 快速3D解算器（Fast 3D Solver）介绍 4913 Q9 R' }6 T8 Z! f
21．6 数/模混合电路仿真 492
' Y! T9 i8 p% {21．7 电气规则验证 493. t  j$ Z$ s7 l$ x+ ?7 @
21．7．1 HyperLynx DRC工具介绍 493
( |' N! ~! Z5 e  g" ?1 _7 o21．7．2 电气规则验证实例 494
7 Z$ M* a' p, g6 z5 A! v21．8 HDAP物理验证 4992 B9 E& u! F) W0 x$ Y+ G# D
21．8．1 Calibre 3DSTACK工具介绍 499
+ Y$ d0 w4 ]1 a! w# e) Z( h- S21．8．2 HDAP物理验证实例 5004 d8 M: q# _" D
第2部分参考资料及说明 5060 ~& o1 A! }; b8 ?
. s# Y, @/ D. k' V0 c  ^& H+ ]
第3部分 项目和案例
6 C) O1 ^0 z1 r3 [% A第22章 基于SiP技术的大容量存储芯片设计案例 5097 g0 a/ S# ^8 m, d6 c5 h  R1 K
22．1 大容量存储器在航天产品中的应用现状 509- X8 v3 M3 @% x+ b$ R
22．2 SiP技术应用的可行性分析 510
% w+ L: A( m3 a6 Z6 s22．2．1 裸芯片选型 510
- m! Z8 j& m: ?+ z1 g* o& G22．2．2 设计仿真工具选型 512
; B3 ~+ V# ^4 V1 a22．2．3 生产测试厂家选择 512
4 t# Q) p9 w8 ?. f22．3 基于SiP技术的大容量存储芯片设计 513
! e# z5 o, K3 e, K; w' ]+ g' K22．3．1 方案设计 513
7 Q! |1 c7 e, ?% F9 X22．3．2 详细设计 514
- ?5 ~2 w* W! r0 q22．4 大容量存储芯片封装和测试 5194 R( b4 W# \! x6 n
22．4．1 芯片封装 519
8 V, q) p$ I4 N' n* j6 f9 O22．4．2 机台测试 522% b% T: n: B0 G2 V3 Y: v! c6 V
22．4．3 系统测试 5233 o" C$ s1 g0 Y- c' X: m1 E- T
22．4．4 后续测试及成本比例 523
+ U6 R/ ~6 B, w5 a9 T) k$ {9 Q: X; b22．5 新旧产品技术参数比较 525
- J, M3 p3 G9 `+ e' ^( t) _. L第23章 SiP项目规划及设计案例 526
* d, c7 h, \; o4 {7 Z23．1 SiP项目规划 526
- S$ P( g4 s4 k& Y# [# d23．1．1 SiP的特点和适用性 526; ?5 U6 E8 A% L# h% q& w+ S
23．1．2 SiP项目需要明确的因素 5290 J( g6 F9 I% P! l* S
23．2 设计规则导入 530
: v3 h( w3 K4 T2 H7 l) n23．2．1 项目要求及方案分析 5307 W$ q( ]1 z* N3 o! G0 L- |
23．2．2 SiP实现方案 532
- g" `! \0 g6 o; ]  ]; t1 {1 o23．3 SiP产品设计 534: j4 A. t" S. R$ n/ A7 D4 p, v& c
23．3．1 符号及单元库设计 534, H# W! d3 x9 g. e1 d
23．3．2 原理设计 535
- ]3 c3 ?8 D& M( p" n6 O23．3．3 版图设计 535$ ?. \+ p0 ]/ \
23．3．4 产品封装测试 538
8 @& {3 }( T. v第24章 2．5D TSV技术及设计案例 539
6 G1 X( E7 _; j, T( \. y; T- K6 f24．1 2．5D集成的需求 539# S4 M' T1 z7 e0 i$ n( E; v1 y3 X
24．2 传统封装工艺与2．5D集成的对比 5395 u( O+ J( o+ `8 ^0 |: f
24．2．1 倒装焊（Flip Chip）工艺 539/ u5 C" p; q& [  \
24．2．2 引线键合（Wire Bonding）工艺 540
7 l  V( M4 |2 G; E3 Z0 M24．2．3 传统工艺与2．5D集成的优劣势分析 5416 Z8 b% i* N6 j  x) {
24．3 2．5D TSV转接板设计 542) J1 ]1 c- u3 Z! t, G& I' ?8 g* i
24．3．1 2．5D TSV转接板封装结构 542) k% l) u% J' H$ P% j
24．3．2 2．5D转接板封装设计实现 543
9 v- X3 M. ]& T/ ^* H  H24．4 转接板、有机基板工艺流程比较 5447 R8 j8 ?# i5 L2 [" x$ v6 X2 i$ i
24．4．1 硅基转接板 544
2 E$ i( i# ?) ~, W4 Y/ F5 E24．4．2 玻璃基转接板 545& k: g+ w& q" O4 P" x# e/ W6 h
24．4．3 有机材料基板 546' f* f+ B$ `* F/ U
24．4．4 两种转接板及有机基板工艺能力比较 5462 N2 s% l1 R' C) N5 }- Q
24．5 掩模版工艺流程简介 5465 O( p; C- E) t: K
24．6 2．5D硅转接板设计、仿真、制造案例 547
# W/ R: n) B& w24．6．1 封装结构设计 547
& P* F& F% F& S5 U0 B' Y) b24．6．2 封装布线、信号及结构仿真 549
) n' X" }( i5 W& _24．6．3 生产数据Tape Out及掩模版准备 552
5 c9 w, B0 ?# }4 J: \24．6．4 转接板的加工及整体组装 553
/ o$ z4 f" d6 o$ B. \第25章 数字T/R组件SiP设计案例 554
, g/ x. E$ z$ W% ]1 K25．1 雷达系统简介 554" A5 R5 y; t# S! Q
25．2 SiP技术的采用 555
$ b% c4 O/ ^; k' ?) z25．3 数字T/R组件电路设计 556- U  g$ k2 I# }+ W0 c& I9 E+ u9 k5 A
25．3．1 数字T/R组件的功能简介 556% |- p! y& @" A/ j) v
25．3．2 数字T/R组件的结构及原理设计 557
9 \- @/ `9 j# ^7 W25．3．3 数字T/R组件的SiP版图设计 559
( w- ^% V/ _: ?( u0 z25．4 金属壳体及一体化封装设计 560  }7 R9 Y3 P, Q  _, G1 e/ O: P/ y! F
第26章 MEMS验证SiP设计案例 563
% S4 y1 n  u9 G2 T0 J4 W& E26．1 项目介绍 563
5 ]& T! G; s, N! q& r9 O26．2 SiP方案设计 563
- t8 N! K& j5 N3 w, a5 T26．3 SiP电路设计 564
: m* D: j7 A% h7 S* q, H: v+ Y26．3．1 建库及原理图设计 565
0 r( H' z( I3 a26．3．2 SiP版图设计 566
. R& n  g$ s% s1 r1 |7 B26．4 产品组装及测试 5714 L$ N# m+ N( [9 `
第27章 基于刚柔基板的SiP设计案例 572, d( T5 l% o* k3 ]/ ]' g6 U
27．1 刚柔基板技术概述 572
: _* M$ V: I2 v) ^( o27．2 射频前端系统架构和RF SiP方案 573( y. s! X! v% C$ i, @
27．2．1 微基站系统射频前端架构 5736 X- E1 Y6 |; `  Y: Q; B* r
27．2．2 RF SiP封装选型 574$ F+ t: L$ }6 \8 C- w2 h% o
27．2．3 RF SiP基板层叠设计 575
) ?$ c4 @0 d* L: @" q27．3 基于刚柔基板RF SiP电学设计仿真 576% d' S3 I  u7 w, F/ ~2 `: O+ f
27．3．1 信号完整性设计和仿真 576
4 E& E* b. D  K; v27．3．2 电源完整性设计与仿真 5791 ^9 b; [1 m/ X- S/ k; q
27．4 基于刚柔基板RF SiP的热设计仿真 581% b3 S6 [* r0 T
27．4．1 封装结构的热阻网络分析 581! p" n- I  |) K" T; b4 T
27．4．2 RF SiP的热性能仿真研究 5830 z& P% q( ^4 i- i
27．5 基于刚柔基板RF SiP的工艺组装实现 5878 s+ T4 F% J6 P( D' e6 y. u
第28章 射频系统集成SiP设计案例 589
+ j; T: m6 u0 K  E: w28．1 射频系统集成技术 589& n; S4 b# n0 j' B
28．1．1 射频系统简介 589: E# G  A! f( p2 q9 }+ ?" M
28．1．2 射频系统集成的小型化趋势 590
" ~/ S0 m5 b& G' V) A2 u  t28．1．3 RF SiP和RF SoC 592# _$ n2 C* ~  e. J
28．2 射频系统集成SiP的设计与仿真 594; Y: I1 z$ _. }6 R
28．2．1 RF SiP封装结构设计 5944 g7 R. A' l/ ?: H( x: t( C% B5 x# w
28．2．2 RF SiP电学互连设计与仿真 595- q, L1 a( k& {2 |
28．2．3 RF SiP的散热管理与仿真 597
, k% G! S! ?8 r0 D28．4 射频系统集成SiP的组装与测试 5988 H7 |" v9 r! U: d
28．4．1 RF SiP的组装 5982 `5 f  F, _7 V
28．4．2 RF SiP的测试 599# E4 j4 G1 e4 S; H2 X% P! Y/ ]% d
第29章 基于PoP的RF SiP设计案例 602
4 c6 T: ~# r, o1 U* |+ V29．1 PoP技术简介 602
! U$ H" u  \; x9 |/ l29．2 射频系统架构与指标 603, T, |2 S3 [/ B+ _* l, R( N
29．3 RF SiP结构与基板设计 606
. f4 @) U3 x# Q9 [( H7 _9 j29．3．1 结构设计 606
' X2 X: t- Y4 c29．3．2 基板设计 607
  S( C8 x9 H- A% [29．4 RF SiP信号完整性与电源完整性仿真 6101 M8 c4 B+ @0 ~. W# i
29．4．1 信号完整性（SI）仿真 610
; a- ?* r% v' n( X( t29．4．2 电源完整性（PI）仿真 610. ?+ N! F3 D' g7 o4 d6 R2 W
29．5 RF SiP热设计仿真 612
: o" m& _5 c9 b) M7 Y2 F29．6 RF SiP组装与测试 613
* c4 S- ^0 z! |0 ]3 N( J* D第30章 SiP基板生产数据处理案例 616
" n' N+ N3 i# M5 A30．1 LTCC、厚膜及异质异构集成技术介绍 616
. s" D$ J5 g5 I/ N30．1．1 LTCC技术 616" Z) L0 S2 }7 ~/ I$ f/ d; C8 ^- `; }
30．1．2 厚膜技术 617
( O9 F2 E6 o2 G( ?& M4 ~7 v* }30．1．3 异质异构集成技术 617) E+ E/ ^  u& u3 p6 F0 r& ~" D' n
30．2 Gerber数据和钻孔数据 618
* X* b8 M& ^/ |: c! {! a4 l: K30．2．1 Gerber数据的生成及检查 618
" R% v/ k% O( z" j3 O30．2．2 钻孔数据的生成及比较 6213 T: ~3 X% i8 s" F8 N9 m
30．3 版图拼版 6229 d& [7 Y; c* T6 R1 v: W& S
30．4 多种掩模生成 624# z% t& w& @( N; ~5 q" G5 u
30．4．1 掩模生成器 624
; K& K( q9 T% r) G0 t/ t+ H, l& S3 n30．4．2 掩模生成实例 6267 V9 U8 W+ c# s0 @/ K) T) U
第3部分参考资料 630; H  g9 c, y( b6 s5 T% y
后记和致谢 632
8 q0 O8 U4 X. u4 [6 g$ d  B
作者: APP_338522    时间: 2021-7-2 14:22
李总应该把书上的例子放上来让大家练习
作者: li_suny    时间: 2021-7-3 08:56
APP_338522 发表于 2021-7-2 14:22
+ L0 Q! ~7 V! J李总应该把书上的例子放上来让大家练习
$ T* |+ P/ |1 m7 ~2 w
谢谢建议，我找一个合适的例子！
作者: ytmgadw    时间: 2021-7-7 21:49
书看了，非常不错
作者: wenspig    时间: 2021-7-28 10:00
你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？
作者: li_suny    时间: 2021-7-29 11:05
ytmgadw 发表于 2021-7-7 21:49
& s. p2 s2 a; o- @: P% v% R# i书看了，非常不错

4 l7 C0 [" g) ^! a谢谢评价！
0 u) W* C1 G5 v8 Z7 C1 V0 x
作者: li_suny    时间: 2021-7-29 11:07
wenspig 发表于 2021-7-28 10:00
) F8 g# Y/ h1 v1 ?  d( c% q( F你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？
/ [/ L6 f4 a1 d5 M& }% ^' N: _: W5 s
第一部分概念和技术，第三部分项目和案例均和软件无关；第二部分设计和仿真，用的是Mentor，现在称为Siemens EDA。. ?0 M% g% f3 i7 X# U0 w+ n




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