MRAM在读写方面可以实现高速化，这一点与静态随机存储器(SRAM)类似。由于磁体本质上是抗辐射的﹐MRAM芯片本身还具有极高的可靠性，即MRAM本身可以免受软错误之害。# D6 w6 V3 S1 A, H & ...
查看 »
关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )
GMT+8, 2025-11-24 14:07 , Processed in 0.203125 second(s), 28 queries , Gzip On.
深圳市墨知创新科技有限公司
地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050
/1 
组图打开中，请稍候......
收藏
支持！
反对！