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标题: 如何利用SiC器件在开关电源转换器中的性能优势？ [打印本页]

作者: KIObole 时间: 2021-3-19 13:21
标题: 如何利用SiC器件在开关电源转换器中的性能优势？
如何利用SiC器件在开关电源转换器中的性能优势？

作者: QqWw11 时间: 2021-3-19 13:53
这个需求宽带隙（WBG）技术器件应运而生, 如碳化硅场效应管(SiC MOSFET) 。它们能够提供设计人员要求的更低的寄生参数满足开关电源（SMPS）的设计要求。

作者: QqWw11 时间: 2021-3-19 13:55
650V 碳化硅场效应管器件在推出之后，可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求，碳化硅场效应管(SiC MOSFET)由于能够实现硅场效应管(Si MOSFET)以前从未考虑过的应用而变得更具有吸引力。

作者: fordies1 时间: 2021-3-19 15:53
在芯片温度低范围，CoolSiC由于其较低的斜率倍增系数和对温度的低依赖性，让CoolSiC具有更高的击穿电压V（BR）DSS，因此比硅器件具有更大优势

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