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标题: LPDDR4 单端和差分阻抗要控制多少 ohm ? [打印本页]

作者: hanbingchong 时间: 2021-3-15 16:03
标题: LPDDR4 单端和差分阻抗要控制多少 ohm ?
各位大神，LPDDR4 的单端和差分阻抗控制还是跟DDR3 的一样，单端控制 50ohm, 差分控制 100ohm就可以了吗 ?
我找了各种资料都没有找到。

作者: 950 时间: 2021-3-15 16:24
芯片规格书上一般会有要求，可以查查看

作者: rorychan 时间: 2021-3-15 16:29
是的，和DDR3一样。单端50，差分100.

作者: caoshan_c 时间: 2021-3-15 17:37
单端50 差分100

作者: athena_lu 时间: 2021-3-16 09:52
正解。

作者: lihaobuer 时间: 2021-3-16 10:32
111111111111111

作者: mggimg 时间: 2021-3-17 11:20
单端40，差分80

作者: tavor 时间: 2021-3-20 11:16
要求是50 100的单根与差分阻抗，但是40 80的阻抗利于高频是TIMEING MARGIN, 不过说起来以前走板没经验的时候，啥也不管，阻抗等长都不管，还不是跑的好好的，该量产量产。

作者: 02041143 时间: 2021-3-23 09:15
单端45ohm 差分90ohm

作者: mao! 时间: 2021-3-27 15:02
50设计就行了

作者: mao! 时间: 2021-3-27 15:03
阻抗有个范围的

作者: 麒零 时间: 2021-4-2 00:43
有做过分段控制阻抗的，器件本体部分控制50/100ohm，颗粒与主控芯片之间按照40/85ohm，即两头细中间粗。

作者: EdisonZheng 时间: 2021-5-9 23:54
仿真一下就知道了。ODT选择40ohm，单端阻抗40ohm会最优，差分80ohm.当然，如果你PCB层叠设计导致线宽太粗，空间又有限制，做不到很大距离，可以做45ohm.差分线通过调整PN间距，80ohm应该可以实现

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