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标题: 感觉芯片失效分析是最棘手的问题，都有什么分析方法？ [打印本页]

作者: Ｄ.H 时间: 2021-3-12 15:51
标题: 感觉芯片失效分析是最棘手的问题，都有什么分析方法？
芯片失效分析是最棘手的问题，都有什么分析方法？

作者: Anda 时间: 2021-3-12 16:35
芯片失效问题通常是在量产阶段，甚至是出货后才开始被真正意识到，此时可能仅有零零散散的几个失效样品，但这样的比例足以让品质部追着研发工程师进行一个详尽的原因分析。

作者: Anda 时间: 2021-3-12 16:36
对于研发工程师，在排查完外围电路、生产工艺制程可能造成的损伤后，更多的还需要原厂给予支持进行剖片分析。不管芯片是否确实有设计问题，但出于避免责任纠纷，最终原厂回复给你的报告中很可能都是把问题指向了“EOS”损伤，进而需要你排查自己的电路设计、生产静电防控。

作者: senlenced3 时间: 2021-3-12 16:41
手法一：电子显微镜查看表面异常失效的芯片样品到了芯片厂商手里后，首先要做的必然是用高放大倍数的电子显微镜查看芯片表面在物理层面上是否有异常问题，如裂痕、连锡、霉变等异常现象。

作者: senlenced3 时间: 2021-3-12 16:42
手法二：XRay查看芯片封装异常

X射线在穿越不同密度物质后光强度会产生变化，在无需破坏待测物的情况下利用其产生的对比效果形成的影像可以显示出待测物的内部结构。IC封装中如层剥离、爆裂、空洞、打线等问题都可以用XRay进行完整性检验。

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